【課題】配線中に残留した不純物金属の濃度が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の形成された絶縁膜の表面に所定の金属元素を含む前駆体膜を形成し、前駆体膜上に配線形成膜を堆積させ、酸化雰囲気下で熱処理を施すことにより、前駆体膜と絶縁膜を反応させ、その境界面に所定の金属元素と絶縁膜の構成元素を含む化合物を主成分とする自己形成バリア膜を形成し、未反応の所定の金属元素を配線形成膜内に拡散移動させて配線形成膜表面で雰囲気中の酸素と反応させ、未反応金属酸化膜として析出させ、未反応金属酸化膜を除去し、未反応金属酸化膜を除去する工程の後、配線形成膜上に、配線形成膜と同一の材料を堆積させて、配線形成膜を積み増した後、凹部外の絶縁膜が露出するまで配線形成膜を平坦化して配線構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】起動動作時における電流の増大を必要最小限に抑え、安定した起動動作が可能で、小型な低消費電力回路を提供する。
【解決手段】第１発振トランジスタＰ31、第１発振トランジスタＰ31のドレイン端子にドレイン端子を接続した第２発振トランジスタＮ31、第１容量Ｃ2、第１容量Ｃ2に一方を接続し、他方を第１発振トランジスタＰ31と第２発振トランジスタＮ31の接続ノードに接続した圧電振動子Ｑ1、一方を圧電振動子Ｑ1に接続し、他方を第１発振トランジスタＰ31のゲート端子に接続した帰還抵抗回路Ｚ3、第１発振トランジスタＰ31のゲート端子ＶP1に第１端子を接続し、接続ノードに第２端子を接続した第１振幅制限素子Ｐ32、第２発振トランジスタＮ31のゲート端子ＶN1に第２端子を接続し、接続ノードに第１端子を接続した第２振幅制限素子Ｎ32とを備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリに格納された情報が外部へ漏洩するのを防ぐことによりセキュリティ機能を向上させる。
【解決手段】ネットワークを介して管理サーバ３００と接続可能な記憶装置１であって、不揮発性メモリ２００と、不揮発性メモリ２００を制御するコントローラ１００とを含む。コントローラ１００は、固有のＩＤを管理サーバ３００に送信する送信部１４２と、ＩＤに応じて管理サーバ３００から送信される使用権を判定する判定部１４３と、使用権が認められない場合に、外部からのアクセスを禁止する禁止処理部１４４とを含む。 （もっと読む）

【課題】メモリへの書き込みにエラーが発生しても、書き込もうとしたデータが消失することを防ぐことのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】キャッシュメモリ１が、キャッシュロック機能と主メモリへの書き込み時にそのデータを有するキャッシュラインをロックする機能を有し、書き込み履歴バッファ２が、キャッシュメモリ１から主メモリ２００への書き込みが行われたキャッシュラインの情報を記憶し、メモリコントローラ３が、キャッシュメモリ１から主メモリ２００への書き込み時のエラー発生有無を検証して書き込み検証信号を出力し、キャッシュロック制御部４が、書き込み検証信号が主メモリ２００への書き込みが正常であることを示すときは、書き込み履歴バッファ２に記憶されているライン情報を検索して、書き込みを行おうとしたデータが格納されているキャッシュラインを特定し、そのキャッシュラインのロック解除をキャッシュメモリ１へ要求する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上に積層された半導体チップの放熱を改善することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】周辺部に接続パッド２２を有するパッケージ基板２１、上面の周辺部に形成された接続パッド１２、及び上面の接続パッド１２より内側に形成され、接続パッド１２に接続された接続パッド１３を有し、下面をパッケージ基板２１に固定された半導体チップ１１、下面の最も外側の周辺部を取り巻く１列が、電源または接地に接続された接続パッド１６を有し、下面の接続パッド１６の列より内側に、信号線に接続された接続パッド１７を有し、接続パッド１６及び接続パッド１７が半田バンプ２５を介して対応する位置の接続パッド１３に電気的に接続且つ固定された半導体チップ１５、並びに、接続パッド１６が半田バンプ２５及び接続パッド１３を経由して接続された接続パッド１２と、接続パッド２２とを電気的に接続する金属細線２７を備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が変動した場合でも発振周波数のばらつきを抑制する。
【解決手段】電圧制御発振器４には電圧電流変換回路１０、駆動電流補整回路１１、及び発振回路２０が設けられる。電圧電流変換回路１０は制御電圧Ｖｖｃｏが入力され、制御電圧Ｖｖｃｏに応じた電圧電流変換された駆動電流を生成する。高電位側電源ＶＤＤと低電位側電源ＶＳＳの間の電源電圧の変動が発生した場合、駆動電流補整回路１１は電圧電流変換回路１０から出力される駆動電流の補整を行う。駆動電流補整回路１１により補整された駆動電流が発振回路２０に供給され、発振回路２０で制御電圧Ｖｖｃｏに応じた発振周波数が生成される。 （もっと読む）

【課題】少ない消費電流で故障検出が行える動作モードを有する発光素子のドライブ回路を提供する。
【解決手段】外部電源１１と出力端子１２との間に接続される発光素子１３を駆動する電流Ｉｃを制御する電流制御回路１４と、出力端子１２の電圧をモニターして、発光素子１３の不点灯状態を検出し、検出結果を外部に出力する故障検出回路１５と、を具備し、電流制御回路１４は、発光素子１３をオンおよびオフしてパターンを表示する第１動作モードのときに、発光素子１３を第１の電流Ｉｃ１で駆動し、発光素子１３の故障検出を行う第２動作モードのときに、発光素子１３を第１の電流Ｉｃ１より小さい第２の電流Ｉｃ２で駆動する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置設計時の自動配置配線における配線ショートによるセル再配置を抑制する。
【解決手段】本発明のスタンダードセルおよびそれを用いた自動配置配線方法は、回路素子が配置される矩形の素子領域１１と、素子領域１１の対向する２辺と同じ幅で対向する２辺に近接して設けられ、上層配線が配置される矩形の追加配線領域１２ａ、１２ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを分けることによって性能を引き出すことが可能なスタック形ＭＣＰの半導体装置を提供する。
【解決手段】接続パッド３２を有する実装基板３１、上面に論理回路が形成され、下面を実装基板３１上に固定された半導体チップ１１、下面に、受動素子を有するＰＬＬ２０が形成され、下面を、半田バンプ３５を介して半導体チップ１１の上面に電気的に接続且つ固定された半導体チップ１５、及び、半導体チップ１１と実装基板３１の接続パッド３２とを電気的に接続する金属細線３７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】出力信号にリセットノイズが含まれなくなり、信号変換レートを速くしようとした時でもリセットノイズによる制限を受けなくなり、信号変換レートの速い出力信号が得られる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２つの電荷電圧変換部１４、１８を有し、位相の異なる２相のリセットパルス信号ＣＫ１、ＣＫ２に基づいて各電荷電圧変換部１４、１８をリセットし、それぞれの出力信号をスイッチ回路３０で交互に切り換えて出力する。 （もっと読む）