キヤノンアネルバ株式会社により出願された特許
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薄膜形成装置、薄膜形成方法およびシールド部品
【課題】シールドに形成された付着膜の剥がれを防止すること。
【解決手段】発明者らの検討によれば、曲率半径を一定以上にすることは、付着膜の剥がれを抑える場合、本質的なことではないことがわかった。発明者らの検討によれば、付着膜の剥がれは、シールドの曲率が変化する領域で発生し、シールドの曲率の変化が小さい場合に、付着膜の剥がれが発生しにくくなることが分かった。従って、問題なのはシールドの曲率の変化であり、曲率を段階的に変えることで曲率の変化を抑えることができるため、シールドを大型化することによって生じうる、膜厚分布悪化などの不利益を受けることなく、付着膜の剥がれを抑制できる。
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冷却装置
【課題】基板を回転させながら効率よく冷却することができる技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置100の真空容器101内部の基板を冷却するための冷却装置であって、前記基板Wを冷却する基板冷却台104と、前記基板冷却台を冷却する冷却機構102と、前記基板冷却台に冷却ガスを導入する冷却ガス供給部110,111と、前記基板を前記基板冷却台から所定の間隙だけ離間させた状態で保持し、当該基板を保持した状態で回転駆動される基板回転機構105と、前記基板回転機構を所定の回転数で回転駆動する駆動機構106と、を有する。
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スパッタリング装置及びスパッタリング成膜方法並びにスパッタリング装置の電源制御方法
【課題】プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、所定時間サイクルでカソード部に電力供給を行う電源の状態の読み出しを行う電源状態読み出し信号と、所定のタイミングで前記カソード部への電力供給を停止する電力印加停止信号とを電源に対してシリアル通信によって送信する機能を有する電源制御部を備えて構成されており、電源制御部は、電源状態読出しの信号の送信を停止する読出し停止信号を送信して電源の状態の読み出し処理を停止させた後に電力印加停止信号を送信する。
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スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法
【課題】遮蔽機構の退避のためのスペースを小さくしてコンパクトなスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板ホルダー表面の基板18が載置される基板載置面を遮蔽可能な遮蔽部材を備える。前記基板載置面は第1領域と第2領域とを含む。前記遮蔽部材は、少なくとも前記第1領域を遮蔽可能な第1遮蔽部材14と、少なくとも前記第2領域を遮蔽可能な第2遮蔽部材15と、前記第1遮蔽部材14及び前記第2遮蔽部材15を回転させる回転機構30と、を備える。前記第1遮蔽部材14及び前記第2遮蔽部材15は、前記回転機構30による回転によって、前記第1遮蔽部材14が少なくとも前記第1領域を遮蔽し、かつ、前記第2遮蔽部材15が少なくとも前記第2領域を遮蔽する遮蔽位置と、前記第1遮蔽部材14及び前記第2遮蔽部材15が前記基板載置面の上方の領域から退避して互いに重なり合う退避位置と、の間で移動可能である。
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誘電体膜の製造方法
【課題】比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る誘電体膜の製造方法は、基板上に、AlとSiとOを主成分とする金属酸化物である誘電体膜を形成する誘電体膜の製造方法であって、Al元素とSi元素のモル比率Si/(Si+Al)が0<(B/(A+B))≦0.1であり、非晶質構造を有する金属酸化物を形成する工程と、該非晶質構造を有する金属酸化物に1000℃以上のアニール処理を施し、結晶相を含む金属酸化物を形成する工程と、を備える。
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スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法
【課題】面内分布の均一性に優れた膜を成膜することができるようにし、優れた性能の電子デバイスを容易に製造することができるようにするスパッタリング技術の実現。
【解決手段】スパッタリング装置は、基板21をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダ22と、基板21の周囲に配設され、基板21の処理面に磁場を形成する基板側磁石30と、基板21の斜め上方に配置され、放電用の電力が印加されるカソード41と、基板21の回転位置を検出する位置検出部23と、該位置検出部23が検出した回転位置に応じて、前記放電用の電力を制御するコントローラ5とを備える。
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成膜装置及びクリーニング方法
【課題】大気開放することなくチャンバー内で防着シールドのクリーニングを行うことができ、メンテナンスコストの低減を図ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、基板に対してスパッタリング成膜処理を行うときは、カソード14に電力を印加するとともに、シリンダー部32を伸ばしてアース電極41を防着シールド20に電気的に接続させ、防着シールドをクリーニングするときは、防着シールドに高周波電流を印加するとともに、シリンダー部を縮ませてアース電極と防着シールドを電気的に絶縁することができるように構成されている。
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反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置
【課題】連続基板処理時の温度の変動による膜質変化を抑制すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。具体的にはシールド120に温度センサ121を設け、温度に応じた流量に調整する。これにより、シールドに付着した膜の脱ガス量が変化しても、反応性ガスの分圧を所定にできる。ReRAMを構成する抵抗変化層、PrCaMnO3(PCMO)、LaSrMnO3(LSMO)、GdBaCoxOy(GBCO)等のペロブスカイト材料や、ニッケル酸化物(NiO)、バナジウム酸化物(V2O5)等の化学量論からずれた組成を有する2元系の遷移金属酸化物材料等が扱われている。
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リークチェック方法
【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Sに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバP6の隣に連接されたチャンバP7内に所定量のガスを導入するガス導入S004の後に、チャンバP6及びチャンバP7の真空度を測定S005し、チャンバP6の真空度を基準値と比較S007した結果を出力S008し、その後に、チャンバP6のチャンバP7とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。
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スパッタリング装置及びスパッタリング方法
【課題】仕込み室と真空成膜室との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室と取り出し室と間のゲートバルブを開放しても真空成膜室内のスパッタリング条件を変動させることがないスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、仕込み室5と真空成膜室4と取り出し室6がゲートバルブGV7,GV8を介して一列に連結され、仕込み室5と真空成膜室4と取り出し室6の間で基板2a,2b,2c,2d,2eを連続して搬送可能な搬送装置を備えている。仕込み室5と真空成膜室4との間のゲートバルブ、若しくは、真空成膜室4と取り出し室6と間のゲートバルブを開放して基板を搬送する際、真空成膜室4の圧力を変動させないように、仕込み室5若しくは取り出し室6の圧力が調整される。
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