【課題】 高輝度で、長時間の使用によっても発光特性の劣化が少ない白色系の発光
ダイオードを提供する。
【解決手段】 本発明は、発光層が半導体である発光素子と、該発光素子によって発光された光の一部を吸収して、吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光するフォトルミネセンス蛍光体とを備えた発光装置において、前記発光素子の発光層が窒化物系化合物半導体からなり、かつ前記フォトルミネセンス蛍光体が、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素とを含んでなるセリウムで付活されたガーネット系蛍光体を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光領域を略円形とする場合であっても発光領域内の色ムラが抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】 基板上の載置領域に配置された複数の発光素子１０と、複数の発光素子１０を囲むように形成された枠体１４と、を有し、載置領域２４は、複数の発光素子１０の最外周の辺で規定されており、枠体１４は、載置領域２４に沿ってその内壁面１６が平面視においてジグザグ形状とされる領域を有していることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振が得られる外部共振器型レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置(100)は、端面発光型の発光素子(10)と、液晶レンズ(23)を含み前記発光素子(10)の端面から出射される光を屈折させるレンズ部(20)と、前記レンズ部(20)から出射される光を回折し、その回折光の一部を前記発光素子(10)に帰還させ該発光素子(10)においてレーザ光を生じさせる回折光学素子(30)と、前記レーザ光の縦モードの単一性及び／又は光出力を監視するレーザ光監視部(40)と、前記レーザ光監視部(40)で得られる前記縦モードの単一性及び／又は光出力に基づいて前記液晶レンズ(23)を制御する液晶制御装置(25)と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐熱水性を有する高性能ＳｍＦｅＮボンド磁石を提供する。
【解決手段】 本発明は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）とポリアミド１２（ＰＡ１２）とのポリマーアロイと、少なくともＳｍＦｅＮ磁性粉末を含む磁性粉末からなるボンド磁石であり、ＰＰＳとＰＡ１２の超微細海島構造が形成されていることを特徴とする。本発明により、１２ＭＧＯｅ（＝９５ｋＪ／ｍ^３）を超える最大エネルギー積ＢＨｍａｘと、ＰＰＳ単体でのボンド磁石と同等の耐熱水性を有する高性能ＳｍＦｅＮボンド磁石を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が積層された半導体層と、前記ｎ型半導体層に接続されたｎ側電極と、前記ｐ型半導体層上にｐ側透光性電極を有し、該ｐ側透光性電極に接続されたｐ側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記半導体発光素子を上面から見て、前記ｐ側電極は、前記ｎ側電極を囲むように形成されたｐ側延伸部とｐ側パッド電極とを有し、前記ｎ側電極は、ｎ側パッド電極と、前記ｐ側パッド電極方向に延びるｎ側第１延伸部と、を有し、前記ｐ側延伸部は、前記ｐ側パッド電極から延伸するｐ側第１延伸部と、前記ｐ側第１延伸部から延伸するｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第２延伸部から分岐して延伸するｐ側第３延伸部と、前記ｐ側第３延伸部から延伸するｐ側第４延伸部と、を備え、前記ｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第４延伸部と、前記ｎ側第１延伸部とが平行である。 （もっと読む）

【課題】 放熱性の向上と設計自由度の確保を両立させた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁性の支持基板２と、支持基板２の上面に設けられた第１上面電極４ａ及び第２上面電極４ｂと、支持基板２の下面に設けられた下面電極５ａ、５ｂと、支持基板２の内部に埋設されたヒートシンク３と、を有する実装基板１と、第１電極１５ａ及び第２電極１５ｂを有し、少なくとも第１上面電極４ａの上に実装された半導体素子１０と、を備え、実装基板１の内部に設けられ、第１上面電極及び下面電極を接続する導電性材料６を有し、導電性材料６は、ヒートシンク３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 反射膜の劣化を抑制することで高い光出力を維持し、かつ通電部位を保護し反射膜の劣化による断線を防止することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 図１の発光装置１００は、凹部を有するパッケージ３と、凹部内に載置された発光素子１と、凹部内において部分的に露出した第１導電部材２−１及び第２導電部材２−２と、第１導電部材２−１の上面を被覆する保護膜５と、凹部内に充填された充填部材６と、を備える。第１導電部材２−１は、第１基材２−１ｂを有すると共に、上側から見て第１基材上に第１反射膜２−１ａが設けられた第１領域Ａと第１基材上に第１反射膜が設けられていない第２領域Ｂとを有する。さらに、発光素子１は、第１反射膜２−１ａと第１ワイヤ４−１で接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性電極との高い密着性と、均一な発光強度と、低い駆動電圧とを実現する。
【解決手段】透光性電極６にｐ側パッド電極７ｐが載置される凹部が形成され、凹部の底面の透光性電極６の厚みが、凹部以外の透光性電極６の厚みの０％より大きく７０％以下である半導体素子１０とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 発光素子と、前記発光素子の電極の表面に分配して設けられた導電膜と、
配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと接合してお
り、前記電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積
より大きいことを特徴とし、前記発光素子は、同一面側に平面積が異なる正負の電極を有
し、前記導電膜は、前記正負の電極のうち少なくとも平面積の大きい電極の表面に形成さ
れていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
ｐ側窒化物半導体層における電流拡散性を向上させた窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｐ型窒化物半導体層において、ｐ型コンタクト層と、前記ｐ型コンタクト層と組成の異なるＡｌＮ層とを有し、前記ｐ型コンタクト層と前記ＡｌＮ層とが接していることを特徴とする窒化物半導体素子。 （もっと読む）