【課題】より小型化された発光装置を、安定的にかつ確実に実装基板に実装することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子２と、半導体発光素子２と電気的に接続された第１及び第２導電部材１１、１２を備え、半導体発光素子２を支持する基材１とを含み、基材１が、長手方向及び短手方向にそれぞれ延長して対向する２対の側面１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆを有し、記半導体発光素子１支持面に対する裏面１ｂであって長手方向に延長して対向する少なくとも一方の側面に、少なくとも１つの凹部１６を備え、凹部１６は、基材１の半導体発光素子２支持面から裏面１ｂに貫通するスルーホール１５を有する発光装置であって、凹部１６は、長手方向に延長して対向する一対の側面に跨って配置されてなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】より小型化された発光装置を、安定的にかつ確実に実装基板に実装することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子２と、半導体発光素子２よりも小さな平面積を有する保護素子１８と、半導体発光素子２及び保護素子１８を支持する基材１とを含み、基材１の半導体発光素子２を支持する面から裏面に貫通するスルーホール１５を有する発光装置であって、半導体発光素子２、保護素子１８及びスルーホール１５の重心が直線状に配置されてなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】より小型化された発光装置を、安定的にかつ確実に実装基板に実装することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上面に形成された窪み部１３と、対向する少なくとも一対の側面１ｃ、１ｅと、裏面に形成され、対向する一対の側面のいずれか一方の側面１ｃ、１ｅに至る凹部１６と、窪み部１３内から裏面の凹部１６内に貫通するスルーホール１５とを備える基材１及び半導体発光素子２を含む発光装置であって、基材１の一対の側面１ｃ、１ｅは、裏面側に垂直部１ｃｓ、１ｅｓ及び上面側にテーパー部１ｃｔ、１ｅｔを備えており、垂直部１ｃｓ、１ｅｓは、上端が窪み部１３の底面より上面側に配置され、垂直部１ｃｓ、１ｅｓの高さＨｓ及び凹部１６の深さＤｏが、Ｈｓ−Ｄｏ＞Ｄｏを満たす発光装置。 （もっと読む）

【課題】
コストおよび閾値電圧が上がることなく、静電耐圧特性を向上させた発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層、およびｐ側窒化物半導体層が順に積層され、前記ｎ側窒化物半導体層上および前記ｐ側窒化物半導体層上に、それぞれｎ側電極およびｐ側電極が設けられた発光素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、前記ｎ型電極と接する上部ｎ型コンタクト層と下部ｎ型コンタクト層とで構成されるｎ型コンタクト層を有し、前記上部ｎ型コンタクト層と前記下部ｎ型コンタクト層との間に、前記上部ｎ型コンタクト層および前記下部ｎ型コンタクト層のいずれとも組成の異なるＡｌＮ層が設けられており、前記ＡｌＮ層と前記ｎ側電極との間の距離が、前記ＡｌＮ層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする、発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた窒化物半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ側領域１０、活性領域２０及びｐ側領域３０を順に備える。ｎ側領域１０は、ホールをブロックすることが可能なホールブロック層１１を有し、ｐ側領域３０は、電子をブロックすることが可能な電子ブロック層３１を有する。また、ホールブロック層１１は、電子ブロック層３１よりもバンドギャップエネルギーが大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光装置の輝度ムラおよび発光装置間の輝度分布の差を抑制することができる発光装置を提供する。
【解決手段】
発光装置１００は、基板１の実装領域１ａ上に複数の発光素子２が複数の行方向および列方向に配置されており、複数の発光素子２が、第１発光素子２１と、当該第１発光素子２１よりも低出力である第２発光素子２２と、からなり、実装領域１ａ上には、複数の第１発光素子２１と複数の第２発光素子２２とが、行方向または列方向に、同数交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 高い放熱性を維持しつつ、装置の小型および薄膜化、回路基板への実装等にお
いて、高い自由度を備えることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子と、その半導体素子を配置するパッケ
ージ１０と、を備えた半導体装置であって、上記パッケージ１０は、上記半導体素子に接
続される導体配線の下に熱伝導性部材１２を有しており、その熱伝導性部材１２は、上記
半導体素子の下に配置されており、上記パッケージ１０を構成する絶縁性部材の内部に埋
設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】色ムラの少な発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、発光層を有する半導体層を具備する発光素子と、発光素子上に、発光層からの光を変換する波長変換部材が含有された被覆部材と、を有する被覆部材付き発光素子であって、発光素子は、半導体層の下面に反射部材を有し、被覆部材は、その縁部が、発光層の側面よりも下側で、且つ、発光素子の下面よりも上側に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発光強度の高い赤色発光のフッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ４価Ｍｎで付活された、Ｋ_ｘＮａ_ｙ［Ｍ_１−ａＭｎ^４＋_ａＦ_６］［ＢＦ_４］_ｂ（ただし、Ｋはカリウム、Ｎａはナトリウム、Ｂはホウ素、Ｆはフッ素であり、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの第４族元素及びＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎの第１４族元素から選ばれる少なくとも１種以上である。ｘ、ｙ、ａ、ｂは、０．６≦ｘ≦１．５、０．９≦ｙ≦１．６、０＜ａ≦０．２、０．２≦ｂ≦１．０である。）で表されるフッ化物蛍光体である。フッ化物蛍光体は、ＣｕのＫα線を用いた粉末Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）において、２１．６°〜２２．１°、２７．７°〜２８．２°、２９．３°〜２９．８°、３９．０〜３９．５°のいずれかに最大ピークを示し、かつ、それぞれの強度が最大ピークの１／３以上の強度を有する。 （もっと読む）

【課題】発光装置の配光特性に影響を与えることなく高輝度・高出力を実現しつつ、発光素子の発熱に起因する各部材の密着性の低下を防止して、発光装置の特性、信頼性及び寿命を向上させることができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に、内壁と底面とを有する凹部を備えるパッケージと、前記凹部底面及び前記表面と反対側のパッケージ裏面において、その一部表裏面を露出して前記パッケージに埋設された金属部材と、該金属部材の凹部内の露出表面に配置された半導体発光素子とを有する発光装置であって、前記金属部材は、該パッケージと接する周縁の一部であって、かつその裏面に段差が形成され、かつ前記半導体発光素子を載置する領域において露出しており、該露出領域の外縁が、前記パッケージの凹部底面において、該パッケージ内壁下端から離間して配置されてなることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）