説明

エヌ・イーケムキャット株式会社により出願された特許

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【課題】 製造が容易な白金錯体であって、媒体に有害性の高い溶剤を使用する必要のない、セラミック基材への電極形成に適した無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】 ビス(2,4−オクタンジオン)白金錯体などの白金錯体0.005〜10.000質量%と、有機溶剤60.000〜99.895質量%と、増粘剤0.100〜30.000質量%とを含有する無電解めっき前処理剤。有機溶剤としては、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテートが好ましい。セラミック基材の表面に、前記無電解めっき前処理剤を塗布した後、350〜450℃で焼成することによりセラミックス基板上に白金の触媒を形成し、次いで前記触媒上に無電解白金めっきを行い、セラミック基板に電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】常圧下、水素存在下で脂肪族ケトンの接触水素化による脂肪族第2級アルコールを製造する方法を提供する。
【解決手段】白金固定炭素粒子からなり、白金含有率が7重量%以上である触媒の存在下で、カルボニル基をただ一つ有する脂肪族ケトンを接触水素化し、脂肪族第2級アルコールに転換する反応に用いられる白金固定炭素触媒。 (もっと読む)


【課題】平均粒子直径を1.0 nm以下の範囲内で意図的に制御しつつ、パラジウムサブナノ粒子を得ることができるパラジウムサブナノ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】デンドリマー分子の存在下でパラジウム化合物とパラジウム化合物をパラジウム粒子に変換する変換剤とを、モル比:(該変換剤)/(該パラジウム化合物中のパラジウム原子)が1.0〜10となる量比で反応させることを含む平均粒子直径が1.0 nm以下であるパラジウム粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 (もっと読む)


【課題】プリント基板又はウエハー上に形成されたアルミニウム又は銅からなる導体パターンを被覆するパターンめっきとその形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又はウエハー1上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン3上に形成されたパターンめっき9であって、導体パターン3上に順次形成された無電解ニッケルめっき皮膜5、無電解金-パラジウム合金めっき皮膜7からなるパターンめっき。ニッケルめっき皮膜の膜厚は1〜20μm、金-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚は0.01μm以上とすることが好ましい。金-パラジウム合金めっきには、可溶性金塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解金-パラジウム合金めっき液を使用する。 (もっと読む)


【課題】公知の金−白金コアシェルナノ粒子コロイドよりも真球度が高く且つ一層シャープな粒度分布を有する金−白金コアシェルナノ粒子コロイド、及びその実用的で再現性の高い製造法を提供する。
【解決手段】金ナノ粒子の表面に一次粒径が5nm以下の微細白金ナノ粒子を、金対白金の原子比が0.5〜2の範囲で担持してなり、動的光散乱法で測定される粒度分布曲線が単一ピークを示し、平均粒径が50〜100nmの範囲にあり、且つ該粒度分布の分散度係数が0.08以下である金−白金コアシェルナノ粒子を含むコロイド;金コロイド粒子形成化合物を媒体中で還元剤を用いて還元して金ナノ粒子コロイドを調製し、しかる後、該金ナノ粒子コロイドに白金含有化合物を添加しそして還元して、該金ナノ粒子の表面上に選択的に白金ナノ粒子を析出させる金−白金コアシェルナノ粒子コロイドの製造法。 (もっと読む)


【課題】亀裂や固体電解質体からの剥離が生じにくいとともにガス透過性及びガス反応性に優れた測定電極形成用のペースト、及びそれを用いて形成した測定電極を有するガスセンサ、並びにそのガスセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のガスセンサ1は、酸素イオン伝導性の固体電解質体21と、該固体電解質体21の一方の面に設けた測定電極22と、固体電解質体21の他方の面に形成した基準電極23とを有する。測定電極22は、少なくとも、溶剤と、バインダと、貴金属と、セラミックと、Rh23とを含有してなる測定電極22を形成するためのペーストを焼成してなる。 (もっと読む)


【課題】金めっき皮膜からなるバンプと同等の硬度、表面粗さを有し、安価な材料で形成されるバンプとその形成方法を提供する。
【解決手段】下地めっき層10と表面めっき層12とからなる高さ15〜22μmのバンプであって、下地めっき層が、ニッケル、パラジウム、銀、錫又はこれらの合金からなる1層または2層以上のめっき皮膜からなり、表面めっき層がバンプ高さの30%以上の膜厚の金めっき皮膜からなるバンプ。このバンプは、パターンニングされた半導体ウエハー1上に、ニッケル、パラジウム、銀、錫又はこれらの合金からなる1層又は2層以上の下地めっき層10を電解または無電解めっきにより形成した後、電解金めっきにより表面めっき層12を形成することにより形成する。 (もっと読む)


【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩5〜150g/Lと、緩衝剤と、分子量2000〜6000のポリアルキレングリコール0.01〜10mg/Lと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはTl化合物、Pb化合物、またはAs化合物が、水溶性アミンとしては炭素数2〜6のジアミン化合物が好ましい。 (もっと読む)


【課題】異方性導電接着剤を用いた熱圧着による接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、結晶調整剤と、亜硫酸カリウムからなる伝導塩5〜150g/Lと、分子量が200〜6000のポリアルキレングリコール1mg/L〜6g/L及び/又は両性界面活性剤0.1mg〜1g/Lと、水溶性アミン及び/又は緩衝材とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。パターンニングされたウエハ上に本発明の金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、200〜400℃で5分以上熱処理することにより、皮膜硬度が50〜90Hv、表面の高低差が1.8μm以下のバンプが形成される。 (もっと読む)


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