【課題】各種印刷液に対する耐性を持ち、優れた印刷適性を有する印刷版製造用感光性組成物、並びに、これを用いた感光性印刷原版積層体および印刷版を提供する。
【解決手段】少なくとも、バインダー樹脂、光重合性モノマー、および、光重合開始剤を含有する印刷版製造用感光性組成物において、バインダー樹脂として、エラストマー樹脂とテルペン樹脂とを併用することによって、各種印刷液、特に、ＵＶ硬化性インキ、油性インキ等のインキ成分や、配向膜液等の印刷液に対して、優れた耐性を有する感光性組成物を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体配線形成に用いられる被膜を形成するに好適な被膜形成用組成物と、該組成物を用いて得た被膜を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）
【化１】


（ここで、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍは０〜２０の整数である。）
で表される繰り返し単位を有するカルボシラン系ポリマー（Ａ）と、溶剤（Ｂ）とを少なくとも用いて被膜形成用組成物を構成する。また、この被膜形成用組成物から形成された塗膜を硬化して被膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 優れた解像性を有するとともに、発生する酸の強度が弱い酸発生剤を用いても良好にレジストパターンを解像できるポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（II）で表される構成単位（ａ１）を有する高分子化合物、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物。
【化１】


（式中、Ｒ^１は水素原子又は低級アルキル基である。Ｒ^３は炭素原子数１〜１５のアルキル基又は脂肪族環式基であって、エーテル結合、水酸基、カルボニル基、エステル基、およびアミノ基からなる群から選ばれる１種以上の置換基を有していてもよい。ｎ_２は０又は１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 解像度が高く、かつＬＥＲが小さいレジストパターンを形成できるようにする。
【解決手段】酸解離性溶解抑制基を含有するモノ(α−低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(ａ1)、ラクトン含有単環又は多環式基を有するモノ（α−低級アルキル）アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)、水酸基又はカルボキシル基を含有する多環の脂環式炭化水素基を有する(α−低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される前駆単位の、水酸基又はカルボキシル基の水素原子が下記一般式(I)で表される架橋基で置換され、分子内または分子間で架橋されているポリ(α−低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a4)を有する共重合体(A1)を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
【化１】


（Ａは２価又は３価の有機基、ｐは１〜３の整数、Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して、水素原子又は直鎖又は分岐状の低級アルキル基である。） （もっと読む）

支持体、その上の紫外線に感光性を有する感光性樹脂層、及びその上の紫外線吸収能及び非紫外線吸収能を有するマスク材層であって、該紫外線吸収能が非紫外線の照射を受けると失活しうるマスク材層を含む、凸版印刷原版。該原版を用いた凸版印刷版の製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板とレジスト層との間に設けることで、エキシマレーザー光などの短波長光を光源としても、パターン下部に発生する裾引きやくびれなどの現象を起こすことなく、断面形状が矩形のレジストパターンを与えるリソグラフィー用下地材を提供する。
【解決手段】 （Ａ）ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基あるいはその両方で置換されたアミノ基を少なくとも２個有する含窒素化合物、（Ｂ）脂肪族カルボン酸又はスルホン酸、アルキルベンゼンカルボン酸又はスルホン酸及び無機硫黄酸の中から選ばれた少なくとも１種の酸、及び（Ｃ）吸光性化合物を組み合わせて、リソグラフィー用下地材とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＧ膜のＳi原子と有機基（例えばＣＨ₃基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】 低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Torrの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃuを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 平坦化処理に用いる有機ＳＯＧ膜のＳi原子に結合している有機基（例えばＣＨ₃基）のアッシング時における分解を抑制する。
【解決手段】 下層配線上に直接若しくはヒロック防止膜等の所定の膜を介して有機ＳＯＧ膜又はポリンラザンを含んでなる塗布液から形成されるＳＯＧ膜を形成し、この後、エッチバックを行わずに、該ＳＯＧ膜上に上層配線を形成し、更にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行ってビアホールを形成し、次いで、酸素ガスから誘導されるイオン又はラジカルを主反応種としたプラズマによるアッシング処理を０．０１Torr〜３０．０Torrの圧力雰囲気下で行う。 （もっと読む）