説明

日亜化学工業株式会社により出願された特許

1 - 10 / 993



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189

【課題】 レーザ素子の端面への導電部材の這い上がりが抑制され、且つ、放熱性に優れたレーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板10と、該基板10上に設けられた導電部材11と、該導電部材11上に設けられた光導波路領域20aを有するレーザ素子20と、を備えるレーザ装置100である。導電部材11は、導電部材11の端部に設けられ、且つ、レーザ素子20よりも幅が狭い幅狭部11aと、幅狭部11aよりも幅が広い幅広部11bと、を有し、幅狭部11a及び幅広部11bは、光導波路領域20aの直下に設けられている。 (もっと読む)


【課題】光の出射方向の違いによる配光色度のバラツキが小さい発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材1と、基材1上に載置された発光素子10と、発光素子10を被覆する封止部材3と、を備える発光装置100であって、封止部材3は、蛍光体4と、複数の透明部材5とを含有し、透明部材5は、発光素子10上に設けられ、各透明部材5の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、蛍光体4の粒径の1倍を超え3倍未満であり、透明部材5の含有量が、封止部材3に対して10〜78体積%であり、透明部材5と蛍光体4との体積比率(透明部材量/蛍光体量)が0.2〜10であり、蛍光体4は、発光素子10からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】各フレームにおいて最初に駆動される発光素子が、他の発光素子に比較して暗くなる状態を解消する。
【解決手段】表示部10の行方向に配置された複数の発光素子1のアノード端子に接続された複数の共通ラインCに接続されており、共通ラインCを走査すると共に、選択された共通ラインCに電圧を印加する走査部20と、表示部10の列方向に配置された複数の発光素子1のカソード端子に接続された複数の駆動ラインSに接続されており、走査部が走査するタイミングに従って、所定の発光素子1を点灯可能な駆動部30とを備え、走査部20が共通ラインCを一通り走査する一フレームを複数枚組み合わせた一サイクルでもって、一画像を表示する表示装置の点灯制御方法であって、一サイクルにおいて、一フレームで一部の行を点灯する工程と、同一サイクルにおいて、以降のフレームで他の一部又は他の全部の行を点灯する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】磁気特性に優れた円柱状ボンド磁石を得る。
【解決手段】異方性の磁性粉末と樹脂とからなるボンド磁石組成物を押出成形することにより得られる円柱状ボンド磁石の製造方法において、軸方向にアキシャル配向された円筒状磁石を、配向用磁石5として押出成形用金型2に配置することにより、その円筒状磁石の内側の空間に、磁力線が軸方向に沿うような配向用磁場を形成する工程と、配向用磁場内にボンド磁石組成物を通過させることにより、軸方向に磁性粉末を配向させるとともに、ボンド磁石組成物を押出成形する工程と、金属細線を正逆方向それぞれ複数回巻回させてなる少なくとも一対の空芯コイルを備えた着磁装置を準備する工程と、着磁装置にて、押出成形されたボンド磁石組成物を着磁処理する工程と、を有しており、これらの工程により、円柱状ボンド磁石の径方向に放射状に出入りする磁力線を形成する。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の放熱性を向上させる。
【解決手段】 半導体素子と、その半導体素子を搭載し側面および背面の一部に切り欠き部が形成された絶縁性基板と導電配線とから構成された配線基板とを備えており、上記導電配線が、上記絶縁性基板の上面に、上記半導体素子の外形よりも配置面積が大きく少なくとも銅を含む上面導電配線と、上記絶縁性基板の背面に、上記上面導電配線と電気的に接続された背面導電配線とを有する半導体装置であって、上記背面導電配線が、上記絶縁性基板の背面から上記切り欠き部に延長して配置され、少なくともタングステンを含む第一の金属膜と、その第一の金属膜の配置面積よりも広く、その一部が上記第一の金属膜の上に配置され、少なくとも銅を含む第二の金属膜とから構成されており、上記第二の金属膜が上記第一の金属膜の上から上記第一の金属膜が配置されていない上記絶縁性基板の背面上にかけて略均一な膜厚である。 (もっと読む)


【課題】薄型で回路基板等への接合強度が強い信頼性の高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置100は、光半導体素子103と、光半導体素子103と電気的に接続される第1の導電部材101と、第1の導電部材101から離間し、光半導体素子103が載置される第2の導電部材102と、光半導体素子103を被覆するとともに、第1の導電部材101及び第2の導電部材102と接する封止部材104と、を有する光半導体装置であって、第1の導電部材101及び第2の導電部材102は、それぞれ下面が光半導体装置100の外表面を形成し、第1の導電部材101は、光半導体素子103と電気的に接続される上面を有する第1の平坦部101aと、第1の平坦部から突出する上面を有する第1の突出部101bとを有し、第1の突出部101bは、少なくとも側面の一部が光半導体装置100の外表面を形成している。 (もっと読む)


1 - 10 / 993