説明

東京応化工業株式会社により出願された特許

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容易に入手可能な化合物を原料として簡単な手段で製造可能であって、これを用いた二層レジスト材料により、高解像度で高アスペクト比、良好な断面形状、小さいラインエッジラフネスの微細パターンを形成しうる化学増幅型ポジ型シリコーン系ポジ型レジスト組成物を提供する。(A)アルカリ可溶性樹脂及び(B)光酸発生剤を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物において、(A)アルカリ可溶性樹脂として、(a)(ヒドロキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位、(a)(アルコキシフェニルアルキル)シルセスキオキサン単位及び(a)アルキル又はフェニルシルセスキオキサン単位を含んでなるラダー型シリコーン共重合体を用いる。上記(A)成分において(a)単位がフェニルシルセスキオキサン単位である共重合体は新規化合物である。 (もっと読む)


【課題】複数の基板を多面取りする大型基板を支持する際に、裁断予定線にピンが重なるようにした基板載置ステージを提供する。
【解決手段】支持プレート上に複数の固定ピン3が取り付けられている。この固定ピン3の平面視での位置は、この基板載置ステージに載置される大型基板の有効エリア外となる外周縁L1に重なる位置に配置され、また大型基板を2面取りする裁断予定線L2に重なる位置にも配置されている。一方、前記支持プレート形成した貫通穴に可動ピン5が挿通され、各可動ピン5は大型基板を更に面取りする裁断予定線L3,L4に重なる位置に配置されている。そして横方向の可動ピン5が支持プレート下方の連結プレートに共通して取り付けられ、シリンダユニットを駆動することで横方向の可動ピン5を同時に昇降動せしめるようにしている。 (もっと読む)


【課題】 レジストパターンの経時安定性に優れ、かつ現像欠陥低減を達成可能なレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、(B)オキシムスルホネート系酸発生剤、(D)炭素数5〜12のアルキル基を少なくとも1以上有するアミン化合物、及び(E)有機酸をメチル−n−アミルケトンを含有する有機溶剤(C)に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、前記(E)成分が2塩基酸であることを特徴とするレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】 LWRを低減させることができるレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 樹脂成分(A)および酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物において、(A)成分が、(a0)下記一般式(a0)で表される構成単位と、
【化1】


(Rは水素原子又は低級アルキル基;Yは脂肪族環式基;Zはアルコキシアルキル基を示し;aは1〜3の整数、bは0又は1〜2の整数を示し、a+b=1〜3である。)
(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(α−低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位であり、構成単位(a0)に該当しない単位とを有する高分子化合物(A1)を含有するレジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】 高い感度でレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 アルカリ可溶性の構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(a2)とを有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含み、構成単位(a2)が式(II)[Rはアルキル基、Rはアルキル基または水素原子、Xは脂肪族環式基、芳香族環式炭化水素基またはアルキル基を表す。Rのアルキル基の末端とXのアルキル基の末端とが結合して環式基を形成していてもよい。]で表される酸解離性溶解抑制基(II)を有し、酸発生剤成分(B)が式(B−1)[R10はアルキル基またはシクロアルキル基を表す。]で表されるスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩系酸発生剤(B−1)を含有するポジ型レジスト組成物。
【化1】
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【課題】 アルカリ現像液に対する親和性が高く、かつ高解像性のレジストパターンを形成できるレジスト組成物、該レジスト組成物用として好適な高分子化合物、およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式(A0−1)、(A0−2)、(A0−3)または(A0−4)[式中、Rは水素原子または低級アルキル基である。]で表される構成単位で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位(a0)と、酸解離性溶解抑制基を有する(α−低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)とを有することを特徴とする高分子化合物。
【化1】
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【課題】本発明は誘電体層側の表面の基板または電極のいずれかに銅が存在するPDPの前面板または背面板において、焼成後に誘電体層内に気泡が残らず、十分な平坦性が得られた誘電体層を用いたPDP用の前面板および背面板を提供することを目的とする。
【解決手段】
前記誘電体層の焼成後の厚さが5〜15μmであり、焼成前の誘電体層が(a)無機粉末、側鎖に含まれる水酸基の量が、モノマー構成単位あたりの側鎖に含まれる水酸基の平均個数に換算して、1モノマー構成単位あたり0.4個以上である(b)側鎖に水酸基を有するバインダー樹脂を含有することを特徴とすることにより、焼成後に誘電体層内に気泡が残らず、十分な平坦性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 プラズマアッシング処理の有無にかかわらず、ドライエッチング後の変質されたホトレジスト膜の溶解性(除去促進効果)を大幅に向上させ、かつその効果を安定して得ることができ、しかも銅配線、低誘電体層を形成した基板に用いた場合であっても、低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法の提供。
【解決手段】 (a)酸化剤(例えば過酸化水素水等)と、(b)アルキレンカーボネートおよびその誘導体の中から選ばれる少なくとも1種(例えばプロピレンカーボネート等)と、(c)水を含有するホトレジスト除去用処理液、および、該ホトレジスト除去用処理液にて、ドライエッチング処理後の変質したホトレジスト膜を有する基板、あるいは前記ドライエッチング処理後所望によりプラズマアッシング処理を行った基板、を処理し、次いでホトレジスト用剥離液で剥離処理する基板の処理方法。 (もっと読む)


【課題】 レジストパターンの断面形状の矩形性を向上させることができるレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)および酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物において、アミド結合を有する界面活性剤(D1)を含有することを特徴とするレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターンの形成方法。 (もっと読む)


【課題】優れた解像性を有し、矩形性が良好な微細パターンを形成できるとともに、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を用いたフォトレジスト組成物、および該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アルカリ可溶性基(i)として、アルコール性水酸基、カルボキシル基、およびフェノール性水酸基から選択されるいずれか一つの置換基が、下記一般式(1)
【化1】


(式中、Rは炭素数20以下の脂肪族環式基であり、nは0または1〜5の整数を表す。)で示される酸解離性溶解抑止基(ii)で保護されていることを特徴とする高分子化合物を用い、本発明のフォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を構成する。 (もっと読む)


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