キヤノンアネルバ株式会社により出願された特許

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【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー13は、一端部が基板支持面45に導通する接地軸53の他端部に接続され、接地軸53を接地電位に切替えるリレー回路61と、接地軸53の一端部のキャップを基板支持面45に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね59と、接地軸53の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね59の付勢方向に伸縮するベローズ57と、圧縮コイルばね59の付勢方向で狭持されるOリング63とを備えている。この構成により、接地軸53が熱膨張しても基板支持面45との導通を確保できる。 (もっと読む)


【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバLLとプロセスチャンバPCの間で移送されるキャリア7と、プロセスチャンバPC内に移送されたキャリア7から基板7を受け取るフック19を備えており、基板5への真空処理はキャリア7がロードロックチャンバLLに退避した後に行われる。 (もっと読む)


【課題】小型で簡単に任意の相を選択できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置100は、ベース部1に、切替用モジュール2を備える。ベース部1の3つの入力用導体11、12、13のうち、2つの入力用導体の接続端子と、切替用モジュール2の3つの中継用導体のうち、2つの中継用導体の一方側の接続端子と、を接続させた際に、該2つの中継用導体61、62、63の他方側の接続端子が、ベース部1の第1及び2出力用導体31、32のそれぞれの接続端子と接続されるように構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー13は、一端部が基板支持面45に導通する接地軸53の他端部に接続され、接地軸53を接地電位に切替えるリレー回路61と、接地軸53の一端部のキャップを基板支持面45に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね59と、接地軸53の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね59の付勢方向に伸縮するベローズ57と、圧縮コイルばね59の付勢方向で狭持されるOリング63とを備えている。この構成により、接地軸53が熱膨張しても基板支持面45との導通を確保できる。 (もっと読む)


【課題】簡単な機構で、ラックギヤとピニオンギヤとを円滑に噛み合わせることができる搬送装置、及びこれを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の搬送装置は、基板3を搭載して搬送軌道9上を移動するキャリア20に設けられたラックギヤ7と、ラックギヤ7に噛合する複数のピニオンギヤ5a,5bとを備え、ラックギヤ7は、ピニオンギヤ5aがラックギヤ7の一端で歯合するときに、ピニオンギヤ5bと歯合する箇所のラックギヤ7が高くなるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】薄膜均一性および高い生産性を維持しつつ、低抵抗の良質なW膜の成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットと交差する方向に磁化された2つの磁石部材を、ターゲット側に向く磁極が互いに逆向きとなるようにして隣接配置したマグネットピース22を複数備えた磁石ユニットを設けたマグネトロンスパッタリング装置とし、磁石ユニットによって作り出されるターゲット表面の水平磁束密度を高くすることによって、ターゲットへ加速されるArイオンのイオンエネルギーを小さくする。すなわち、ターゲット表面の水平磁束密度を高くするとターゲット表面で生成されるプラズマ密度が増加し、同一のDC電力を投入した場合に、プラズマ密度が増加した分だけプラズマインピーダンスが低下してターゲット電圧が低下し、W膜に取り込まれる反射Arの含有量を小さくすることによりW膜の低抵抗化を実現する。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの発生を抑制可能な搬送装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る搬送装置は、チャンバと、チャンバ内の経路に沿って移動可能な基板支持体と、基板支持体上に直線的に並べられた複数のラック磁石を有する第1磁気ラックと、複数のピニオン磁石を有する、回転軸に対して回転可能な第1磁気ピニオンであって、第1磁気ラックの一方の側に配置され、第1磁気ラックとの間に回転軸方向で磁気結合された第1磁気ピニオンと、チャンバに固定して設けられ、基板支持体を移動可能に支持する支持部材とを備え、第1磁気ピニオンを回転することにより、基板支持体を移動させる。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜を形成する際に、界面準位を低減しつつ、EOTのさらなる低減が実現可能な金属酸化物高誘電体エピタキシャル膜の製造方法、および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】単結晶領域102を有する基板101上に、金属膜であって、該金属膜の酸化物の誘電率が酸化シリコン膜よりも高く、かつ金属膜の酸化物が単結晶領域102とエピタキシャル関係を有する金属膜103を、単結晶領域102と金属膜103とが界面反応しない基板温度で形成する(図1(b))。金属膜103が形成された基板101を、上記界面反応しない基板温度で、単結晶領域102と金属膜103とが界面反応しない酸素分圧の酸素ガス雰囲気に暴露する(図1(c))。酸素ガス雰囲気に暴露された基板103を、上記酸素分圧の酸素ガス雰囲気に保持し、金属膜の酸化物である金属酸化物高誘電体膜が結晶化する基板温度で熱処理する(図1(d)。 (もっと読む)


【課題】本発明では、成膜処理のスループットの向上を図ることができ、同時に複数種類の処理が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置1は、被処理材Sをキャリア3に保持した状態で搬送路Rに沿って搬送し、搬送路Rに沿って配置された複数のプロセスチャンバで所定の真空処理を行う装置であり、搬送路Rの角の部分にそれぞれ配置されている複数の方向転換チャンバ内でキャリア3に保持される被処理材Sの交換が行われる。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの発生や基板処理への構造物の影響が抑制され、基板温度制御性が改善され、さらに量産装置に対応し基板の脱着が容易な基板トレイを提供する。
【解決手段】基板を搬送し処理する間、基板を保持するための基板トレイであって、前記トレイは、トレイ本体と、基板を載置するための基板載置部を備えた基板載置板とからなり、前記トレイ本体は開口を有し、前記トレイ本体は該開口の端部に前記基板の周端部を保持する基板保持部を備えており、更に、前記基板載置板を前記トレイ本体に保持すべく、前記トレイ本体には、前記基板保持部より外側に磁石を配設したこを特徴とする基板トレイ。 (もっと読む)


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