【課題】高品質のＭＯＳ構造に応用可能な、ＳｉＣ材料の表面にその酸化膜であるＳｉＯ_２膜が形成されてなる半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ材料の表面にその酸化膜であるＳｉＯ_２膜が形成されてなる半導体装置は、ＳｉＣ材料の表面にソフトブレークダウン特性を示すＳｉＯ_２膜を形成し、得られたＳｉＯ_２膜のソフトブレークダウン特性を改善することにより製造する。具体的には、ＳｉＣからあらかじめ形成した熱酸化膜を、比較的高温で酸化種濃度が低い条件で熱処理した酸化膜、あるいは比較的高温で酸化種濃度の低い条件でＳｉＣ上に形成した酸化膜を、実質的にＳｉＣで酸化が進行しない温度で酸化種濃度の高い条件下で熱処理すればよい。 （もっと読む）

【課題】基板をＣＭＰ法で研磨するための研磨用スラリーを、遠心ポンプを使用して基板研磨装置に供給する研磨用スラリー供給装置において、研磨用スラリーに気泡が混入した場合においても、気泡を研磨用スラリーから分離し、気泡を含まない研磨用スラリーを安定的かつ恒常的に遠心ポンプに供給し、遠心ポンプを安定して運転できるようにする。
【解決手段】研磨用スラリー供給装置は、研磨用スラリーを貯留する貯留タンクと、研磨用スラリーを基板研磨装置へ供給する遠心ポンプと、貯留タンクと遠心ポンプの吸引側との間を接続し、研磨用スラリーの流路となる供給配管と、該遠心ポンプの吐出側に接続され、研磨用スラリーの流路となる吐出配管とを有する。また、開放末端を有する気体分離配管が、その開放末端が該貯留タンクに貯留されている研磨用スラリーの液面よりも上方に位置するように、供給配管に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ジクロロエチレンを熱分解させて、又はジクロロエチレンと酸素とを反応させて得られたクリーニングガスを使用して、カーボンや水が処理管の中に導入されないように、半導体処理装置の処理管内部の金属汚染をクリーニングできるクリーニングガス供給装置を提供する。
【解決手段】ジクロロエチレンを収容する容器部１０と、ジクロロエチレンと酸素とを反応させて又はジクロロエチレンを熱分解させてクリーニングガスを調製するジクロロエチレン反応部２０と、該容器部１０中のキャリアガスのバブリングが生ずるように連結されたキャリアガス導入路３０と、該容器部１０から混合ガスを該ジクロロエチレン反応部２０に供給するための混合ガス供給路４０と、該ジクロロエチレン反応部２０に酸素を供給するための酸素供給路５０と、該ジクロロエチレン反応部２０から処理管にクリーニングガスを供給するためのクリーニングガス供給路６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置での処理温度が１３００℃前後と非常に高い温度領域で行われたとしても、高価な炭化硅素材料を使用せずとも、効果的に輻射熱の遮断が可能となり、かつ装置自体の高さを増大させない縦型熱処理装置を提供する。
【解決手段】輻射熱遮熱体１０は、石英ガラス製の真空容器体１ａと、その内部空間に封入された輻射熱を遮熱できる粒子１ｂとからなる。真空容器体１ａとしては、中空の円柱体、中空のディスク体、管壁の内部が中空となっている管体、環壁の内部が中空となっている環体等が挙げられる。輻射熱を遮熱できる粒子１ｂとしては、層状のグラファイト系材料、金属材料又はセラミック系材料等の粒子が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】１３００℃と非常に高い温度領域でも、高価な炭化硅素材料を使用せずに、輻射熱の遮断が可能で、かつの高さを押さえた縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】遮熱ユニットとして、石英ガラス製の遮熱用真空容器体１ａと、その内部空間に封入された輻射熱遮熱部材１６とからなる遮熱用真空バッファー体１０，石英ガラス板に輻射熱遮熱部材が封入されている輻射熱遮熱板，及び，少なくとも一つの石英ガラス板と少なくとも一つのその輻射熱遮熱板とを所定面間隔で配列させてなる輻射熱遮熱板構造体を使用できる。熱処理装置は、遮熱ユニットとを有する。ここで、遮熱ユニットは、上述の遮熱用真空バッファー体を有する。あるいは遮熱ユニットは、輻射熱遮熱板構造体を有する。又は遮熱ユニットは、２以上の石英ガラス板を所定面間隔で配列させてなる石英ガラス板構造体と、その被熱処理材保持具側表面に載置された上述の輻射熱遮熱板とを有する。 （もっと読む）

【課題】偏極キセノンガス製造用セルが生成する偏極キセノンガスの偏極率特性について、セルが異なってもその変化を小さく、そのコントロールを容易にできるようにする。
【解決手段】偏極キセノンガス製造用セルは、ルビジウムを使用した光ポンピング法により偏極キセノンガスを生成する場となるセル本体、及び該セル本体に設置され、それぞれバルブに接続されているキセノンガス導入管及びキセノンガス排出管を有する。セル本体の内部には、ルビジウムを貯留するためのルビジウム貯留領域が設けられ、そのルビジウム貯留領域にルビジウムが貯留されている。セル本体には、液化した励起用ルビジウムをセル本体内に導入した後に封じられたルビジウム導入口跡が存在している。また、ルビジウム導入口跡からルビジウム貯留領域まで、液化したルビジウムが流れ下るためのルビジウム用ガイドを形成する。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れると共に超偏極希ガスの偏極率の低下を抑制することが可能な超偏極希ガス導入管を提供する。
【解決手段】超偏極希ガス導入管は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体を含有する樹脂からなる第一の管（ＰＦＡチューブ１１）を有する。第一の管の内表面の最大高さは０．２μｍで、フィルタを設ける。
【効果】耐衝撃性が改善され、希ガスの偏極率低下と希ガス導入時の粉末試料の逆流とを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】液体封止剤を使用することなく、研磨用スラリーを貯留する貯留タンク中の気体の主排液配管への流出を安定的且つ定常的に防ぐことにより、貯留タンク中の研磨用スラリーの乾燥を防止できる研磨用スラリー貯留装置、研磨用スラリー供給装置及び研磨システムを提供する。
【解決手段】研磨用スラリーを貯留するための貯留タンク、該貯留タンクの底部と主排液配管とを接続するためのドレイン配管、及び該貯留タンクの上部と該主排液管とを接続するためのオーバーフロー配管を有する研磨用スラリー用貯留装置において、オーバーフロー配管にサイホン式トラップを配置し、サイホン式トラップの貯留タンク側のオーバーフロー配管には逆止弁を備えた水供給配管を接続する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層の厚さのバラツキの無いＳＯＩ基板及び該ＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル剥離層を介してＡＬＥ成長でＳＯＩ層を形成し、ボデイウエーハを貼り付けた後、前記エピタキシャル剥離層を溶解除去することによって、全てがＡＬＥ成長で作成したＳＯＩ層を形成し、
ＳＯＩ層の厚さのバラツキの無いＳＯＩ基板とした。 （もっと読む）

【課題】床面や漏液収容部等のシステムの最下部に設置される漏液センサを、漏液異常が発生した場合に、漏液発生箇所を容易に特定可能とする。
【解決手段】漏液センサにおいて、当該漏液センサを前記漏液の収容部の内部空間に設置すると共に、前記漏液センサの設置位置に対し、前記漏液の収容部の内部空間、及び／又は、前記漏液の収容部の上方の空間の少なくとも１つを含む空間範囲以内に、共鳴器を有する発音手段を含む警報手段を設け、前記漏液センサがセンサ異常を検知した場合、少なくとも前記共鳴器を有する発音手段により、前記空間範囲の外側に設置された漏液センサと区別して、当該漏液センサの設置位置が特定可能なように、当該漏液センサのセンサ異常検知を、前記発音手段から出力される可聴周波数の発信音を前記共鳴器により増幅して警報する。 （もっと読む）