説明

東京応化工業株式会社により出願された特許

1,401 - 1,407 / 1,407


【課題】 基板からの反射光を十分に抑制し、優れた反射防止効果を示すとともに、段差基板に対するコンフォーマル性及び塗布性能がよく、しかも昇華物の発生しにくいリソグラフィー用下地材を提供する。
【解決手段】 (A)ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基あるいはその両方で置換されたアミノ基を少なくとも2個有する含窒素化合物の中から選ばれた架橋剤、(B)少なくとも1個の水酸基を有するビスフェニルスルホン類及びベンゾフェノン類の中から選ばれた少なくとも1種のヒドロキシ化合物とアクリル酸又はメタクリル酸とのエステルを単量体の少なくとも一部として用いて得た重合体又は共重合体及び場合により(C)高吸光性物質を含有してなるリソグラフィー用下地材である。 (もっと読む)


【課題】 基板とレジスト層との間に設けることにより、基板からの反射光を十分に抑制でき、インターミキシングやノッチングを生じることなく、マスクパターンに対して忠実なレジストパターンを与え、しかも選択比の大きなリソグラフィー用下地材及びそれを用いたリソグラフィー用レジスト材料を提供する。
【解決手段】 (A)少なくとも1個のアミノ基又はアルキル置換アミノ基をもつベンゾフェノン系及びアゾメチン系化合物の中から選ばれた紫外線吸収剤と、(B)ヒドロキシアルキル基やアルコキシアルキル基で置換されたアミノ基を少なくとも2個有する含窒素化合物の中から選ばれた架橋剤を、重量比1:1ないし1:10の割合で含有するリソグラフィー用下地材、及びこの下地材の層を基板上に設け、その上に放射線感応性レジスト層を設けて成るリソグラフィー用レジスト材料である。 (もっと読む)


【構成】 (a)少なくとも2個の架橋形成性官能基をもつトリアジン化合物、(b)高吸光性物質、及び場合により(c)アルカリ不溶性アクリル系樹脂を含有して成るリソグラフィー用下地材、並びに、基板上に、この下地材から成る層及びレジスト層を順次設けた多層レジスト材料である。好適には、(a)成分はヒドロキシル基及び/又はアルコキシル基をもつトリアジン化合物、特にメチロール基及び/又はアルコキシメチル基で置換されたメラミン又はグアナミン、(b)成分はベンゾフェノン系、ジフェニルスルホン系、ジフェニルスルホキシド系のもの、(c)成分はグリシジル基をもつアクリル系樹脂である。
【効果】 基板からの反射光を十分に抑制でき、インターミキシング層の発生がなく、ノッチングが起らず、マスクパターンに対する寸法精度に優れるとともに、断面が矩形で高解像度及び高アスペクト比のレジストパターンを与える。 (もっと読む)


【構成】 水溶性膜形成成分とフッ素系界面活性剤とを含有して成るレジスト用塗布液、及び該塗布液から成る干渉防止膜を表面に有するレジスト材料。
【効果】 リソグラフィー技術における干渉作用が低減されるため、結果としてパターン寸法精度の優れたレジストパターンを形成することができる。 (もっと読む)


【構成】 水溶性膜形成成分とプロトン発生物質とを含有して成る化学増幅型レジスト用塗布液組成物である。
【効果】 リソグラフィー処理における干渉を防止するとともに、プロトンを補給する効果を有し、断面形状に優れたパターンを与えることができる。 (もっと読む)


【構成】 グリシジルメタクリレートとメチルメタクリレートとの共重合体から成るか、又はこれに紫外線吸収剤を含有させて成るリソグラフィー用下地材、及び(A)基板上に前記下地材から成る第一層を形成する工程、(B)この第一層の上にポジ型レジストから成る第二層を設けたのち、露光、次いで現像処理してパターン化する工程、(C)該パターン化したレジスト層をケイ素含有蒸気によりシリル化する工程、及び(D)このシリル化処理されたレジストパターンをマスクとして酸素系ガスを用いたドライエッチング法により、該下地材から成る第1層をパターン化する工程を順次施し、パターンを形成する方法である。
【効果】 断面が矩形で高解像度及び高選択比のレジストパターンが簡素化されたプロセスにより容易に得られる。 (もっと読む)


【目的】 スピンナーを備えた塗布装置のカップを回転させた場合にカップ内に乱流が生じないようにする。
【構成】 スピンナー装置の中空回転軸12上端にインナーカップ20の底板21を固着し、この底板21の上面周縁に環状の壁体22を立設し、底板21にはガラス基板と略相似形の台部25を設け、この台部25の中央には開口26を形成し、また台部25の上面外周にはガラス基板Wの下面周縁に当接する突条27を形成し、この突条27上面にシール28を設けている。 (もっと読む)


1,401 - 1,407 / 1,407