説明

東洋炭素株式会社により出願された特許

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【課題】耐摩耗性、対基体付着性に優れたガラス状炭素被覆炭素材の提供。
【解決手段】炭素材から成る基体の表面層にガラス状炭素層を有し、このガラス状炭素層の表面が、ポリカルボジイミド樹脂を含む溶液を用いて形成され、X線光電子分光法により測定したO1S及びC1Sピークの面積比O1S/C1Sを0.1〜0.2とする表面性状であることを特徴とするガラス状炭素被覆炭素材。平均気孔半径が0.1〜5.0μmの炭素材の表面層に、ポリカルボジイミド樹脂を有機溶媒に溶解した溶液を1〜50cpの粘度に調整した前駆体溶液を含浸又は/及び塗布し、乾燥後、不活性雰囲気中又は真空雰囲気中で加熱硬化、更に焼成して、炭素材から成る基体の表面層に1〜200μmの厚みのガラス状炭素層を有するガラス状炭素被覆炭素材を製造する。 (もっと読む)


【課題】フィルターの寿命を長寿命化させることによって、圧力調整弁を長期間保護するガス発生装置を提供する。
【解決手段】電解槽内のフッ化水素を含む電解浴を電気分解してガスを発生するガス発生装置であって、ガスの発生に随伴する電解浴の微粒子やミストを除去するフィルターを内部に有するガスの配管と、前記配管の一部の温度を調節する温度調節機構とを備え、前記フィルターが、前記配管全体のうち、前記温度調節機構により温度調節された部分で液化されたフッ化水素と接触する位置に配置されてなるものである。 (もっと読む)


【課題】 従来の導電性ダイヤモンド電極の欠点であるダイヤモンド触媒層の剥離を抑制して長寿命化を達成する。
【解決手段】 炭素質材料を含む導電性基材2、該導電性基材表面に被覆した導電性ダイヤモンド触媒層3及び前記導電性基材表面の露出部分に形成されたフッ化炭素6を含んで成る導電性ダイヤモンド電極1。形成されるフッ化炭素が導電性基材と電解液を接触を防止して基材の腐食が抑制され長寿命化が達成できる。 (もっと読む)


【課題】厚さ方向に比べて面方向の熱伝導率が大きく、かつ、熱伝導率が均一に保たれており、しかも、安価に効率よく生産することができる膨張黒鉛シートを提供する。
【解決手段】膨張黒鉛のみから形成されたシートであって、シートの面方向の熱伝導率が、350W/(m・K)以上となるように調整されている。シートが膨張黒鉛のみから形成されたものであり、面方向の熱伝導率が350W/(m・K)以上であるから、その厚さ方向の熱伝導率とその面方向の熱伝導性の差が非常に大きくなっており、熱の拡散移動に適したシートとすることができる。また、シートの製造を容易かつ短時間で行うことが生産性を高くすることができ、シートを安価に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】ウェハ周辺のSiとCとの濃度を一定に保ち、かつ、パーティクルの発生を抑制することにより、高品質のSiC半導体結晶を得ることができるサセプタを提供する。
【解決手段】ウェハを載置する部分の少なくとも一部が、炭化タンタル又は炭化タンタル被覆黒鉛材である、炭化珪素被覆黒鉛材のサセプタである。前記ウェハを載置する部分が分離自在な部材であってもよい。また、前記ウェハを載置する部分の周辺部が分離自在な炭化珪素被覆黒鉛材であってもよい。 (もっと読む)


【課題】特定の金属フッ化物を炭素材料と混合し焼成する工程を経るだけで組織に気孔の少ない比較的機械的強度の高い炭素電極を製作し、NH4F−KF−HF系、NH4F−HF系のいずれであっても炭素電極が分極することなく長寿命を示す三フッ化窒素ガス製造用炭素電極を提供する。
【解決手段】本発明の三フッ化窒素ガス発生用炭素電極は、平均気孔径が0.5μm以下の緻密な組織からなるものであり、炭素質材料と、前記炭素質材料の焼成温度以上の融点を持つフッ化マグネシウム、フッ化アルミニウムの内から選ばれる少なくとも1種以上のものからなることが好ましく、前記フッ化マグネシウム、フッ化アルミニウムの内から選ばれる少なくとも1種以上のものの含有率は、3〜10wt%である三フッ化窒素ガス製造用炭素電極。 (もっと読む)


【課題】半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。
【解決手段】平滑性(表面粗さ)が±150nm以内である炭化珪素単結晶及び当該材料を得るために、三フッ化窒素を含有するガスをプラズマ励起し炭化珪素単結晶の表面を平滑化する。なお、三フッ化窒素ガスの圧力が0.5〜10Paであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】サセプタにおけるザグリ内に載置されたウェハが回転や移動等しても、ウェハの切り欠き部の端部や、ザグリ内壁の破損を防止するサセプタを提供することである。
【解決手段】本発明は、円板の一部に平らな面を有する切り欠き部を備えるウェハに熱処理を行う際、前記ウェハを載置する窪みを備えるサセプタであって、前記窪みの内側に、前記切り欠き部の平らな面を接触させる凸部が形成されたものである。前記凸部は、くの字形状であることが好ましく、前記切り欠き部と面接触自在の平面を備えるものであることが好ましい。さらには、前記凸部の先端部が円弧形状であることが好ましい。また、本発明のサセプタは、ウェハにエピタキシャル成長を行ったり、ウェハに表面改質、表面清浄あるいはアニーリングを行ったりする際に使用されることが好ましい。 (もっと読む)


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