【課題】実装性を向上可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１において、成形体１１は、リード１２の光出射面１０Ａ側に配置される矩形環状部１１３と、リード１２の背面１０Ｂ側に配置され、下面１０Ｃの一部を形成する第１柱部１１１および第２柱部１１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】低Ｖｆ化を図りながら、逆バイアス印加時の漏洩電流を確実に防止することができ、高輝度及び高光束を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｎ側窒化物半導体は、ｎ型コンタクト層、アンドープ半導体層及びｎ型多層膜層がこの順に積層されてなり、該ｎ型多層膜層が、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の総膜厚を有し、前記活性層は９０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の総膜厚を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】正弦波に近似した入力電流波形を乱すことなく、消灯期間を低減して波高率を改善する。
【課題手段】ＬＥＤ集合体１０と、ＬＥＤ集合体１０への通電を制御するＬＥＤ駆動手段３と、ＬＥＤ集合体１０と並列に接続された充放電コンデンサ１１１と、充放電コンデンサと接続された、該充放電コンデンサを充電するためのコンデンサ充電経路と、充放電コンデンサと接続された、該充放電コンデンサを放電するためのコンデンサ放電経路と、コンデンサ充電経路上に配置され、充放電コンデンサを充電する充電電流を定電流に制御するためのコンデンサ充電用定電流部１１０とを備え、ＬＥＤ集合体に印加される整流電圧が高くなると、充電経路を通じて充放電コンデンサに充電電流を充電し、ＬＥＤ集合体に印加される整流電圧が低くなると、放電経路を通じて充放電コンデンサから放電電流を放電し、ＬＥＤ集合体に通電する。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】波高率と利用効率とを両立させた発光ダイオード駆動装置を提供する。
【解決手段】充放電コンデンサ３を充電するコンデンサ充電電流を定電流に制御するためのコンデンサ充電用定電流回路５と、充放電コンデンサ３及び第一ＬＥＤ部１１のアノード側と接続され、コンデンサ充電電流を規制するための充電用ダイオード６と、充放電コンデンサ３及び第一ＬＥＤ部１１のカソード側と接続され、コンデンサ放電電流を規制するための放電用ダイオード７と、を備えており、充放電コンデンサ３と充電用ダイオード６とコンデンサ充電用定電流回路５とを経路上に配置した充電経路と、充放電コンデンサ３と放電用ダイオード７とコンデンサ放電用定電流回路４とを経路上に配置した放電経路と、充放電コンデンサ３を含まない、第一ＬＥＤ部１１とコンデンサ充電用定電流回路５とコンデンサ放電用定電流回路４とを経路上に配置した過渡経路とを構成する。 （もっと読む）

【課題】厚膜の金属バンプを有し、信頼性が高いフリップチップ型実装型の窒化物半導体発光素子と、生産性を向上したその製造方法とを提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１は、窒化物半導体発光素子構造１０のｎ側電極接続面１０ａ上およびｐ側電極接続面１０ｂ上に開口部３０ａ、３０ｂを有する第１レジストパターン３０をマスクとして保護層２０を除去した後、第１レジストパターン３０を除去せずに、ｎ側電極２１・ｐ側電極２２となる第１金属層２５を形成する。続いて、第１レジストパターン３０を除去せずに、開口部３０ａ、３０ｂ上に開口部３１ａ、３１ｂを有する第２レジストパターン３１を形成し、第１金属層２５を電極とする電解メッキにより金属バンプ２３、２４となる第２金属層２６ａ、２６ｂを形成する。その後、第２レジストパターン３１および第２レジストパターン３２を除去する。 （もっと読む）

【課題】
保存特性、出力特性、サイクル特性が向上した正極活物質を提供する。
【解決手段】
一般式Ｌｉ_ａＮｉ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃｏ_ｘＭｎ_ｙＭ’_ｚＭ’’_ｗＯ_２（但し、１．００≦ａ≦１．２５、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．００２≦ｚ≦０．０１、０≦ｗ≦０．０５、Ｍ’はＷ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＴａから選択される少なくとも一種の元素、Ｍ’’はＺｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｂ、及びＶから選択される少なくとも一種の元素）で表されるリチウム遷移金属複合酸化物の粒子からなり、前記粒子の表面近傍にリチウムとＭ’の複合酸化物が存在し、前記粒子の表面における、ニッケル元素の全遷移金属元素に対する存在比ｎｓと、前記粒子の内部における、ニッケル元素の全遷移金属元素に対する存在比ｎｂについて、０．９≦ｎｓ／ｎｂ≦１．３である。 （もっと読む）

【課題】基板に凹凸を形成した発光素子、その基板において、好適な特性を有するものを提供する。
【解決手段】基板10の第１主面上に、半導体20の発光構造を有する半導体発光素子100において、前記基板10の第１主面に、基板凸部11を有し、該凸部の底面14が上面13より断面幅広であり、若しくは基板面において底面14内に上面13が内包されており、該底面14の形状が略多角形状であり、該上面13が略円形状若しくは前記底面14の構成辺より多い構成辺の略多角形状である。 （もっと読む）

【課題】主としてＦＦＰに優れた半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体からなる下部コンタクト層１０１と、窒化物半導体からなりＩｎを含む第１層１０２ａと窒化物半導体からなりＩｎを含まない第２層１０２ｂとを含む超格子構造であると共に暗色領域を有する光吸収層１０２と、窒化物半導体からなる活性層１０７と、窒化物半導体からなる上部コンタクト層１１１と、を順に備える。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００において、成長基板１０は、第１レーザー加工面１０C_１と、第１割断面１０C_２と、を含む第１側面１０Ｃを有する。第１割断面１０C_２には、成長基板１０を構成する材料の結晶格子面が露出している。垂直方向における第１レーザー加工面１０C_１の高さαは、垂直方向における成長基板１０の厚みβ_１と素子本体２０の厚みβ_２との和の２５％以上４０％以下である。 （もっと読む）