【課題】半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ従来の剥離液に比べて剥離性能を低下させることなく剥離処理を行うことのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。
【解決手段】エッチング残渣物を剥離するに際し、剥離液として、チタンおよびチタン化合物の溶解性を有する剥離液と、少なくとも第４級アンモニウム水酸化物を含有する剥離液との少なくとも２液を段階的に併用する。 （もっと読む）

【課題】 処理レートが高く且つ均一な気相反応処理装置を提供する。
【解決手段】 気相反応処理装置のチャンバー２内には触媒体９が配置されている。触媒体９はタングステンなどの高融点金属線からなり、３本の独立した高融点金属線１０，１１，１２にて触媒体９を構成している。各高融点金属線１０，１１，１２は何れも、その直径は０．５〜５．０ｍｍ、長さは５００〜５０００ｍｍとされ、その形状は両端部を上方に折曲した横コ字状をなし、且つ３本の高融点金属線内のうち２本の高融点金属線１０，１１は平行に配置され、残りの高融点金属線１２は前記２本とは高さを異ならせるとともに平面視で前記２本と直交するように配置されている。このように配置した結果、隣接する高融点金属線１０，１１，１２の間隔は１０ｍｍ以上で且つ５０ｍｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】 電子線またはＥＵＶリソグラフィーに用いられる化学増幅型レジスト層への環境影響を低減できる材料、積層体、およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 フッ素含有ポリマー（Ｆ）を有機溶剤に溶解してなる、電子線又はＥＵＶリソグラフィーに用いられるレジスト層用の保護膜形成用材料。基板上に、基材成分（Ａ）および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト層と、前記保護膜形成用材料からなる保護膜とが順に積層されてなる積層体。基板上にレジスト層を形成した後、該レジスト層上に前記保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成し、該保護膜を介して前記レジスト層を電子線またはＥＵＶにより選択的に露光し、ＰＥＢ（露光後加熱）を施した後、前記保護膜を除去し、前記レジスト層を現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ドライフィルムとしたときに、現像性、解像性および耐サンドブラスト性に優れた感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物を、（Ａ）アルカリ可溶性高分子化合物と、（Ｂ）光重合性化合物と、（Ｃ）光重合開始剤とを含有してなる感光性樹脂組成物であり、
前記アルカリ可溶性高分子化合物が、少なくとも、下記一般式（１）
【化１】


で表される酢酸ビニルから誘導される構成単位（ａ１）と、アルカリ可溶性構成単位（ａ２）とを含む共重合体であることを特徴とする感光性樹脂組成物として構成する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いることにより、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いて前記保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、高誘電率被膜、および該高誘電率被膜を備える電子部品、特に、クラック耐性に優れた高誘電率被膜、該高誘電率被膜の製造に用いる高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、および該高誘電率被膜備えた電子部品を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の高誘電率被膜形成用組成物を、（Ａ）少なくとも、
（ａ−１）下記一般式（１）および（２）
【化１】


（式中、ｎは１〜５の整数を表し、Ｒ¹は炭素数１〜５のアルキル基を表す。）
Ｒ²Ｓｉ（ＯＲ³）₃ ・・・（２）
（式中、Ｒ²は炭素数３以上のアルキル基を表し、Ｒ³は炭素数１〜５のアルキル基を表す。）で示されるトリアルコキシシラン化合物から選択される少なくとも１種と、
（ａ−２）チタンテトラアルコキシドとを含む混合物の加水分解反応による生成物と、
（Ｂ）溶剤とから構成する。 （もっと読む）

【課題】 複数回のショット（塗布）を連続して行っても、各ショットでの塗布液の吐出量を一定にすることができる塗布装置および塗布方法を提供する。
【解決手段】 １回目のショットが終了したならば、開閉弁１４，２１を閉とし、開閉弁１１を開とし、且つシリンジポンプ９を元の位置に戻し、脱気モジュール８を介して再び塗布液貯留空間Ｓ内に塗布液を送り込む。このとき塗布液貯留空間Ｓ内は外部からのエアの巻き込みを防止するため余剰圧力で陽圧になっている。 この後、開閉弁１１を閉じるとともに、分岐配管１５の開閉弁１７を開にする。すると前記したと同様に、塗布液貯留空間Ｓ内の余剰圧力は除去され大気圧に近い圧力まで低下する。このように、各ショットの直前に塗布液貯留空間Ｓ内の余剰圧力を除去することで、ショット毎の吐出前状態を常に一定の状態に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】 オキシムスルホネート系酸発生剤を含むレジスト組成物において、コーティン
グ時の酸発生剤の析出を低減する。
【解決手段】 ベース樹脂成分（Ａ）と、オキシムスルホネート系酸発生剤（Ｂ）を、メ
チルｎ−アミルケトンを含有する有機溶剤（Ｃ）に溶解してなることを特徴とするレジス
ト組成物。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＲの低減された高解像性のパターンを形成できるポジ型レジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物からなる酸発生剤、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】 酸解離性溶解抑制基を有する（α−低級アルキル）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）と、下記一般式（ａ２−１）［式中、Ｒは水素原子又は低級アルキル基であり；Ａは２価の有機基であり；Ｂは１価の有機基であり；Ｘは硫黄原子又はヨウ素原子であり；ｎは１又は２であり；Ｙは少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。］で表される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族多環式基を含む（α−低級アルキル）アクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを有する高分子化合物。
【化１】
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【課題】 パターン形状、感度、解像性の全てに優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 ２以上のフェノール性水酸基を有し、分子量が３００〜２５００である多価フェノール化合物（ｘ）における前記フェノール性水酸基の一部が酸解離性溶解抑制基で保護されている保護体（Ｘ１）を含有してなるパターン形成材料用基材（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記（Ｂ）成分が、アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩系酸発生剤（Ｂ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）