【目的】 保磁力Hc並びに保磁力角形比Ｓ^* を向上した磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的としている。特に基板をガラス基板とした場合に有効な技術である。
【構成】 非磁性（アルミニウム、ガラス等）材料の基板４０の上に、貴金属を主成分とする膜４１、Crを主成分とする下地膜４２、Coを主成分とする磁性膜４３、保護膜４４を順次設けて磁気記録媒体が構成されている。製造は前記の膜を順次スパッタリングにより成膜して行う。基板４０の加熱を必要とする場合は、貴金属を主成分とする膜４１の形成後に行う。 （もっと読む）

【目的】生成超電導薄膜の組成が一定になるよう、その成膜を制御することが容易にできる新規な組成の超電導薄膜製造装置を提供する。
【構成】 それぞれ独立した電力印加手段を有する複数のターゲットを備え、それら複数のターゲットは、互いに、含有する元素の種類と組成の少なくとも一方を異にし、かつ、それらターゲットに含有される元素の全体は、所定の超電導薄膜の構成元素をすべて含み、元素別に成膜速度を検出する手段と、その検出値をその元素を含むターゲットの電力印加手段にフィードバックする手段を備えて、成膜薄膜の組成を前記所定の超電導薄膜の化学量論比に制御するようにした超電導薄膜製造装置。 （もっと読む）

【目的】 半導体材料としての膜質を確保できると共に、半導体デバイスの製造上、必要とされる膜厚を短時間で成膜する方法を提供する。
【構成】 プラズマＣＶＤ法で基板４の表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成膜する。 （もっと読む）