説明

東京エレクトロン株式会社により出願された特許

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【課題】検査装置の省スペース化及び軽量化に資する載置台駆動装置を提供する。
【解決手段】本発明の載置台駆動装置20は、検査室10内の載置台11を水平方向に移動させる水平方向駆動機構21と、水平方向駆動機構21を支持する基台22と、検査室10内で圧縮空気を用いて載置台11を支持台12から浮上させる載置台浮上機構(例えば、エアベアリング)23と、水平方向駆動機構21と載置台11を連結する連結機構24と、水平方向駆動機構21及び基台22が収納された筐体25と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】排気能力の向上を図り、大流量のガス供給時においても処理容器内の圧力を迅速に且つ効率的に減圧雰囲気にすることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Wに所定の処理を施すための処理装置において、処理空間の一側にノズル収容エリア48が設けられると共に、他側にノズル収容エリアより水平方向に放出されたガスを排気させるための排気口52が形成された処理容器44を有する処理容器構造34と、該処理容器構造の下端の開口部側を塞ぐ蓋部36と、前記被処理体を支持すると共に、前記処理容器構造内へ挿脱可能になされた支持体構造38と、ノズル収容エリア内に収容されてガスを導入するガスノズルを有するガス導入手段40と、処理容器構造内の雰囲気を排気するための複数の排気系41A,41Bを有する排気手段41と、前記被処理体を加熱するための加熱手段42と、装置全体を制御する制御手段112と、を備える。 (もっと読む)


【課題】上部電極の消耗を防止しつつ、処理空間におけるプラズマの密度分布の制御性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】第1の高周波電源18に接続され且つウエハWを載置するサセプタ12と、該サセプタ12と対向して配された上部電極板28と、サセプタ12及び上部電極板28の間の処理空間PSとを備え、プラズマを用いてウエハWにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置10は、上部電極板28における処理空間PSに面する部分を覆う誘電体板27を備え、上部電極板28は、ウエハWの中央部と対向する内側電極28aと、ウエハWの周縁部と対向する外側電極28bとに分割され、内側電極28aと外側電極28bとは互いに電気的に絶縁され、内側電極28aには第2の可変直流電源33から正の直流電圧が印加されるとともに、外側電極28bは電気的に接地される。 (もっと読む)


【課題】基準位置に正確に取り付けられた基準部材を有する位置決め装置を提供する。
【解決手段】位置決めのために基準となる基準部材と、前記基準部材を支持するための支持部と、前記支持部に設けられ、前記基準部材と前記支持部とを固定し、または固定を解除する第1の固定部材と、を有し、前記基準部材は、可動する状態で前記支持部と接続されており、位置決めされた後、前記第1の固定部材により前記支持部に固定されるものであることを特徴とする位置決め装置を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第1成膜工程と、エッチング工程と、第2成膜工程とを備えている。第1成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第1成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第2成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板1に対する処理を行う処理装置1において、被処理基板Wを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部2、3には、被処理基板Wの側周面を規制する規制部材52と、回動軸513周りに回動自在であり、被処理基板Wを規制部材52側に押し付けて保持する可動部材51と、当該可動部材51を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸513には、被処理基板Wの中央部寄りの位置側に回動軸513を付勢する付勢力が付与され、ガイド部517に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Wを保持する。 (もっと読む)


【課題】基板に対して処理を行うための処理室を真空搬送室に複数接続した基板処理装置において、処理室の蓋体の着脱に伴う装置の大型化を抑えてフットプリントの増大を抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】蓋体52を保持して着脱(開閉)するための蓋体保持機構741を共通化している。そして、真空搬送室4上の回転テーブル721から伸びる旋回アーム7に蓋体保持機構741を設け、処理室5またはロードロック室3の蓋体52を保持した状態で真空搬送室4の周方向に沿って処理室5の上方領域を蓋体保持機構741が通過して旋回できるように構成する。 (もっと読む)


【課題】被処理体を支持する支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制して形成される薄膜の膜厚の面内均一性及び膜質の改善を図ることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】処理ガスを一側から他側に向けて水平方向に流すようにした処理容器構造内で処理すべき複数枚の被処理体Wを支持する支持体構造において、天板部92と、底部94と、天板部と底部とを連結し、被処理体を支持する複数の支持部100がその長さ方向に沿って所定のピッチで形成されると共に複数の支持部の内の最上段の支持部と天板部92との間の距離と複数の支持部の内の最下段の支持部と底部94との間の距離とが共に支持部間のピッチ以下の長さに設定されている複数の支持支柱96とを備える。これにより、支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】被処理基板Wは基板保持部3に水平に保持されて、鉛直軸周りに回転され、薬液供給部343からは回転している被処理基板Wの下面に薬液が供給される一方、リンス液供給部343からはこの薬液が供給された面にリンス液が供給される。そして第1のステップにて第1の回転速度で回転させながら被処理基板Wに薬液を供給し、第2のステップにて薬液の供給を停止し、かつ被処理基板Wを前記第1の回転速度より速い第2の回転速度で回転させて薬液を振り切った後、第3のステップにて被処理基板Wを第1の回転速度以下の第3の回転速度で回転させた状態で、当該被処理基板Wにリンス液を供給する。 (もっと読む)


【課題】要求される処理プロセス性能に応じて必要とされる処理ガスの供給状態の実現可能性を増大させることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、処理室内の載置台の上方に位置する空間に、処理室の側壁から処理室の中心に向くように処理室内に突出するとともに、突出方向先端部と側壁部にガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、ガスノズルを、夫々突出方向に沿った当該ガスノズルの中心軸の回りに回転させる回転機構とを具備している。 (もっと読む)


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