説明

日本エー・エス・エム株式会社により出願された特許

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【課題】成膜の間にウエハの裏面に付着するパーティクルの数を減ずることができ、また、膜厚及び膜特性の均一性を改良することができる、サセプタの上面を提供する。
【解決手段】ウエハ支持デバイスは、ベース面と、ウエハを支持するための、ベース面から突出する、丸みのある先端を有する突起部とを含み、丸みのある先端が、全体に該丸みのある先端による点接触によってウエハの裏面が支持されるようになされたものであり、突起部が、上にウエハが配置されるベース面の領域において、実質的に一様に配置され、使用中で判定される突起部の数(N)及び高さ(H:単位μm)が、300mmウエハに対する領域ごとに所定の条件を満たす。 (もっと読む)


【課題】 本発明はSDDPの問題を解消するスペーサ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本方法はテンプレート上に金属酸化物のハードマスクを形成する方法であって、基板上にフォトレジストまたは非結晶性カーボンを与える工程と、式Si(1−x)をもつ材料に構成されるテンプレート上に金属酸化物のハードマスクを原子層成膜により蒸着する工程と、を含み、ここで、Mは少なくとも一つの金属元素を表し、xはゼロを含む1未満の数であり、yは約2または化学量論的に決定される数である。 (もっと読む)


【課題】プラズマ励起化学蒸着(PECVD)により、半導体基板上にSi−N結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び/または水素を含有する反応ガスと希ガスを、中に半導体基板が配置された反応空間に導入する工程と、RFパワーを反応空間に印加する工程と、水素を含有するシリコンガスを含む前駆体を、5秒以下の持続時間をもつパルスの状態で反応空間に導入し、その間プラズマが励起されている状態で反応ガスと希ガスとを中断することなく導入し、それによって基板上にSi−N結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】プラズマ励起原子層の成膜(PEALD)によって半導体基板上にSi−N結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び水素を含有する反応ガス及び添加ガスを、半導体基板が中に配置された反応空間に導入する工程と、高周波RFパワー入力源と低周波RFパワー入力源を使用してRFパワーを反応空間に印加する工程と、プラズマが励起している反応空間に水素を含有するシリコン前駆体をパルスの状態で導入し、このことにより基板上にSi−N結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】リアクタの金属汚染を低減し、歩留まりを向上させる半導体基板処理方法を提供する。
【解決手段】リアクタ2、その内部に設けられた支持体4、及び支持体4と対向して平行に設けられたシャワープレート6を備える基板処理装置1を用いて、半導体基板3を処理する方法は、リアクタ2の内壁面、支持体4の露出面及びシャワープレート6の露出面にプリコート膜を形成する工程と、プリコートした支持体4上に半導体基板3を載置する工程と、半導体基板上に低誘電率の薄膜を形成する工程とを含み、プリコート膜の弾性係数は少なくとも30GPaである。 (もっと読む)


【課題】PEALDにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。
【解決手段】PEALDにより、基板に形成されたレジストパターン又はエッチされたライン上にシリコン酸化膜を成膜する方法が、レジストパターン又はエッチされたラインが形成された基板をPEALDリアクターに与える工程と、基板が配置されたサセプタの温度を成膜温度として50℃未満に制御する工程と、成膜温度を50℃未満の一定の温度に実質的に又はほぼ維持しながら、PEALDリアクターにシリコン含有前駆体及び酸素供給反応ガスを導入して、レジストパターン又はエッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜する工程と、前記レジストパターン又は前記エッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜するために、実質的に又はほぼ一定の温度で成膜サイクルを複数回繰り返す工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に形成された薄膜の紫外線による安定したキュアリングを実行するための方法を与える。
【解決手段】半導体基板をキュアリングするために紫外線照射を管理する方法は、チャンバ内に配置された半導体基板をキュアリングするために、チャンバ内に設けられた透過窓ガラスに紫外線を通過させる工程と、透過窓ガラスの上流側の照度及び透過窓ガラスの下流側の照度をモニターする工程と、透過窓ガラスをクリーニングするタイミング及び/または間隔、透過窓ガラスを交換するタイミング、紫外線ランプを交換するタイミング、及び/またはモニターした照度に基づき紫外線の出力を決定する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】ウエハ搬入精度の高い半導体処理装置を少ない部品点数及び低コストで実現する。
【解決手段】半導体処理装置は、ウエハ搬送機チャンバと、ウエハ処理チャンバと、ウエハ搬送機と、第1光センサであって、ウエハは搬入準備位置で第1光センサにより受光される光を部分的に遮断し、ウエハが搬入準備位置からウエハ処理チャンバへX軸線方向に移動するとき第1光センサにより受光される光を完全に遮断する位置に配置された第1光センサと、第2光センサであって、ウエハは搬入準備位置で第2光センサにより受光される光を遮断せず、ウエハが搬入準備位置からウエハ処理チャンバへX軸線方向に移動するとき第2光センサにより受光される光を部分的に遮断する位置に配置された第2光センサを含む。 (もっと読む)


【課題】ウエハの背面及び外周への不所望な膜形成を効果的に防止するクランプ機構を与える。
【解決手段】半導体基板用のクランプ機構は、C形ピックアッププレート、該C形ピックアッププレートの内周部を受けて支持するように適応された外周を有するサセプタトッププレートと、(i)トップリング部とサセプタトッププレートとの間で基板の外周をサンドイッチすることにより基板をクランプするためのトップリング部と、(ii)C形ピックアッププレートの外周部を支持するよう適応されたピックアッププレート支持部とを含むクランプ部材であって、C形ピックアッププレートはトップリング部とピックアッププレート支持部との間で移動可能であり、クランプ部材はC形ピックアッププレート及びサセプタトッププレートとともに上方に移動可能であるところのクランプ部材と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 処理用支持体であって、該処理用支持体の表面から基板を昇降させるためのリフトピンを含む処理用支持体の表面上に置かれた基板を加工する反応チャンバにおいて、基板の貼り付きの発生を検出する。
【解決手段】 基板の貼り付き発生を検出する方法は、反応チャンバ内を、または反応チャンバを通じて伝搬される振動を、センサにより監視する工程と、基板を反応チャンバ内で加工する間にこの振動が検出された場合に、事前に定められたシーケンスを実施する工程を含み、ここで、この振動は、リフトピンにより基板が処理用支持体の表面から持ち上げられた時の、基板の処理用支持体上への貼り付きを示唆または特定するものであることを特徴とする。 (もっと読む)


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