説明

キヤノンアネルバ株式会社により出願された特許

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【課題】基板を均一に処理するために有利な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理空間において基板を支持する基板支持部と、前記処理空間を外部空間から仕切る仕切り部材30,42と、前記処理空間にガスを供給するための環状ガス流路90とを備える。環状ガス流路90の前記処理空間への出口は、環状スリットであり、環状ガス流路90に対して供給されるガスが環状スリットを通して前記処理空間に供給される。 (もっと読む)


【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、(100)優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に(100)優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板上への薄膜の成膜速度を上げ、かつトレンチやビアホールの底面に効率よく薄膜を成膜できる薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、開口幅又は開口径が3μm以下で、かつ、アスペクト比が1以上の段差であるトレンチ又はビアホールを有する基板上に薄膜を成膜する成膜方法であり、真空排気可能な処理室に、基板を支持する第1の電極と、前記基板に対向するように配置されターゲットを支持する第2の電極と、前記第2の電極の外側に配置されて当該第2の電極の内側にカスプ磁界を形成する複数のマグネットと、を備え、
前記処理室にNeを含む処理ガスを導入し、前記第1の電極と前記第2の電極の少なくとも一方にプラズマ形成用の高周波電力を供給すると共に、前記第2の電極上にカスプ磁場を生成してプラズマを発生させ、ターゲット物質をトレンチ又はビアホールを有する基板上に成膜する。 (もっと読む)


【課題】 製品基板の処理において、戻り処理が必要となる場合であっても、無駄なダミー基板処理を低減すること。
【解決手段】 基板処理方法は、複数の基板のそれぞれに対して、第1処理を実行し、第1処理が実行された基板に、第2処理を実行する実行工程と、複数の基板のそれぞれに対して、第1および第2処理が実行された基板を退避室に回収する回収工程と、複数の基板のうち、最後の基板に対して第1処理が完了した後に、第1処理室にダミー基板を搬入し、ダミー基板に第3処理を実行し、さらにダミー基板を第1処理室から搬出する調整工程と、調整工程でダミー基板が第1処理室から搬出された後、回収工程において回収された基板を、第1処理室に搬入し、第3処理を実行する第2実行工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー103と、基板ホルダー130に対して斜めに配置されたターゲットホルダー107a〜107dと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Xに対して2回対称に配置された2個の孔を有する第1シャッター115および第2シャッター116とを備える。ターゲットホルダー107a、107cは、回転軸Xに対して2回対称な位置に配置される第1群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー107b、107dは、第1群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Xに対して2回対称に配置される第2群のターゲットホルダーである。 (もっと読む)


【課題】強磁性体ターゲットと磁石ユニットの間に働く吸引力による装置への負荷を低減する。
【解決手段】スパッタリング装置は、ターゲットを取り付け可能なターゲット電極と、前記ターゲット電極を支持する第1支持部材と、前記ターゲットの表面に磁界を形成する磁石ユニットと、前記磁石ユニットを支持する第2支持部材と、前記第1支持部材と前記第2支持部材の間に設けられ、前記ターゲットと前記磁石ユニットとの間の磁界によって前記第2支持部材に対して作用する第1の力と反対方向の第2の力を発生する力発生部とを備える。前記第2の力の大きさは、前記磁石ユニットが前記ターゲット電極に近いほど大きい。 (もっと読む)


【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第1の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第1の磁石と反発する磁極を有する第2の磁石と、第1の磁石と第2の磁石との間に斜めに設けられ第3の磁石とを備えた第1の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第4の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第4の磁石と反発する磁極を有する第5の磁石と、第4の磁石と第5の磁石の間に斜めに設けられ第6の磁石とを備えた第2の磁石エレメントとから構成され、第1の磁石エレメントと第2の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 (もっと読む)


【課題】冷却性能に優れたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット電極と、基板Wを載置することが可能な載置部と当該載置部に載置される基板との間に空間を形成する凹部を有する基板保持台107と、前記凹部内に冷却ガスを供給する供給源と、前記基板保持台との間に押し付け力を発生させて、前記基板を前記基板保持台に固定する保持部材と、前記基板保持台に接続される冷凍機108と、前記基板保持台を冷凍機と共に回転させる回転駆動手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】IBEにおいてイオンビームの斜め入射を行って基板上に凹凸構造を形成する際に、入射方向ごとに入射量が異なることによる影響を低減し、基板面内において、作製された素子間の特性のバラつきを低減させる。
【解決手段】基板がイオン引き出し用グリッド電極の斜向かいにある場合に、イオンビームエッチングによって形成される被処理面に平行であり且つ基板面に平行である第1の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第1の状態とし、該第1の方向と垂直であり且つ基板面に平行である第2の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第2の状態としたとき、前記第1の状態における基板の回転速度を前記第2の状態における基板の回転速度よりも速くする。 (もっと読む)


【課題】 基板を真空中で加熱した場合に、基板ステージでの加熱ムラが少ない基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板が載置される、基板ステージを備えた基板ホルダユニットと、
前記基板ステージの上方に設けられており、当該基板ステージと対向する放熱面を備え、前記基板ステージの上に載置された基板に対して非接触状態で、前記放熱面からの輻射熱で前記基板を加熱する加熱ユニットと、基板ステージの下方に設けられた冷却部と、前記冷却部に固定された基板ステージを支持する支柱と、を有する基板熱処理装置であって、前記支柱が、熱伝導率の異なる複数の部材から構成される。 (もっと読む)


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