【課題】 板材に樹脂が成型されてなる樹脂成型体において樹脂部の顫動を防止する。
【解決手段】 本発明は、複数の貫通孔を有する板材と、該貫通孔内に一部が延在した樹脂部とを有する樹脂成型体であって、樹脂部は、板材の少なくとも一方の主面の側に開口する凹部を有し、貫通孔を含み板材の主面に垂直な第一の断面において、板材は、樹脂部に包囲される第一の部位１０７と、該第一の部位１０７の延伸方向に、その第一の部位１０７に対向する第二の部位１０８とを有し、板材の主面に垂直な第二の断面において、板材は、樹脂部に貫通して配される第三の部位１０９とを有する。 （もっと読む）

【課題】 紫外から可視光領域の励起光源により励起され、波長変換される青緑色から緑色系領域に発光色を有する蛍光体を提供する。
【解決手段】 賦活剤ＲにＥｕを必須とする少なくとも１種以上である希土類元素を用いており、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎからなる群から選ばれるＢａを必須とする少なくとも１種以上である第ＩＩ族元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆからなる群から選ばれる少なくともＳｉを必須とする１種以上である第ＩＶ族元素と、を少なくとも含有するオキシ窒化物蛍光体であって、Ｂａは、第ＩＩ族元素に対して、モル比で、第ＩＩ族元素：Ｂａ＝１：０．０．７６乃至１：１であり、Ｒは、第ＩＩ族元素に対して、モル比で、第ＩＩ族元素：Ｒ＝１：０．００５乃至１：０．１５であることを特徴とするオキシ窒化物蛍光体。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を封止する封止体の量を常に一定にした発光装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子と、半導体素子を載置するステムと、半導体素子を覆う封止体と、を有し、ステムは半導体素子が載置される底面と側面を持つ第１の凹部が形成されており、さらに第１の凹部の外側に第２の凹部が形成されており、第１の凹部と第２の凹部は、第１の凹部の側壁により互いに分離されている半導体装置に関する。ステムの第１の凹部内に樹脂を注入すると余分な樹脂が溢れ出て、第２の凹部内に溜まり、第１の凹部内には常に一定量の封止体が配置されることとなる。 （もっと読む）

【課題】 リフロー工程を行う半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 本発明は、半導体素子１０４と、該半導体素子を保持する支持基板１０３と、支持基板に配され半導体素子を被覆する被覆部材１０１と、支持基板１０３の主面と被覆部材１０１の凹状の内壁面とからなる中空部１０７と、を備える半導体装置であって、支持基板１０３は、中空部１０７まで挿通された貫通孔１０８を有することを特徴とする半導体装置である。また、貫通孔１０８は、所定の温度で溶融および固化する密栓１０９により密封されている。さらに、中空部１０７は、不活性ガスが封入されている。 （もっと読む）

【課題】
広範囲の波長帯において寿命特性等に優れた半導体レーザ装置を提供することである。
【解決手段】
第１の半導体レーザ素子と該第１の半導体レーザ素子上にある第２の半導体レーザ素子とのリッジストライプ部の上面同士が互いに向かい合ってなる半導体レーザ装置であって、前記第１の半導体レーザ素子は、リッジストライプ部の両側に電流狭窄層を有しており、該電流狭窄層にはリッジストライプ部から離れるに従って順に高さが異なる第１の領域と、第２の領域とを備えており、該第２の領域は前記リッジストライプ部の上面よりも高い半導体レーザ装置。前記第１の半導体レーザ素子における電流狭窄層の第１の領域は、前記リッジストライプ部の上面と略同じ高さである。 （もっと読む）

【課題】 量産性に優れ、従来の電球や蛍光灯のようにリペア可能な照明用光源とする。
【解決手段】 本発明は、半導体素子と、該半導体素子を搭載し正負一対の導体配線を有する支持基板と、半導体素子と電気的に接続する給電端子とを有し、給電端子が支持基板の主面の側に開口する貫通孔に挿通されており、給電端子の一端部が支持基板に接合され、他端部が所定の方向に支持基板から突出されている半導体装置であり、支持基板の一方の主面は、その主面に垂直な方向から見て、半導体素子を被覆する封止部材を載置する第一の領域と、該封止部材の外側にて給電端子と接合する導体配線が施された第二の領域とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 疑似点灯が抑制され光学特性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、光源と、該光源からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質を含有する光変換部材とを備える発光装置において、上記光源は、複数の半導体発光素子１０４からなり、それらの半導体発光素子１０４のうち少なくとも一部が光変換部材１０１により被覆されており、上記光変換部材１０１が被覆する半導体発光素子１０４ａと、該半導体発光素子１０４ａに隣接する半導体発光素子１０４ｂとの間に遮光部材１０２が介されていることを特徴とする。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、Ａ）アルカリ金属（Ｉ族元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有する窒化物バルク単結晶層、及びＢ）気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層Ａ）及びＢ）は層Ａ）の非Ｎ極性面及び層Ｂ）のＮ極性面で結合する。ゆえに、
形成したテンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、（０００２）面からのＸ線ロッキングカーブの半値幅が８０以下という良好な値であり、形成した基板は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥおよびＨＶＰＥといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力ＬＥＤといった良好なオプトエレクトロニクス機器やＭＯＳＦＥＴといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。
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【課題】 発光効率の良好な赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置を提供すること、青色発光素子等と組み合わせて使用する黄から赤領域に発光スペクトルを有する蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｂが１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下含まれている、一般式Ｌ_ＸＭ_ＹＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ）}：Ｒ若しくはＬ_ＸＭ_ＹＯ_ＺＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ−（２／３）Ｚ）}：Ｒ（Ｌは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の群から選ばれる第ＩＩ族元素である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ等の群から選ばれる第ＩＶ族元素である。Ｒは、Ｅｕ等の群から選ばれる希土類元素である。Ｘ、Ｙ、Ｚは、０．５≦Ｘ≦３、１．５≦Ｙ≦８、０＜Ｚ≦３である。）で表される窒化物蛍光体。青色発光素子１０からの光の一部を波長変換し、黄から赤色領域にピーク波長を有する前記窒化物蛍光体と、から構成される発光装置。 （もっと読む）

現在、超臨界アンモニア含有溶液の雰囲気下において、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）の一般式を有する、ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセスに使用される改良されたミネラライザが提案されている。
本発明によれば、確実に、Ｉ族元素のイオン、特にナトリウムのイオンが存在するように、Ｉ族元素をなす群から選択された他の元素及びII族元素と共に、Ｉ族元素イオン、好ましくはナトリウムイオンが存在するように、また任意ではあるがII族元素、好ましくはカルシウム若しくはマグネシウムのイオンと共に、超臨界溶媒のアンモノ塩基性を弱める酸素フリーの化合物を含む１以上の物質が存在するように、適当にミネラライザを選択することにより、得られる製品の成長速度及び品質を制御することができる。
このようにして得られた改良されたバルク単結晶は、オプトエレクトロニクスの分野において主に使用することが意図されている。
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