説明

東京エレクトロン株式会社により出願された特許

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【課題】SiC膜を下地膜としてSiOC系のLow−k膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第1の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源90を接続し、第2の高周波電源90に制御器95を設け、制御器95は、パワー変調するパワー変調モードで動作させる際、プラズマ着火時に、最初に前記第2の高周波電源90を同一パワーで連続的に高周波電力を供給するモードで動作させ、その後パワー変調モードに切り換えるように制御する。 (もっと読む)


【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置10のチャンバ11内において、載置台12に載置されたウエハW及びプラズマジェネレータ13の間に配置されるラジカルフィルタ14は、上部シールドプレート17と、プラズマジェネレータ13との間に上部シールドプレート17を介在させるように配置される下部シールドプレート18とを備え、上部シールドプレート17は当該上部シールドプレート17を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔17aを有し、下部シールドプレート18は当該下部シールドプレート18を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔18aを有し、上部シールドプレート17には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート18には正の直流電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜104を有する基板101を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物106を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン107により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 (もっと読む)


【課題】平流しの基板搬送路上で被処理基板に供給した第1の処理液を分別回収して第2の処理液に置き換える動作を効率よくスムーズに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】被処理基板Gに第1の処理液Dを供給する第1の処理液供給手段9と、前記第1の処理液が液盛りされた前記被処理基板の基板面に対し、所定のガス流を吹き付ける気体供給手段21と、前記被処理基板の基板面に対し前記第2の処理液Sを吐出する第2のリンス手段23と、前記気体供給手段と前記第2のリンス手段との間に設けられ、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられた前記被処理基板の基板面に対し、所定の流速で前記第2の処理液を吐出する第1のリンス手段22と、前記基板搬送路上において、前記第1のリンス手段により供給された第2の処理液によって、基板幅方向に延びる液溜まり部を形成する液溜まり形成手段27とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体基板等にダメージを与えることなくゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、前記誘電体膜上の一部に電極を形成する電極形成工程と、前記電極の形成されていない前記誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、前記照射工程の後、ウェットエッチングにより、前記イオン化したガスクラスターの照射された領域における前記誘電体膜を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて側壁部形成のための薄膜が堆積される対象構造を有機材料により形成した場合であっても、均一な側壁部を形成する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含むフォトレジストパターン形成方法により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】空間を分離する際のシール性及びメンテナンス性に優れた駆動装置を提供する。
【解決手段】同軸上に2つの回転軸(外側出力軸150及び内側出力軸250)を有する駆動装置80において、本体ケース300と外側出力軸150との間に真空シール170を配置し、更に、外側出力軸150と内側出力軸250との間に真空シール270を配置することで、駆動装置80の本体ケース300内の空間と、本体ケース300外の空間とを分離する。これにより、駆動装置80を減圧環境下で用いる場合であっても、駆動装置80の本体ケース300内の空間(大気圧環境側)と減圧環境側の空間とを分離することができるので、駆動装置80の減圧環境下での使用が可能となる。 (もっと読む)


【課題】ガスをベント管側へ流すことなく安定化した流量のガスを処理容器内へ導入することが可能なガス供給装置を提供する。
【解決手段】薄膜が形成される被処理体Wを収容する処理容器4内へガスを供給するガス供給装置40において、処理容器に接続されてガスを流すためのガス通路48と、ガス通路に介設された流量制御弁64と、流量制御弁よりも下流側のガス通路に介設された開閉弁機構68と、流量制御弁と開閉弁機構との間のガス通路である中間ガス通路72内の圧力を検出する圧力検出部74と、圧力検出部の検出に基づいて流量制御弁を制御することにより中間ガス通路内の圧力を処理容器内の圧力の2倍以上の一定値になるように制御する弁制御部76とを有するガス供給系42を備える。 (もっと読む)


【課題】3つ以上の環状アンテナ部を同心状に設けた高周波アンテナを用いた場合であっても、環状アンテナ部の電流の独立制御性が高い誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット50において、アンテナ13は、高周波電力が供給されることにより処理室内に誘導電界を形成する同心状に設けられた少なくとも3つのアンテナ部13a,13b,13cを有し、各アンテナ部は、アンテナ線61,62,63,64等が渦巻き状に巻回されて構成され、アンテナ部13a,13b,13cのうち隣接するものどうしは、アンテナ線が互いに逆巻となるように巻回されている。 (もっと読む)


【課題】ダウンタイムを短くすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置1は、蛍光式の光ファイバ温度計22と、ガイド管21と、光ファイバ掃引部24とを備えている。蛍光式の光ファイバ温度計22は、反応管2内の温度を測定する。ガイド管21は、反応管2内に挿通可能であり、蛍光式の光ファイバ温度計22を収容する。光ファイバ掃引部24は、蛍光式の光ファイバ温度計22をガイド管21内で掃引する。蛍光式の光ファイバ温度計22は、光ファイバ掃引部24の掃引量により、反応管2内の所定の温度測定位置に移動する。 (もっと読む)


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