【課題】
優れた電池特性、特に高温特性に優れる非水電解質二次電池用正極活物質および非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】
非水電解質二次電池用正極活物質は、粉末本体と、該粉末本体の表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを有する粉末からなる非水電解質二次電池用正極活物質であって、該粉末本体は、層状構造リチウム遷移金属複合酸化物を有し，該被覆層は、スピネル構造リチウム遷移金属複合酸化物の少なくとも一部に酸化マンガンを有してなる。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス基板の窪み内に発光素子が載置されてなる発光装置において、発光素子が発する光をムラなく効率良く取り出すことができ、しかも放熱性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板に形成された窪み内に発光素子が載置されてなる発光装置において、該窪みの上端側開口部に対向する下端側基底面に形成された導電体層と、該下端側基底面に接しないように該窪みの側面に形成された反射層とを備え、前記発光素子が前記反射層と前記導電体層との隙間よりも上方側に位置するように前記下端側基底面よりも上方に備えられた第２基底面上に載置された構成とする。 （もっと読む）

【課題】
優れた電池特性、特に高温特性に優れる非水電解質二次電池用正極活物質および非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】
非水電解質二次電池用正極活物質は、粉末本体と、該粉末本体の表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを有する粉末からなる非水電解質二次電池用正極活物質であって、該粉末本体は、スピネル構造リチウム遷移金属複合酸化物を有し，該被覆層は、層状構造リチウム遷移金属複合酸化物を有してなる。
前記被覆層は、層状構造リチウム遷移金属複合酸化物の少なくとも一部に酸化コバルトを有してなるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
過放電特性に優れ、高充放電容量の正極活物質および非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】
非水電解質二次電池用正極活物質は、少なくとも層状構造のリチウム遷移金属複合酸化物を有する非水電解質二次電池用正極活物質であって、前記リチウム遷移金属複合酸化物は、非結晶質な部分を有し、（００３）結晶性は、０Åより大きく１０００Å以下である。
非水電解質二次電池は、少なくともスピネル構造および／または層状構造のリチウム遷移金属複合酸化物を有する第一の活物質と、非結晶質な部分を有し、（００３）結晶性が、０Åより大きく１０００Å以下である、少なくとも層状構造のリチウム遷移金属複合酸化物を有する第二の活物質と、正極集電体とを有する正極と、リチウムイオンを吸蔵放出可能な炭素材料、またはリチウムイオンを吸蔵放出可能な化合物からなる負極活物質と、負極集電体とを有する負極と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）

シード上で少なくともシード成長方向に本質的に垂直な方向で成長され、シード中に存在する結晶欠陥の伝播が本質的になく、転位密度が10⁴/cm²を超えず、シードの転位密度に比べかなり低く、結晶格子曲率半径が大きく、好ましくは15mより長く、より好ましくは30mより長く、最も好ましくは約70mであり、シードの結晶格子の曲率半径よりかなり長い、バルク単結晶ガリウム含有窒化物。
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【課題】 半導体層上に透明な導電性酸化物膜を有する半導体発光素子において、十分な透明性を維持し、光の取り出し効率を向上させながら、半導体層と導電性酸化物膜との間のショットキー障壁を低減し、コンタクト抵抗を最小限に留め、良好なオーミック接続を得ることができる電極及びこの電極を備えた半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体層上に、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む導電性酸化物膜が電気的に接続されて構成される半導体発光素子であって、前記導電性酸化物膜が、前記半導体層との界面近傍において複数の空隙を有する半導体発光素子。 （もっと読む）

窒化物半導体発光素子は、対向する一対の主面を有する基板１１と、基板１１の一方の主面上に積層される第１の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層上に積層される第２の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層と第２の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層１４と、第２の伝導型窒化物半導体層上に形成され、活性層１４から第２の伝導型窒化物半導体層に向かう光を反射させるための反射層１６とを備える。この窒化物半導体発光素子は、上記基板１１の他方の主面を主光取出し面として配線基板に実装可能である。さらに、反射層１６と第２の伝導型窒化物半導体層との間に透光性導電層１７が形成されており、透光性導電層１７と反射層１６との界面に凹凸面２２が形成されている。 （もっと読む）

発光装置は、少なくとも２つ以上の異なる色度の発光素子と、発光装置からの出射光を所望の色度に制御する発光素子制御手段を備え、発光素子制御手段が発光素子の温度変化に対する所定の関数に基づいて発光素子の制御を行う。これにより、温度が変化しても色度が変化することなく安定した所望の色度の発光装置を得ることが可能となる。また、発光素子の温度変化に起因する波長の変動に対する特性関数に基づいて制御することにより、より信頼性の高い再現性の良く所望の色度とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現する。
【解決手段】 少なくともｎ型コンタクト層を介して形成されたインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、その上にインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層と、その上にｐ型窒化物半導体よりなるｐ型クラッド層とが順に積層された構造を有し、インジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、ｎ型コンタクト層との間に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体が積層されてなるｎ型の多層膜を光反射膜として備え、ｎ型の多層膜の少なくとも一方の窒化物半導体層はインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体またはＧａＮからなる。 （もっと読む）