説明

日本化学工業株式会社により出願された特許

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【解決課題】リチウム二次電池の体積当たりの容量を高くすることができるリチウムニッ
ケルマンガンコバルト複合酸化物の製造方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式(1):LiNi1−y−zMnCo(1)で表されるリチウムニッケルマンガンコバルト複合酸化物の製造方法であって、少なくともニッケル化合物、マンガン化合物及びコバルト化合物を含む凝集体を得る凝集体製造工程と、該凝集体と、リチウム化合物と、を混合して、焼成原料混合物を得る焼成原料混合工程と、該焼成原料混合物を焼成し、リチウムニッケルマンガンコバルト複合酸化物を得る焼成工程と、を有し、該凝集体の圧縮破壊強度が0.6〜3.0MPaであること、を特徴とするリチウムニッケルマンガンコバルト複合酸化物の製造方法 (もっと読む)


【解決課題】容量維持率を高くすることができるリチウムニッケルマンガンコバルト複合酸化物の製造方法を提供すること。
【解決手段】噴霧乾燥原料粒子として、ニッケル化合物粒子、マンガン化合物粒子及びコバルト化合物粒子を含有し、且つ、該噴霧乾燥原料粒子の平均粒径が0.9〜1.6μmであるスラリーを、噴霧乾燥して、BET比表面積が80〜100m/gの噴霧乾燥物を得る噴霧乾燥工程と、該噴霧乾燥物と、リチウム化合物と、を混合して、焼成原料混合物を得る焼成原料混合工程と、該焼成原料混合物を焼成し、下記一般式(1):LiNi1−y−zMnCo(1)で表されるリチウムニッケルマンガンコバルト複合酸化物を得る焼成工程と、を有することを特徴とするリチウムニッケルマンガンコバルト複合酸化物の製造方法。 (もっと読む)


【解決課題】ノンクロムでありながら、耐食性及び耐指紋性に優れる金属表面処理剤及び金属表面処理方法を提供すること。
【解決手段】防錆成分が溶媒に溶解又は分散しており、該防錆成分の全部又は一部がフィチン酸チタンであることを特徴とする金属表面処理剤。 (もっと読む)


【課題】新規の、γ位のキラル中心を有するα−ケト酸エステル化合物およびその合成方法を提供する。
【解決手段】キラルホスホラミダイト配位した銅塩の存在下で、ジアルキル亜鉛と構造式(2)の化合物を反応し、構造式(1)の化合物を生成させる。


(式中、R1は、置換していても良いアリール基等を、R2は、直鎖または分岐鎖のアルキル基、アリール基等を、R3はアルキル基を、*は、キラル中心を表す。) (もっと読む)


【課題】有機材料の難燃性付与剤、難燃性物品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】難燃性付与剤は、下記一般式で表されるホスホニウム塩、


(上記式中、R,R,R,Rはそれぞれ独立して炭素数1〜8の分岐していてもよいアルキル基を表し、Xはアニオンを表す。)
テトラアルコキシシラン、二酸化ケイ素及びアルカリを混合してなる。前記ホスホニウム塩はテトラアルキルホスホニウムをカチオンとしてなるイオン性液体であり、前記アルコキシシランはテトラエトキシシランであることが好ましい。難燃性物品は有機材料を含む基材を備え、その表面に上記一般式で表されるホスホニウム塩、アルコキシシラン及び二酸化ケイ素を含む組成物をアルカリを用いて縮合させることにより形成された皮膜を備える。 (もっと読む)


【課題】香料等として有用なγーバレロラクトンを効率よく製造する方法の提供。
【解決手段】下記化学式(1a)〜(1b)


から選ばれるアルケン化合物を抱接したアルミノシリケートを100℃以上で加熱処理して前記アルケン化合物を分子内環状化することを特徴とするγーバレロラクトンの製造方法。 (もっと読む)


【課題】工業的に有利な方法で、且つ環境負荷の少ない方法でγ―ヘプタノラクトン等の5員環ラクトン類を効率よく製造する方法の提供。
【解決手段】下記一般式(1)又は下記一般式(2)


(式中、RはC2n+1で表わされるアルキル基、RはC2n−1で表わされるアルケン基を示し、nは2〜8の整数を示す。)で表わされる反応基質を、アルミノシリケートと80℃以上で接触させて、前記反応基質を分子内環状化するラクトン類の製造方法。 (もっと読む)


【課題】浄化すべきガス中に酸素が高濃度で存在する場合や、浄化すべきガスの温度が低い場合であっても、該ガス中に含まれる一酸化窒素やハイドロカーボンを効果的に吸着除去できるFe(II)置換ベータ型ゼオライトを提供すること。
【解決手段】Fe(II)イオンによってイオン交換されたFe(II)置換ベータ型ゼオライトである。このFe(II)置換ベータ型ゼオライトにおいては、SiO2/Al23比が10〜18であり、BET比表面積が400〜700m2/gであり、ミクロ孔比表面積が290〜500m2/gであり、かつミクロ孔容積が0.15〜0.25cm3/gである。Fe(II)の担持量は、Fe(II)置換ベータ型ゼオライトに対して0.01〜6.5質量%であることが好適である。 (もっと読む)


【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径/短径比が1.2〜10の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 (もっと読む)


【課題】構造規定剤を用いず、かつ安価にMTW型ゼオライトを製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】シリカ源、アルミナ源、アルカリ源及び水を含む反応混合物と、ゼオライトの種結晶とを反応させて、MTW型ゼオライトを製造する方法である。前記反応混合物として、該反応混合物のみからゼオライトを合成したときに、合成された該ゼオライトがMFI型ゼオライトを含むものとなる組成の反応混合物を用いる。前記種結晶としては、SiO2/Al23比が8〜50であり、かつ構造規定剤を含まないベータ型ゼオライトを用いる。前記種結晶を、前記反応混合物中のシリカ成分に対して0.1〜20質量%の割合で該反応混合物に添加し、前記種結晶が添加された前記反応混合物を100〜200℃で密閉加熱する。 (もっと読む)


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