【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】機械式の冷却設備の冷却能力を超える熱負荷がかかった場合や能力を超える設定温度に熱媒を冷却する必要がある場合に、コストの大幅な上昇を抑えつつ熱媒を所定の温度に冷却することが可能な熱媒冷却装置及び熱媒冷却装置の運転方法を提供する。
【解決手段】熱媒が循環する循環経路と、主循環ポンプ２と、循環経路の低温反応槽１の二次側に設けられ、冷媒と熱媒とを熱交換する熱交換器５と、熱交換器５の二次側と低温反応槽１の一次側との間の循環経路に設けられ、熱媒の凝固点よりも低い凝固点を有する中間熱媒と熱媒とを熱交換する熱交換器１５と、中間熱媒が循環する循環経路Ｌ１１と、中間熱媒と液化窒素とを熱交換する熱交換器１４と、低温反応槽１に供給する熱媒の温度を所定の温度に制御する温度制御手段と、を備えることを特徴とする熱媒冷却装置１００を選択する。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒータとしてＳｉＣヒータを用いてＧａＮ薄膜を気相成長させる気相成長装置において、ＳｉＣヒータが窒化しないパージ方法、該パージ方法を適用した気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置１における抵抗加熱ヒータのパージ方法は、基板２５の加熱手段としてＳｉＣヒータ１１を用い、ＳｉＣヒータ１１によって基板２５の温度を１０００℃以上に加熱して基板２５に窒化物系化合物半導体膜を形成する気相成長装置におけるＳｉＣヒータ１１のパージ方法であって、ＳｉＣヒータ１１をパージするパージガスとして、アルゴン、キセノン、またはこれらの混合ガスのいずれかを用いることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】水素ガスが圧縮機を通過することで発生するエネルギーロスを低減させた上で、回収容器内に回収された水素ガスを水素自動車の燃料タンクに充填することの可能な水素ガス充填方法、及び水素ガス充填装置を提供する。
【解決手段】圧縮機１２により、圧縮された水素ガスを貯蔵容器３６内に貯蔵し、次いで、貯蔵容器３６内に貯蔵された水素ガスを導出させて冷却し、次いで、冷却した水素ガスにより、冷却手段よりも下流側に位置する管路及び該管路に設けられた機器を冷却し、次いで、管路及び該管路に設けられた機器の冷却に使用した水素ガスを回収容器８２内に回収し、その後、回収容器８２内に回収された水素ガスを、圧縮機１２及び貯蔵容器３６を経由することなく、水素自動車１９の燃料タンクに充填する。 （もっと読む）

【課題】キーホール溶接に際して垂れ落ちや不整がない安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができるプラズマアーク溶接方法及びプラズマアーク溶接装置の提供。
【解決手段】溶接電流にパルス電流を用いると共に、このパルス電流のパルス周波数を溶融池Ｐが同期する周波数に制御して溶接する。これによって、キーホール溶接に際して垂れ落ちや不整がない安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】試料ガス中の一酸化炭素、二酸化炭素及びメタンを一台の分析装置によって同時に分析することができる分析方法を提供する。
【解決手段】試料ガスを、濃縮管１２に充填した炭素微粒子集合体からなる充填剤、あるいは、ポーラスポリマービーズと活性アルミナとからなる充填剤に低温状態で接触させて一酸化炭素、二酸化炭素及びメタンを吸着させて濃縮した後、加熱して脱離させた一酸化炭素、二酸化炭素及びメタンを炭素微粒子集合体からなる充填剤を充填した分離カラム１３に導入して単成分に分離し、一酸化炭素及び二酸化炭素をそれぞれメタン化装置１４でメタン化した後、試料ガス中に含まれていたメタン、一酸化炭素をメタン化したメタン、二酸化炭素をメタン化したメタンを水素炎イオン化検出器１５で定量する。 （もっと読む）

【課題】キーホール溶接に際してその良否を精度良く判定できる新規なプラズマアーク溶接のモニタリング方法及びプラズマアーク溶接装置の提供。
【解決手段】プラズマアークによるキーホール溶接をモニタリングする方法であって、一定電流を用いて溶接したときの出力電圧を計測するステップと、計測した出力電圧のうち溶融池Ｐの振動と相関ある溶接電圧を周波数解析してピーク周波数とその分布を求めるステップと、溶融池Ｐの振動と相関あるピーク周波数を特定するステップと、特定したピーク周波数と周波数レンジとを比較して溶接の良否を判定するステップとを含む。これによって、溶融池Ｐの振動と相関あるピーク周波数と周波数レンジとを比較するだけで良好なキーホール溶接が行われているか否かを精度良く判定することができる。 （もっと読む）

【課題】キーホール溶接に際して安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる新規なプラズマアーク溶接方法及びプラズマアーク溶接装置の提供。
【解決手段】溶接時に出力される溶接電圧を検出し、その溶接電圧の周波数がその溶融池Ｐの固有振動数とほぼ一致するようにその溶接電圧の周波数を制御する。これによって、溶融池Ｐの振動数をその固有振動数に容易に制御することが可能となるため、キーホール溶接に際して安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜を成膜する際に、金属薄膜材料の蒸気圧を向上させて、単位時間当たりの有機金属の供給量を増大させるとともに、配管へ吸着した原料を効率よくパージする金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】コバルトに金属原子が環状炭化水素を含み、炭素、窒素、水素ならびに金属元素のみからなり、酸素を含まない構造であることを特徴とする金属薄膜材料を提供する。また、そのような金属薄膜材料の蒸気を基板表面に搬送し、窒素を含有する反応性ガスを、前記金属薄膜材料の蒸気と同時または順次に基板表面に供給することを特徴とする金属薄膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）