【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分（Ｂ）は、式（ｂ１−１）で表される基をカチオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒ’は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基又はシアノ基であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基であり、ｐは０〜４の整数である。］。
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【課題】ディフェクトを低減することが可能なポジ型レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、含フッ素化合物成分（Ｆ）及び光増感剤（Ｇ）を含有するポジ型レジスト組成物；前記含フッ素化合物成分（Ｆ）は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、フッ素原子を含む構成単位（ｆ１）を有する樹脂成分（Ｆ１）を含有することが好ましい；構成単位（ｆ１）が式（ｆ１−１）で表される構成単位であることが好ましい。
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【課題】レジストパターン形成方法及びレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と含フッ素高分子化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を有機溶剤含有現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分（Ａ）がアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、樹脂成分（Ａ１）及び含フッ素高分子化合物（Ｆ）の現像液への溶解速度が夫々１０ｎｍ／ｓ以上であり、樹脂成分（Ａ１）と含フッ素高分子化合物（Ｆ）との現像液への溶解速度の差の絶対値が８０ｎｍ／ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状に優れ、且つ高感度なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）と、ヒドロキシアダマンチル基を有する（メタ）アクリレート単位（ａ５）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、酸分解性基を分解させるための活性化エネルギーが１００ｋＪ／ｍｏｌ以下であるレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状に優れ且つ高感度なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−１）で表される構成単位と、酸分解させるための活性化エネルギーの差が１〜５０ｋＪ／ｍｏｌである、少なくとも２種のアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。
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【課題】新規化合物、高分子化合物、レジスト組成物、酸発生剤及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（１−１）で表される化合物［式中、Ｒ^１、Ｒ^３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ^２、Ｒ^４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）又は（１−ａｎ３）で表される基である。n０は０又は１である。Ｙ¹は単結合又は−ＳＯ_２−であり、Ｒ^５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、又は炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
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【課題】高感度で、良好な形状のパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する構成を有する（メタ）アクリル酸エステル単位と、−ＳＯ_２−含有環式基を含む（メタ）アクリル酸エステル単位及び、一般式（ａ５−１）で表される（メタ）アクリル酸エステル単位とを有する高分子化合物（Ａ１）、及び露光により酸を発生する成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。
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【課題】リソグラフィー特性に優れ、解像性が向上し、かつディフェクトを低減できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、含窒素有機化合物成分（Ｃ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物成分（Ｃ）が、一般式（ｃ１−１）で表されるカルボン酸と、塩基性化合物との塩である光塩基発生剤（Ｃ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】表面処理剤からなる薄膜のパターンを調整し、ブロックコポリマーの相分離構造を基板表面に対して垂直方向に配向されたラメラ構造状に形成する方法の提供。
【解決手段】基板上に、表面処理剤を含む中性化膜を形成し、前記中性化膜の上に、レジストからなるマスクパターンを形成し、前記マスクパターンを中性化膜に転写し、前記中性化膜から前記マスクパターンを除去し、当該中性化膜を被覆するように、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を形成した後、当該ブロックコポリマーを含む層を加熱して相分離させる工程を有し、前記表面処理剤が、前記ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有し、前記マスクパターンが、ラインの幅及びスペースの間隔がそれぞれ、前記ブロックコポリマーの周期の０．５倍若しくは１〜１０の整数倍であるＬ／Ｓパターンである相分離構造を有する層を表面に備える基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ノズルの清掃作業を効率的に行うこと。
【解決手段】基板に対して液状体を吐出するスリット開口が先端部に形成されたノズルを有する塗布部と、前記基板と前記ノズルとが相対的に移動するように前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部と、前記スリット開口に挿入可能に形成された清掃部材と、前記清掃部材を前記スリット開口の長手方向に移動させる清掃部材駆動部とを備える。 （もっと読む）