説明

日亜化学工業株式会社により出願された特許

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【課題】実装性を向上可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置1において、成形体11は、リード12の光出射面10A側に配置される矩形環状部113と、リード12の背面10B側に配置され、下面10Cの一部を形成する第1柱部111および第2柱部112とを有する。 (もっと読む)


【課題】低Vf化を図りながら、逆バイアス印加時の漏洩電流を確実に防止することができ、高輝度及び高光束を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】n側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体素子であって、前記n側窒化物半導体は、n型コンタクト層、アンドープ半導体層及びn型多層膜層がこの順に積層されてなり、該n型多層膜層が、50nm以上500nm以下の総膜厚を有し、前記活性層は90nm以上200nm以下の総膜厚を有する窒化物半導体素子。 (もっと読む)


【課題】波高率と利用効率とを両立させた発光ダイオード駆動装置を提供する。
【解決手段】充放電コンデンサ3を充電するコンデンサ充電電流を定電流に制御するためのコンデンサ充電用定電流回路5と、充放電コンデンサ3及び第一LED部11のアノード側と接続され、コンデンサ充電電流を規制するための充電用ダイオード6と、充放電コンデンサ3及び第一LED部11のカソード側と接続され、コンデンサ放電電流を規制するための放電用ダイオード7と、を備えており、充放電コンデンサ3と充電用ダイオード6とコンデンサ充電用定電流回路5とを経路上に配置した充電経路と、充放電コンデンサ3と放電用ダイオード7とコンデンサ放電用定電流回路4とを経路上に配置した放電経路と、充放電コンデンサ3を含まない、第一LED部11とコンデンサ充電用定電流回路5とコンデンサ放電用定電流回路4とを経路上に配置した過渡経路とを構成する。 (もっと読む)


【課題】正弦波に近似した入力電流波形を乱すことなく、消灯期間を低減して波高率を改善する。
【課題手段】LED集合体10と、LED集合体10への通電を制御するLED駆動手段3と、LED集合体10と並列に接続された充放電コンデンサ111と、充放電コンデンサと接続された、該充放電コンデンサを充電するためのコンデンサ充電経路と、充放電コンデンサと接続された、該充放電コンデンサを放電するためのコンデンサ放電経路と、コンデンサ充電経路上に配置され、充放電コンデンサを充電する充電電流を定電流に制御するためのコンデンサ充電用定電流部110とを備え、LED集合体に印加される整流電圧が高くなると、充電経路を通じて充放電コンデンサに充電電流を充電し、LED集合体に印加される整流電圧が低くなると、放電経路を通じて充放電コンデンサから放電電流を放電し、LED集合体に通電する。 (もっと読む)


【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程S11で、窒化物半導体発光素子構造上に、n側パッド電極およびp側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程S12で、パッド電極層上に、n側パッド電極およびp側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程S13で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてn側パッド電極およびp側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程S14で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程S15で、レジストパターンを除去する。 (もっと読む)


【課題】厚膜の金属バンプを有し、信頼性が高いフリップチップ型実装型の窒化物半導体発光素子と、生産性を向上したその製造方法とを提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子1は、窒化物半導体発光素子構造10のn側電極接続面10a上およびp側電極接続面10b上に開口部30a、30bを有する第1レジストパターン30をマスクとして保護層20を除去した後、第1レジストパターン30を除去せずに、n側電極21・p側電極22となる第1金属層25を形成する。続いて、第1レジストパターン30を除去せずに、開口部30a、30b上に開口部31a、31bを有する第2レジストパターン31を形成し、第1金属層25を電極とする電解メッキにより金属バンプ23、24となる第2金属層26a、26bを形成する。その後、第2レジストパターン31および第2レジストパターン32を除去する。 (もっと読む)


【課題】
保存特性、出力特性、サイクル特性が向上した正極活物質を提供する。
【解決手段】
一般式LiNi1−x−y−zCoMnM’M’’(但し、1.00≦a≦1.25、0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.002≦z≦0.01、0≦w≦0.05、M’はW、Mo、Nb及びTaから選択される少なくとも一種の元素、M’’はZr、Al、Mg、Ti、B、及びVから選択される少なくとも一種の元素)で表されるリチウム遷移金属複合酸化物の粒子からなり、前記粒子の表面近傍にリチウムとM’の複合酸化物が存在し、前記粒子の表面における、ニッケル元素の全遷移金属元素に対する存在比nsと、前記粒子の内部における、ニッケル元素の全遷移金属元素に対する存在比nbについて、0.9≦ns/nb≦1.3である。 (もっと読む)


【課題】基板に凹凸を形成した発光素子、その基板において、好適な特性を有するものを提供する。
【解決手段】基板10の第1主面上に、半導体20の発光構造を有する半導体発光素子100において、前記基板10の第1主面に、基板凸部11を有し、該凸部の底面14が上面13より断面幅広であり、若しくは基板面において底面14内に上面13が内包されており、該底面14の形状が略多角形状であり、該上面13が略円形状若しくは前記底面14の構成辺より多い構成辺の略多角形状である。 (もっと読む)


【課題】主としてFFPに優れた半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子100は、窒化物半導体からなる下部コンタクト層101と、窒化物半導体からなりInを含む第1層102aと窒化物半導体からなりInを含まない第2層102bとを含む超格子構造であると共に暗色領域を有する光吸収層102と、窒化物半導体からなる活性層107と、窒化物半導体からなる上部コンタクト層111と、を順に備える。 (もっと読む)


【課題】出力を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子100において、成長基板10は、第1レーザー加工面10Cと、第1割断面10Cと、を含む第1側面10Cを有する。第1割断面10Cには、成長基板10を構成する材料の結晶格子面が露出している。垂直方向における第1レーザー加工面10Cの高さαは、垂直方向における成長基板10の厚みβと素子本体20の厚みβとの和の25%以上40%以下である。 (もっと読む)


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