【課題】処理対象物を搬送、給電などを行う複数のロールにめっき液が付着することを効果的に防止できるめっき装置を提供する。
【解決手段】複数のロールにより略水平方向に搬送される処理対象物を受け入れる入口部１２１と、処理対象物の被めっき面へ下方からめっき液を噴出するめっき液供給部と、処理対象物にめっき電流を供給する給電ロール１１３，１１４と、めっき処理された処理対象物を排出する出口部１２２とを設けためっき槽を備えるめっき装置１００において、めっき液供給部は、被めっき面に対して、入り口部側の斜め下方からめっき液を噴出する第一供給ノズル１３２と、出口部側の斜め下方からめっき液を噴出する、第一供給ノズルに対向して設けられた第二供給ノズル１３３とからなり、第一供給ノズル１３２から噴射されためっき液と、第二供給ノズル１３３から噴射されたメッキ液とが、被めっき面で衝突して落下するようにした。 （もっと読む）

【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤／銅イオン＝１．０〜５００の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のｐＨ４〜６における安定度定数が８．５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ニッケルやパラジウム等の下地金属のめっき被膜に直接金めっき処理ができ、０．１μｍ以上の厚付けの金めっき被膜も形成可能で、均一な金めっき被膜を形成できるとともに、めっき作業を安全に行える無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】水溶性金化合物と、ヘキサヒドロ−２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリアジンまたはヘキサメチレンテトラミンのいずれかを含むことを特徴とする無電解金めっき液に関する。このヘキサヒドロ−２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリアジンまたはヘキサメチレンテトラミンを０．１〜１００ｇ／Ｌ含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、亜硫酸金めっき液を用いて金めっき処理を行う場合において、その液寿命を確実に延長できる金めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明は、亜硫酸金ナトリウムを金源として補給される亜硫酸金めっき液を用いた金めっき方法において、硫酸ナトリウムを含有する亜硫酸金めっき液を、金めっき処理時の液温より低い温度に保持することにより、液中の硫酸ナトリウムを結晶化し、硫酸ナトリウム濃度を低減した亜硫酸金めっき液を金めっき処理に使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が極力抑制されたイリジウムめっき被膜を容易に形成できるイリジウムめっき液及びそのめっき方法を提案する。
【解決手段】本発明は、アニオン成分がハロゲンであるイリジウム（ＩＩＩ）錯塩に、飽和モノカルボン酸、飽和モノカルボン酸塩、飽和ジカルボン酸、飽和ジカルボン酸塩、飽和ヒドロキシカルボン酸、飽和ヒドロキシカルボン酸塩、アミド、尿素からなる群より選ばれた一種以上の化合物を加えて撹拌して得られるイリジウム化合物を用いるイリジウムめっき液において、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの少なくとも一種以上を含有することを特徴とするものとした。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡略化した突起電極の形成方法、及びこれに用いる置換金めっき液を提供する。
【解決手段】本発明に係るバンプ２の形成方法は、電極１２上に形成された導電性のコア２１の表面を、亜硫酸カリウムとポリエチレンイミン又はその誘導体とを含む置換金めっき液を用いて被覆する被覆工程を包含し、一回の被覆工程において、厚さ０．１μｍ以上０．５μｍ以下の金膜２２をコア２１の表面に形成する。これにより、バンプ２を形成するに十分な膜厚の金膜２２を形成するために、被覆処理を繰り返し行う必要がない。その結果、製造工程を簡略化し、コストを低減させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】選択的な部分めっき処理が可能で、コネクターなどの電子部品に好適な硬質金系めっき液を提供する。
【解決手段】可溶性金塩または金錯体、伝導塩、キレート化剤を含む硬質金系めっき液において、１つ以上のニトロ基を有する芳香族化合物、例えば、ニトロ安息香酸、ジニトロ安息香酸、ニトロベンゼンスルホン酸の一群から選ばれる芳香族化合物を含有することを特徴とする。また、コバルト塩、ニッケル塩、銀塩の少なくとも１種の金属塩、或いはポリエチレンイミンの有機添加剤をさらに含むことを特徴する。 （もっと読む）

【課題】 異方性導電膜に含まれる導電性粒子の粒子径が小さい場合であっても、これを均一に潰すことが可能であり、良好な導通特性を得ることが可能な電気的接続体を提供する。
【解決手段】 電気的接続体は、第１の電子部材である半導体素子１と第２の電子部材である配線基板３とが異方性導電膜５を介して電気的に接続されて構成される。いずれか一方の電子部材（ここでは半導体素子１）には、バンプ（突起電極）２が形成されており、バンプ２の頂部は、表面粗さＲａが０．０５μｍ以下の平坦面とされている。異方性導電膜５に含まれる導電性粒子６の平均粒径は、４μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 電解めっき処理において、電極間距離やアノード電極の面積を変えることで、めっき電流分布を調整して、めっき厚みの均一性を制御することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、めっき槽内に、多数の孔を備えた板状アノード電極を少なくとも２枚以上具備し、かつ２枚以上の板状アノード電極を階層状に配置する。そして、２枚以上の板状アノード電極の内、いずれか１枚にめっき電流を流し、若しくは、２枚両方にめっき電流を流すことにより、めっき電流分布を調整し、もって、めっき厚みの均一性、特に面内バラツキを小さくする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハーの被めっき面全面でのめっき膜厚が均一となるウェハーめっき処理技術を提供する。
【解決手段】
めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整するものとした。 （もっと読む）