非金属基板の分割装置および方法が、第１ビームと、冷媒流が基板の第１スポットの終端部位あるいはそれに直隣接する部位に付与されるように位置された第１冷却装置と、第２ビームと、第１冷却装置と第２ビームの間に位置された第２冷却装置を有するものとして開示される。第１スクライブビームが基板に入射する角度および基板に入射する第１スクライブビームのエネルギー強度の少なくとも一つが、直角分割を達成するために調節される。クラックセンサとコントローラも設けられ、切断線の位置が測定され、その位置が基準位置を比較され、切断線位置の基準位置との比較に基づいて第２ビームのパワー強度が調節される。
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生産性及び電気的特性において一段と優れた非接触ＩＤカード及びそのような非接触ＩＤカードを製造可能な方法を提供する。本発明の非接触ＩＤカードは、基材にアンテナを形成したアンテナ回路基板と、ＩＣチップが搭載された基材に前記ＩＣチップの電極に接続された拡大電極を形成したインターポーザー基板とで構成され、前記アンテナの電極と前記拡大電極とを接合するように両基板を積層してなる非接触ＩＤカードにおいて、前記アンテナの電極及び前記拡大電極の少なくとも一方の接合面に散在する微細凹部に充填された絶縁性接着材で両電極が接着接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】三次元積層に好適な半導体基板セグメント及びその製造方法並びに該セグメントを積層して成る積層半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２のデバイス埋設側にデバイス３、感光性絶縁層４および配線５が設けられていると共に、基板端部側に第１の貫通微細導電体６が設けられている。また、デバイス電極と第１の貫通微細導電体６とが配線５により接続されている。さらにデバイス非埋設側の２ｂには、第１の貫通微細導電体６の先端である接続端６ａが所定長さ突出すように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電解物質の注入斑、気泡等が発生せず不良品の発生を防止することができ、しかも加工工程を大幅に減少させて生産効率を大幅に向上させることができる二次電池および二次電池製造方法ならびに二次電池製造装置を提供することである。
【解決手段】 正極電極シート状物、負極電極シート状物の送出機構と、電解物質含有溶液を正極電極シート状物と負極電極シート状物との両面にそれぞれ塗布する第１塗工機構、第２塗工機構と、正極電極シート状物、負極電極シート状物に塗布された電解物質を固着させる第１加熱機構と第２加熱機構と、電解物質が固化された正極電極シート状物と負極電極シート状物とを絶縁状態で重ね合わせるためのセパレータを供給するセパレーター巻出機構と、電解物質が固着された正極電極シート状物と絶縁用シートと電解物質が固化された負極電極シート状物と絶縁用シートとを積層した状態で所定の形状に巻回する巻回機構とを備えた構成にしてある。 （もっと読む）

【目的】 巻形状、および解舒性が良いパッケージを得ることができるようにすることである。
【構成】 巻取中のトラバース速度とスピンドルの回転速度を常時検出し、略同一時刻に検出されたトラバース速度とスピンドルの回転速度から算出された綾角、あるいはワインド比等の値が予め設定された回避すべきリボンに近接した時、トラバース速度を変化させてリボンを回避せしめる制御方法において、振動幅を［ＲＡ］、リボン回避変化幅を［ＲＴ］、検出トラバース速度を［ＴＲ］とした時、［ＴＲ＋（ＲＴ−ＲＡ）／２］が回避すべきリボンと略一致した際に、トラバース速度をリボン回避変化幅［ＲＴ］だけ増加せしめてトラバース速度が大きく変化するようにしてある。 （もっと読む）