説明

東京応化工業株式会社により出願された特許

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【課題】自己組織化単分子膜を形成でき、かつ長波長の光で感光する新規な化合物、該化合物を含有する膜形成用組成物および当該膜形成用組成物を用いた積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)[式中、R〜Rはそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキル基であり、aは2〜11の整数であり、Xは、隣接する酸素原子と当該酸素原子に結合した窒素原子との間の結合が開裂した際に親水性基を形成する基であり、Rは水素原子、炭素数1〜20のアルキル基または炭素数1〜20のアルコキシ基であり、2つのRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。]で表される化合物。
[化1]
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【課題】レジスト除去後においてもSiが基板上に残ることなく、容易にシリコン含有二層レジストを除去する方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、有機高分子化合物を含む下層膜20とシリコン含有レジスト膜30とを順次積層してなるシリコン含有二層レジストが形成されたレジスト積層基板から、シリコン含有二層レジストを除去する方法であって、有機溶剤によってシリコン含有レジスト膜30の剥離を行う剥離工程と、剥離工程後の下層膜20表面をアルカリ系洗浄液又はフッ酸で洗浄する洗浄工程と、酸素プラズマ処理によって下層膜20を除去するアッシング工程と、を備えるシリコン含有二層レジスト除去方法である。 (もっと読む)


【課題】 溶剤を用いることなくサポートプレートを剥離する方法を提供する。
【解決手段】 昇降体2を下げ、紫外線ランプ22をサポートプレート11の直上に位置せしめ、この状態で点灯し、サポートプレート11を介して光触媒層13に紫外線を到達せしめる。すると、光触媒が励起せしめられ、電子が発生し、Oと反応してOとなり、このOが有機物(接着剤)と反応してガス(HO、COなど)を発生し、このガスが光触媒層13と接着剤12との間に広がり、サポートプレート11を基板Wから簡単に剥離できるようになる。 (もっと読む)


【課題】当該精製方法を用いて得られる樹脂を用いて精製された半導体リソグラフィー用樹脂を用いた際のディフェクト、特にブリッジモードディフェクトの発生を抑制できる精製方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用樹脂の精製に用いられるものである、ラクトン含有環式基を有する構成単位(a2’)を含有する樹脂(A1’)を、溶解度パラメータ(SP値)が17.0〜20.5(J/cm1/2の範囲にある有機溶剤(S1’)で洗浄する工程(i)を有することを特徴とする樹脂の精製方法。 (もっと読む)


【課題】本発明はレジストパターンの裾引きを低減させるとともに、該パターンの形状を改善することが可能なレジスト下層膜用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】レジスト下層膜用組成物中に、質量平均分子量が3000以下の(A)シロキサン系化合物と、(B)シロキサン系重合体と、を含有した。 (もっと読む)


【課題】装置自体が大型化することなく、またローラ自体に高い加工精度を必要としない予備吐出装置、洗浄液の消費量が比較的少量で済み、ランニングコストが安価な予備吐出装置を実現する。
【解決手段】基板Wへの塗布に先立って、スリットノズル3からの塗布液を吐出させるための予備吐出装置において、スリットノズル3と対向して配置され、スリットノズル3のスリット開口の延在方向と同一の方向に延在する予備吐出面20と、予備吐出面20の近傍に、予備吐出面20の表面に存在する塗布液を除去する除去機構21が設けられている構成とする。 (もっと読む)


【課題】光学材料用としての利用が可能な新規な化合物、および該化合物を含有する膜形成用材料を提供する。
【解決手段】下記一般式[式中、Zはメルカプト基または水酸基であり;R11〜R17は炭素数1〜10のアルキル基または芳香族炭化水素基であり;g、jは1以上の整数であり、k、qは0以上の整数であり;bは1以上の整数であり、l、mは0以上の整数であり;cは1以上の整数であり、n、oは0以上の整数であり;pは0または1であり;Aは芳香族環式基、脂肪族環式基又はアルキレン基である。]で表される化合物。
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【課題】分子間の空隙を少なくし、緻密な絶縁膜を形成することが可能な絶縁膜形成用組成物、及び絶縁膜からなる絶縁膜を提供する。また、この絶縁膜を使用することにより、低電圧駆動が可能で、かつ、駆動電圧値が安定した有機半導体素子を提供する。
【解決手段】シルセスキオキサン骨格を有する樹脂成分(A)を含有する、有機半導体素子のゲート電極層と有機半導体膜層との層間に絶縁膜を形成するための絶縁膜形成用組成物であって、樹脂成分(A)は下記一般式(a−1)で表される構造単位(a1)を有する樹脂(A1)とした。


[式中、Xは炭素数1〜15のアルキレン基又は炭素数6〜15の2価の芳香族炭化水素基を表し、Rは水素原子又は炭素数1〜15のアルキル基又は炭素数2〜15のアルコキシアルキル基を表し、Rは炭素数1〜4のアルキル基を表し、nは0又は1である。] (もっと読む)


【課題】液浸媒体がレンズに接触することなく、液浸媒体がレンズに接触することなく、フォトマスク上にn値及びk値の変化が抑制された高屈折率膜を形成することができる高屈折率膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】多環式の炭化水素環構造を有し、この炭化水素環構造上の少なくとも一つの炭素原子が主鎖を構成する構成単位(a1)を有する樹脂(A)と、この樹脂(A)を溶解可能な有機溶剤(S)とを含有する組成物。有機溶剤(S)は、シクロヘキサン構造を有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】シリカ系被膜形成用組成物を基板上に塗布した後、低温で加熱することにより、シリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物、及びこれを用いたシリカ系被膜を提供すること。
【解決手段】アルコキシシランの加水分解縮合物(A)と、熱の作用により酸又は塩基を発生する化合物(B)と、を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物である。更に、酸又は塩基を発生する化合物(B)が、100℃以上300℃以下で酸または塩基を発生する化合物であることが好ましい。 (もっと読む)


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