【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）（ただし前記樹脂成分（Ｃ）を除く。）と、を含有し、前記樹脂成分（Ｃ）中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が２０モル％以上であることを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】焦点深度幅（ＤＯＦ）特性及びマスクエラーファクタ（ＭＥＦ）のいずれも優れたレジスト組成物、並びにレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、第四級窒素原子を有するカチオン部と式（ｄ１−ａｎ１）又は式（ｄ１−ａｎ２）で表されるアニオン部とからなる化合物（Ｄ１）とを含有するレジスト組成物。式中、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の環状の脂肪族炭化水素基である。Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基である。
［化１］
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【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と酸性化合物成分（Ｇ）とを含有するレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、を露光する工程（２）と、ベークを行い、露光部において光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、未露光部において酸性化合物成分（Ｇ）の作用により基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型パターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法の工程（１）で用いられるレジスト組成物であって、酸性化合物成分（Ｇ）が、ｐＫａが７以下の含窒素カチオンと対アニオンとからなる化合物（Ｇ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、支持体上に膜厚均一性の高いレジスト膜を形成できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分とを、特定の有機溶剤成分（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜にプレベークを行わず、該レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｂ１−１）で表される化合物。Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。Ｒ^２はＲ^５３−Ｒ^５４−（式中、Ｒ^５３は炭素数２〜１０のアルケニル基またはアリール基であり、Ｒ^５４は炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。）で表される基であり、ｎは０であり、Ｙ^１はフッ素置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキレン基である。
［化１］
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【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、かつ、露光により酸を発生する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、質量平均分子量が２００００以下である重合体を含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）と、酸性化合物成分（Ｇ）と、アミン（Ｄ）とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜を露光する工程（２）と、ベークを行い露光部において光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、酸性化合物成分（Ｇ）とを中和させ、未露光部において酸性化合物成分（Ｇ）の作用により基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、を含むレジストパターン形成方法の工程（１）で用いられ、酸性化合物成分（Ｇ）１モルに対してアミン（Ｄ）を１モル以上含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトを低減可能なレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつフッ素原子を含む構成単位（ｆ１）を有する重合体；該重合体は主鎖の少なくとも一方の末端に式（Ｉ−１）で表される基を有することが好ましい；該重合体を含有するレジスト組成物；該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
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【課題】基板を収容するカップ周辺における、処理液の散乱による汚染を防止する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板１２の上方に位置し、基板１２上を流れる気体を基板１２の外周上方から排気する上部排気口１と、上部排気口１から基板１２の方向に延伸するように設けられ、基板１２上を流れる気体が上部排気口１に流れ込むように、当該気体の流れる向きを変更する第１遮蔽部２とを備えている。 （もっと読む）