【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置１３は、被処理ウェハＷを保持して回転させるウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０と、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（混合液）を吸引する吸引部１７０と、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】再製作が容易な基板保持体を提供する。
【解決手段】ウェハＷを吸着保持するスピンチャック１は、第１の温度以上の耐熱性を有する吸着盤１０と、吸着盤１０上面の外周縁部に沿って連続して設けられたシール部材１１と、吸着盤１０の上面であってシール部材１１の内側に設けられた支持部材１２と、を有している。シール部材１１と支持部材１２は、第１の温度より低い第２の温度以上で炭化する紫外線硬化樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高周波(RF)プラズマ処理システムにおいて、RFエネルギーの均一性を改善する装置及び方法の改良が必要である。
【解決手段】 高周波(RF)出力結合システムが供される。当該システムは、RF出力をプラズマ処理システム内のプラズマへ結合するRF電極と、該RF電極上の複数の出力結合位置でRF出力を電気的に結合する複数の出力結合素子と、該複数の出力結合素子と結合して、RF出力信号を前記複数の出力結合素子の各々へ結合するRF出力システムを有する。前記複数の出力結合素子は、前記RF電極の中心に位置する中心素子と、前記RF電極の中心から外れた位置に設けられる周辺素子を有する。第1周辺RF出力信号は、第2周辺RF出力信号と位相が異なる。 （もっと読む）

【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１００は、高周波電力を発生させる高周波電源６と、高周波電源６から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極２と、高周波電源６とプラズマ生成電極２との間に介在し、伝送路９のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器７と、整合器７とプラズマ生成電極２との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路８とを具備し、整合器７は、プラズマとインピーダンス調整回路８とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路８によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 （もっと読む）

【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置１の温度制御方法であって、プラズマ処理装置１の処理容器１０内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送路１０２、１０２Ｂに沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する搬送装置１０４Ａ、１０４Ｂを利用した搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられた第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の処理ステージ装置及びそれを用いる塗布処理装置において、処理動作のタクトタイムを短縮する。
【解決手段】基板搬入部２は、ガラス基板Ｇを水平に搬送可能な第１の基板搬送部５Ｂと、前記第１の基板搬送部を少なくとも基板搬送方向に沿って前後方向と斜め上下方向と垂直上下方向とのいずれかに移動させる第１の進退手段１０とを有し、前記基板処理部は、ステージ１５と、前記ステージの載置面に対し相対的に昇降可能に設けられ、上昇位置において前記基板を水平に搬送可能な第２の基板搬送部１６と、前記ステージの載置面に対し前記第２の基板搬送部を相対的に昇降させる第２の進退手段２４，２５とを有し、前記基板搬出部は、前記被処理基板を水平に搬送可能な第３の基板搬送部２９と、前記第３の基板搬送部を少なくとも基板搬送方向に沿って前後方向と斜め上下方向と垂直上下方向とのいずれかに移動させる第３の進退手段３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板等の体積固有抵抗値が大きい基板であっても、十分な冷却効果を有し、且つ、コストに見合った基板の冷却効果を得ることができる基板載置システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１０の基板冷却システムにおいて、サセプタ１２は基板Ｇを載置し、静電チャック１４はサセプタ１２の上部に設けられて基板Ｇを静電吸着し、ガス流路１８及び温度調整ガス供給装置１９は静電吸着された基板Ｇ及び静電チャック１４の間の伝熱空間Ｔに温度調整ガスを供給し、伝熱空間Ｔの厚さが５０μｍ以下に設定され、ガス流路１８及び温度調整ガス供給装置１９は、温度調整ガスとして窒素ガス又は酸素ガスを３Ｔｏｒｒ（４００Ｐａ）以下で伝熱空間Ｔに供給する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を抑制することができるパーティクル付着抑制方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容し且つ内部にプラズマが生じるチャンバ１１と、収容されたウエハＷを載置するサセプタ１２と、該サセプタ１２にバイアス電力を印加する第１の高周波電源１９と、サセプタ１２にプラズマ生成電力を印加する第２の高周波電源３１と、サセプタ１２に対向する上部電極３３に直流電力を印加する第２の直流電源１５とを備えるウエハＷ処理装置において、ドライエッチング処理の終了後、第２の直流電源１５は直ちに直流電力の印加を終了し、続く所定の短時間（Δｔ）に亘って第２の高周波電源３１はプラズマ生成電力を２７００Ｗから２００Ｗまで低下させてその印加を維持する一方、所定の短時間（Δｔ）の間、第１の高周波電源１９は４５００Ｗのバイアス電力の印加を維持する。 （もっと読む）