説明

日亜化学工業株式会社により出願された特許

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【目的】 LEDの樹脂に波長変換材料を含有させて発光チップの波長変換を行う際、まず変換された発光の集光をよくしてLEDの輝度を高めることを目的とし、また蛍光顔料を使用した際、波長の異なるLEDを近接して設置しても混色の起こらないLEDを提供する。
【構成】 LEDの封止樹脂が、カップ3内部を充填する第一の樹脂11と、その第一の樹脂を包囲する第二の樹脂12とからなり、第一の樹脂11には発光チップの発光波長を他の波長に変換する蛍光物質、または発光波長を一部吸収するフィルター物質等の波長変換材料5が含有されていることにより、波長変換光がカップ3に反射されるため輝度、集光効率が向上する。 (もっと読む)


【目的】 p−n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子を実現するにあたり、n型窒化ガリウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共にアニーリング時に変質しにくい電極を提供することにより、発光素子の発光効率および信頼性を高める。
【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成され、n型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミック接触が得られた電極であって、前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとの合金よりなるか、または前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとが積層された多層膜よりなる。 (もっと読む)


【目的】 最上層であるp層に形成する電極を透光性にして、発光素子の外部量子効率を向上させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面として、上から電極を取り出すことにより、発光素子の生産性を向上させる。
【構成】 p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体表面に、オーミック接触用の電極として、金属よりなる透光性電極が形成されている。 (もっと読む)


【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光出力をさらに向上させる。
【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるInXGa1-XN(但し、Xは0<X<1)層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するInXGa1-XN層の各膜厚は5オングストローム〜50オングストロームの範囲である (もっと読む)



【目的】 p−n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。
【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、SiおよびZnがドープされたn型InXGa1-XN(但し、Xは0<X<1の範囲である。)を発光層として具備する。 (もっと読む)


【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を450nm〜490nmの高輝度の青色領域とできる実用的でしかも新規な構造を提供する。
【構成】 第一のクラッド層としてn型Ga1-aAlaN(0≦a<1)層と、その上に発光層としてZn濃度が1×1017〜1×1021/cm3の範囲にあるInXGa1-XN(但し、Xは0<X<0.5)層と、その上に第二のクラッド層としてMg濃度が1×1018〜1×1021/cm3の範囲にあるp型Ga1-bAlbN(0≦b<1)層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備する。 (もっと読む)


【目的】 簡単な回路で封入ガスが放射する紫外線の分光分布を変更して蛍光ランプの発光色を変化させる。
【構成】 発光色が変化する蛍光ランプ装置は、電源1と蛍光ランプ2とを備える。電源1は、パルス発振手段3と連続波発生手段4とを備える。蛍光ランプ2は、励起波長によって発光色が変化する蛍光体を塗布している。蛍光ランプ2は、放電状態によって放射する紫外線の分光分布が変化する一種または複数種のガスを封入している。蛍光ランプ2の封入ガスを、パルス波と連続波で放電させて、放射する紫外線の分光分布を変更し、これによって蛍光ランプの発光色を変化する。
【効果】 パルス波と連続波に切り換えて、蛍光ランプの発光色を変化できる。 (もっと読む)




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