説明

東京エレクトロン株式会社により出願された特許

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【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造31は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Wを載置するようにして支持する支持台33と、円筒状の部材であって、支持台33の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部32と、支持台33内に設けられるヒータ36とを備える。支持台33は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部32は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台33の内部であって、シャフト部32の一方端部が支持台33に取り付けられる連結部40に対して距離を開けて連結部40の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部41が設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。基板保持機構110の周囲に、基板Wから飛散しためっき液を排出する液排出機構140が配置され、基板保持機構110に保持された基板Wの上方において、基板Wの表面側を覆うようにトッププレート151が設けられている。基板W、液排出機構140およびトッププレート151の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスGが滞留する滞留空間156が形成される。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置及び基板洗浄方法であって、基板の裏面を洗浄する洗浄手段及び基板を保持する基板保持手段を洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記裏面の第1の領域に接触して、前記基板を保持する第1の基板保持手段と、前記第1の領域以外の前記裏面の第2の領域に接触して、前記基板を保持する第2の基板保持手段と、前記第1の基板保持手段又は前記第2の基板保持手段により保持された基板の裏面を洗浄する第1の洗浄手段と、前記基板と接触する前記第2の基板保持手段の接触面を洗浄する第2の洗浄手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】被処理基板と支持基板を適切に接合する。
【解決手段】接合装置の接合部113は、被処理ウェハWを保持する第1の保持部200と、第1の保持部200に対向配置され、支持ウェハSを保持する第2の保持部201と、第2の保持部201に保持された支持ウェハSを覆うように設けられた鉛直方向に伸縮自在の圧力容器271を備え、当該圧力容器271内に気体を流入出させることで第2の保持部201を第1の保持部200側に押圧する加圧機構270と、第1の保持部200、第2の保持部201及び圧力容器271を内部に収容し、内部を密閉可能な処理容器290と、処理容器290内の雰囲気を減圧する減圧機構300と、を有している。 (もっと読む)


【課題】混合すると反応熱を生じる第1処理液と第2処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第1および第2処理液を供給する第1供給部(32、200)と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第1および第2処理液を供給する第2供給部(120,130)とを備えている。第1供給部および第2供給部にはそれぞれ、第1処理液を供給する第1処理液供給管と第2処理液を供給する第2処理液供給管が接続されている。第1供給部は、第1および第2処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第2供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第1処理液を吐出する複数の第1吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第2処理液を吐出する複数の第2吐出口とを有している。 (もっと読む)


【課題】基板の材質や表面の状態などの影響を受けることなく基板の保持状態の良否を正確に判断できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を保持する基板保持手段(22)と、前記基板保持手段(22)で前記基板(2)を正常に保持したときに前記基板(2)の端縁部が存在する領域を撮影する撮影手段(25)と、前記撮影手段(25)で撮影した画像に基づいて前記基板保持手段(22)による前記基板(2)の保持状態を判断する制御手段(26)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、シリコン含有層を選択的に除去し、側壁部に形成された窒化シリコン層又は酸化シリコン層を残すプラズマエッチング工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチング工程では、SFガスを含むエッチングガスを用いる。 (もっと読む)


【課題】電極層の全域を適切に温度制御することができる電極ユニットを提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを基板に施す処理室17を備える基板処理装置10は、半導体ウエハWを載置し、且つ処理室17内に高周波電圧を印加するサセプタ12と対向するように配置されている上部電極ユニットとしてのシャワーヘッド29を備え、該シャワーヘッド29は、処理室17側から順に配置された、電極層32、加熱層33及び冷却層34を有し、加熱層33は電極層32を全面的に覆うとともに、冷却層34は加熱層33を介して電極層32を全面的に覆い、加熱層33及び冷却層34の間には伝熱シートが配置される。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット31の背面側に設けられたマグネット配列体5は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット31のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット31の使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】 表面ラフネスが良好なシリコン酸化物膜を得ることが可能なシリコン酸化物膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地1上にシード層2を形成する工程と、シード層2上にシリコン膜3を形成する工程と、シリコン膜3及びシード層2を酸化し、下地1上にシリコン酸化物膜4を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


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