説明

東京電波株式会社により出願された特許

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【課題】二酸化チタンソーラーセルの変換効率を高める。
【解決手段】
FTO等の透明導電膜が形成された2枚の基板の透明導電膜同士を向かい合わせて配置し、他方の基板上に白金膜等の導電膜が形成されて対向電極とされ、2枚のガラス基板の間に沃素係等の電解質が充填されたソーラーセルの対向電極側に二酸化ケイ素粒子を配置する。
光入射側の面の基板上に多孔質二酸化チタンが配置されて光電極とし、さらに多孔質二酸化チタン焼結体の空孔表面にルテニウム錯体色素を吸着させる。
二酸化ケイ素粒子はフッ化水素酸等のハロゲンか水素酸で処理及び/又は微粉末化され、望ましくは粒径が500nm以下である。 (もっと読む)


【課題】低損失で省スペースの高周波信号合成分配器および切替器を提供する。
【解決手段】単一の伝送路5の一端に複数の分岐伝送路2、3、4の一端が接続され、前記単一の伝送路5の他端が出力端となる場合は前記分岐伝送路2、3、4の他端がそれぞれ入力端となり、前記単一の伝送路5の他端が入力端となる場合は前記分岐伝送路2、3、4の他端がそれぞれ出力端となることで、高周波信号の電力を合成または分配するようにした高周波信号合成分配器1であり、前記分岐伝送路2、3、4の長さがいずれも動作周波数の半波長の長さを有する。 (もっと読む)


【課題】中軸の移動による圧力センサの誤動作等を生じさせずに、より精度の高い燃焼圧測定を可能とするグロープラグを提供すること。
【解決手段】グロープラグ1は、略筒状のハウジング10と、ハウジング10に取り付けられた保持部材20と、保持部材20に保持された軸部30と、センサモジュール50とを備えている。軸部30はハウジング20に対して相対移動不可となるように保持部材20に保持されている。保持部材20の底面24はハウジング10の内部に位置しており、その保持部材20の底面24にはセンサモジュール50の上面50aが固定されている。センサモジュール50の下面50bは、ハウジング10内に位置している。このセンサモジュール50は、その下面50bにて内燃機関内の燃焼圧を直接的又は間接的に受けることにより、燃焼圧を検出するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】指向性のシャープなアンテナ素子を複数個並べ、できるだけ小型の無指向性のセクタアンテナを実現する。
【解決手段】円柱状筒型であるアンテナ取付部と、方形の反射器と、方形の放射器とよりなる一対のアンテナ素子と、前記アンテナ取付部の周囲に3個の前記一対のアンテナ素子を略120°で配置し取付ける。 (もっと読む)


【課題】処理対象となる基板を移動させつつ、その基板温度を正確に測定することができる温度測定システムを提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Wの主面に水晶振動子を備える検温素子30を装着し、その基板Wを移動させつつ、送受信アンテナ20の下方検出エリアを検温素子30が通過したときに送受信アンテナ20と検温素子30との間で無線で送受信を行い、そのときの送受信周波数の変化率から基板Wの温度を測定する。水晶振動子を用いて基板Wの温度を測定しているため、非常に高い精度にて温度測定を行うことができる。また、検温素子30は接着剤によって着脱自在に基板Wに接着されるものであるため、温度測定専用基板ではなく、実際に処理対象となる基板Wに検温素子30を接着してその温度を測定することができる。 (もっと読む)


【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板2は、IV族元素であるSi、C、Ge、Sn及びPbの不純物濃度が、1×1017cm−3以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板2は、I族元素であるLi、Na、K、Rb及びFrの不純物濃度が、1×1016cm−3以下の条件を満たす。 (もっと読む)


【課題】例えば水晶などの圧電振動片を容器内部に収納した圧電振動子において、圧電振動片の励振電極と容器側の電極との接合を導電性接着剤で行っていた従来例に対して製品の信頼性向上、及び使用温度範囲の拡大化を図る。
【解決手段】圧電振動片の励振電極と容器側の電極との接合をワイヤボンディングにより行う。これによって導電性接着剤を用いる場合のガスの発生を防止でき圧電振動子の共振周波数特性の経時変化を防止して製品の信頼性を高めることができる。また導電性接着剤を用いる場合のように使用温度範囲が溶剤の耐熱性に左右されてしまうといった問題も解消でき、使用温度範囲の拡大が図られる。 (もっと読む)


【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料26および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても1種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 (もっと読む)


【課題】不純物濃度が低く且つ高い抵抗率の酸化亜鉛(ZnO)単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶を水熱合成法で育成する場合、溶解液としてアルカリ溶液を使用する為、育成された結晶中にLi等のアルカリ金属が高濃度に混入する。そこで従来からアルカリ金属を除去するために結晶を熱処理する方法があるが、高温処理しなければならないため結晶が低抵抗率化する。そこで、高抵抗率高純度酸化亜鉛結晶を製造する方法として酸化亜鉛結晶又は酸化亜鉛単結晶基板41の対向する一対の面に金属電極膜54を形成又は金属箔を密着させ、上記よりも低い温度下で電界をかけることで、高抵抗率を維持しながら結晶中の不純物を低減する。 (もっと読む)


【課題】リチウム濃度が十分に低く、高い結晶度を持った酸化亜鉛単結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長温度の変動幅を5℃以内に抑えるか、あるいは、300〜370℃の範囲内の温度にて、リチウム濃度が1ppm(重量基準)以下の溶液を用いて水熱合成法によって酸化亜鉛結晶を成長させることにより、結晶中のリチウム濃度が5×1014atoms/cm3以下で、(0002)面反射におけるX線ロッキングカーブ測定による半値幅が50秒以下である酸化亜鉛単結晶が得られる。 (もっと読む)


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