株式会社アルバックにより出願された特許

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【課題】予備スパッタの安定化を図ることにより膜質や膜厚制御性を向上させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】シャッタ板15は、回動経路Rに設けられてターゲット18とシャッタ板15との間にターゲット18を遮蔽するための遮蔽面15Uを有し、また、回動経路Rに設けられてターゲット18とシャッタ板15との間に基板S側に向かって凹設された凹部15Bとを有する。そして、シャッタ板15は、ターゲット18のプレスパッタを実行するとき、その凹部15Bとターゲット18とを対向させ、ターゲット18の本スパッタを実行するとき、その開口15Aとターゲット18とを対向させる。 (もっと読む)


【課題】 単位面積当たりのイオン量が減少することなく、任意の浸透深さでイオンを注入できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】 真空中で保持された基板Sに対し、加速器16により加速することで所定の注入エネルギーに制御したイオンビームを照射し、X、Y方向に走査させて所定のイオンを注入する。その際、加速器での注入エネルギーを保持した状態で、イオンビームに対して基板Sを傾け、当該傾きに応じてイオンの浸透深さを変化させる。 (もっと読む)


【課題】 待機位置で各塗布ヘッドからのインクの吐出準備を行う際に、無駄にインクが消費されることがない作業性のよいインクジェット式塗布装置の吐出準備方法を提供する。
【解決手段】 塗布ヘッド3のノズル32端にキャップ8を装着し、塗布に用いられるインクを収納したインク収納部5が各塗布ヘッドより上方に位置する状態で当該インク収納部内を負圧状態から大気開放し、各塗布ヘッドの先端とキャップとの間に間隙を設けて当該間隙Cにインクを染み出させ、前記キャップを離脱させた後、前記インク収納部を再度減圧する。 (もっと読む)


【課題】処理効率の低下を抑制することができるアッシング装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ11内に供給された酸素ラジカルを拡散するシャワー板31と基板Wを載置する基板ステージ20との間に、多孔板としての金属防止板34を配設した。この金属防止板34は、酸素ラジカルの導入側に金属酸化物層からなる第1層と、基板Wと対向する側に、チャンバ11内で処理される基板Wにおいて露出した金属よりなる第2層とを備え、酸素ラジカルが通過する貫通孔が形成されている。 (もっと読む)


【課題】
簡易かつ安価に薄膜太陽電池を製造する。
【解決手段】
透明絶縁基板10に、少なくとも透明電極層11、半導体層13および裏面電極層15をその順に形成してなる薄膜太陽電池1であって、透明絶縁基板10の周縁にある透明電極層11から裏面電極層15までが除去され、かつその除去された領域18よりも透明絶縁基板10の内側であってセル列を横切って裏面電極層15から半導体層13までをスリット状に除去したスクライブ線17を有する薄膜太陽電池1とする。 (もっと読む)


【課題】反りが生じた基板に割れ又はクラックを生じさせることなくエッチングを行う。
【解決手段】基板Wの反り量はエッチング対象膜の膜厚に大きく関係し、その膜厚が大きいほど膜応力も大きくなる結果、基板の反り量は大きくなる。一方、エッチングが進行するとエッチング対象膜の膜厚は減少し、膜応力も徐々に緩和されることから、基板の反り量は小さくなる。そこで本発明では、エッチングの開始から終了にかけて、基板に印加するバイアス電圧を段階的に大きくする。これによって、基板の反り量が比較的大きく冷却効率が低いエッチング開始直後において、イオンアシスト作用による加熱で基板に割れ又はクラックが生じることを回避する。そして、エッチングが進行し、基板の反り量が小さくなると、冷却用ガスによる基板裏面の冷却効率が高まるため、バイアス電圧を大きくしても基板の所定以上の温度上昇が防止される。 (もっと読む)


【課題】立体形状を有する基板を備えた電子デバイスの製造方法に関し、インクジェット法を用いてこの基板上に微細な配線を形成する。
【解決手段】基板1は、円筒形の基材と、この基材の周囲に巻かれた樹脂フィルムとを有し、樹脂フィルムの表面には、凹部および凸部が設けられている。基板1をその長手方向軸の周りに回転させながら、インクジェット法により凹部にインクを塗布した後、加熱してシード層を形成する。次いで、シード層の上にメッキ法によって導電膜を形成する。インクの塗布は、カラーCCDカメラで確認しながら行い、所望の箇所にインクが塗布されていない場合には塗布を停止するようにすることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】マスク保持部材及びそのマスク保持部材に密着保持された遮光マスクを介して被照射物に光を照射する光照射装置において、マスク保持部材を平坦化する。
【解決手段】マスク保持部材22における周縁部22a以外の部分に固定された連結部35には、吊下部としてのワイヤ40が連結され、その連結部35をワイヤ40により吊り上げる。 (もっと読む)


【課題】 基板全面に亘って反応ガスを略均等に供給し、膜厚分布や比抵抗値などの膜質を基板全面で略均一にできる簡単な構成のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 スパッタ室11a内に所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット41と、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Eと、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段8とを備え、反応ガスを導入するガス導入手段は、少なくとも1本のガス供給管84を有し、このガス供給管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、反応ガスを噴射する噴射口84aが形成されている。ターゲット相互間の各間隙を通って流れる前記反応ガス流量の調整を可能とする調節手段9が設けられている。 (もっと読む)


【課題】大径薄肉の被処理基板であっても搬送ロボットと基板ステージとの間で被処理基板を確実に受け渡すことができるようにした基板リフト装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Sの下面外周部を支持する支持部材7が基板ステージ1に対し昇降自在に設けられる。支持部材7の上昇端位置では、支持部材7の下に搬送ロボット4のフィンガー部6が通過可能な空間が確保されるようにする。また、フィンガー部6が基板ステージ1の直上位置に存する状態でロボットアーム5に合致する支持部材7の周方向部分に切欠き7bが形成される。この切欠き7bに合致する被処理基板Sの部分を支持するサブ支持部材10が支持部材7から分離独立して昇降するように設けられる。また、基板ステージ1に、被処理基板Sの外周部以外の部分を支持する昇降自在な複数のリフトピン13が設けられる。 (もっと読む)


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