【課題】 ＬＥＲの低減された高解像性のパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｃ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、２以上のフェノール性水酸基を有し、分子量が３００〜２５００である多価フェノール化合物（ａ）における前記フェノール性水酸基の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で保護されている保護体（Ａ１）を含有し、前記有機溶剤（Ｃ）がアルコールを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の
少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高い所定厚さの液体を介在させた状態で
露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて
、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用い
た高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】水素原子の濃度が低減化され、露光プロセスに用いる波長２００ｎｍ以下の露光光に対しても十分な透明性を有し、その沸点が７０〜２７０℃であるフッ素系溶剤から構成した液体を、液浸露光の浸漬液として使用する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板などをエアを介在することなく水平に固定でき、しかも容易に剥離できる基板載置ステージを提供する。
【解決手段】 基板載置ステージ１は平面視で複数の同心状領域１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅに分けられ、最中心部の領域１ａに形成した吸引件噴出孔２…の密度を外側の領域１ｂ〜１ｅの密度よりも高くしている。前記各孔２には吸引兼噴出用ノズル４が挿入され、このノズル４は基板載置ステージ１の背面側において配管に接続されている。各配管は図示しない切替弁を介して真空ポンプ或いはエアーラインに選択的につながっている。本発明では各領域毎に配管を配置し、各領域毎に吸引または噴出を制御できるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 耐エッチング性および耐熱性に優れた段状のレジストパターンを形成できるようにする。
【解決手段】（Ａ）基体１０上にホトレジスト被膜を形成する工程、および（Ｂ）選択的露光を含むホトリソグラフィ工程を経て、前記ホトレジスト被膜を、肉厚部ｒ１と肉薄部ｒ２を有する段状レジストパターンＲの形状にパターニングする工程を有するレジストパターンの形成方法であって、（ａ）ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）が８０００を超えるアルカリ可溶性ノボラック樹脂、（ｂ）ナフトキノンジアジド基含有化合物、および（ｄ）有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を用いて前記ホトレジスト被膜を形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。さらにより高屈折率な液浸媒体にも適用可能であり、そのような高屈折率液浸媒体との同時使用によりパターン精度のさらなる向上をもたらすことを可能とする。
【解決手段】レジスト膜を浸漬させる液体、特に水に対して実質的に相溶性を持たず、かつアルカリに可溶である特性を有するアクリル系樹脂成分を含有してなる組成物を用いて使用するレジスト膜の表面に保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、レジスト膜の引き置き耐性を向上させることができ、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】アルカリに可溶であるポリマーと架橋剤とこれらを溶解可能な溶媒とを少なくとも構成成分として組成物とし、この組成物を用いて使用するレジスト膜の表面に保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高解像性のレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を製造するのに好適な化合物、該高分子化合物を含有するレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される化合物［式中、Ｒは水素原子または低級アルキル基であり；Ｘは硫黄原子または酸素原子であり；Ｙは、水素原子の一部がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の鎖状、分岐状または環状のアルキル基、もしくは該アルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されている基である。］。
【化１】
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【課題】 処理レートが高く且つ均一な気相反応処理装置を提供する。
【解決手段】 気相反応処理装置のチャンバー２内には触媒体９が配置されている。触媒体９はタングステンなどの高融点金属線からなり、３本の独立した高融点金属線１０，１１，１２にて触媒体９を構成している。各高融点金属線１０，１１，１２は何れも、その直径は０．５〜５．０ｍｍ、長さは５００〜５０００ｍｍとされ、その形状は両端部を上方に折曲した横コ字状をなし、且つ３本の高融点金属線内のうち２本の高融点金属線１０，１１は平行に配置され、残りの高融点金属線１２は前記２本とは高さを異ならせるとともに平面視で前記２本と直交するように配置されている。このように配置した結果、隣接する高融点金属線１０，１１，１２の間隔は１０ｍｍ以上で且つ５０ｍｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】 電子線またはＥＵＶリソグラフィーに用いられる化学増幅型レジスト層への環境影響を低減できる材料、積層体、およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 フッ素含有ポリマー（Ｆ）を有機溶剤に溶解してなる、電子線又はＥＵＶリソグラフィーに用いられるレジスト層用の保護膜形成用材料。基板上に、基材成分（Ａ）および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト層と、前記保護膜形成用材料からなる保護膜とが順に積層されてなる積層体。基板上にレジスト層を形成した後、該レジスト層上に前記保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成し、該保護膜を介して前記レジスト層を電子線またはＥＵＶにより選択的に露光し、ＰＥＢ（露光後加熱）を施した後、前記保護膜を除去し、前記レジスト層を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、パターン形状を維持したまま均一な熱収縮率で収縮させたパターン形成を企図し、特に楕円形状のホールパターン形成において、高い熱収縮率を保ったまま、楕円の短軸径と長軸径との比率を維持した状態で熱収縮させ、微細化された楕円形ホールパターンを得ることができるパターン微細化用被覆形成剤、およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、該被覆の熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめた後、当該被覆を実質的に完全に除去して微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、（ａ）水溶性ポリマーと、（ｂ）少なくとも同一環内に２個以上の窒素原子を有する複素環式化合物の単量体を含有するパターン微細化用被覆形成剤、および該パターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成方法。 （もっと読む）