【課題】 真空チャンバ内のターゲット近傍に設けられた構造物に付着した発生した物質が剥離して微粉塵となることを抑えることを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをＴとして、半径１．５Ｔの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハンドの原点位置において多関節アームの姿勢を安定に保持する。
【解決手段】一端が基台６３の支持軸９１に支持され、他端が基板支持用のハンド６２に接続された多関節アーム６１と、ハンドの直線移動を案内するリニアガイド６６と、ハンドをリニアガイドのガイドレール６７ａに沿って移動させるベルト７６と、ベルトを駆動する駆動機構６８とを備え、多関節アーム６１の第１アーム７１Ａ，７１Ｂと第２アーム７２Ａ，７２Ｂがほぼ平行となるハンドの原点位置で、支持軸９１の周りへの多関節アームの回動を規制するロック機構１００を備える。ロック機構１００は、ロックバー１０１と保持アーム１０２の接触によってアームの回動規制を行う。ロックバー１０１は、ハンドがその原点位置から所定距離移動するまでの間にわたり、ベルト７６と同期して移動するとともに、保持アーム１０２との接触状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】開口径が１μｍ以下のビアホールに対しても適正にカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブの作製方法は、筒状のアノード電極２１と、アノード電極内に配置された蒸着材料２２Ａを有するカソード電極２２と、カソード電極から離間してアノード電極内に配置されたトリガ電極２３とを備えた同軸型真空アーク蒸着源１３が用いられ、蒸着材料２２Ａとしてカーボンナノチューブの触媒層を構成する金属材料を用い、この金属材料の微粒子を基板の表面に蒸着させる第１の工程と、蒸着材料として炭素系材料を用い、この炭素系材料の微粒子を上記触媒層の上に蒸着させてカーボンナノチューブを成長させる第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気中で封着材料を焼成できる技術を提供する。
【解決手段】第一、第二のパネルをリング状の封着材料を挟んだ状態（封着対象物６０）で真空槽３１内に配置し、真空槽３１内を真空排気系５０で真空排気しながら封着対象物６０を加熱し、封着材料を焼成する際に、真空槽３１内にガス導入系４０から酸素ガスと希釈ガスを導入する。焼成中に真空槽３１内の全圧を圧力測定装置３９で測定し、これとガス流量計４５，５５の測定値とから制御装置３５により酸素ガス圧力を算出する。真空槽３１内が一気圧よりも低い状態を維持しながら下限圧力を下回らないように、酸素ガス流量と希釈ガス流量をガス流量コントローラ４２，５２で制御する。酸素によって封着材料中の有機バインダーが燃焼され、封着材料は二酸化炭素や水となって真空排気される。 （もっと読む）

【課題】数〜数十原子層の膜厚からなる絶縁体層の膜厚に関して汎用性を損なうことなく測定精度を向上させた膜厚測定方法、及びその膜厚測定方法を用いて絶縁障壁層の膜厚を制御する磁気デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】測定対象層１１と、測定対象層１１と異なる電子密度を有するスペーサ層１２とが基板Ｓの上に交互に積層された測定試料１０に対してＸ線を照射して小角度のスキャンを行うことにより測定試料１０のＸ線回折スペクトルを測定する。そして、Ｘ線の波長をλ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｎ次の回折角をθ_ｎ、Ｘ線回折スペクトルに基づくｍ次の回折角をθ_ｍ、スペーサ層１２の膜厚をスペーサ膜厚Ｔ_ｒとするとき、測定対象層１１の対象膜厚Ｔ_ｐを式（１）に基づいて測定する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】比抵抗の小さい銅薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。基板１５表面に形成された銅薄膜を大気中に放置しておくと、比抵抗が低下し、バルク銅の値に近づく。導入する大気の分圧は、１．３３×１０^-4Ｐａ以下の圧力にすると効果的である。分圧値を小さくするためには、間欠的に導入するとよい。 （もっと読む）

【課題】プロジェクタ用光源装置のリフレクタに用いても、高温環境で結晶化して剥離等の劣化を引き起こすことのない、ニオブ酸化物を主体とした非晶質構造の透明被膜、およびこの透明被膜を製造するための成膜装置、また、この透明被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明被膜１７を構成する低屈折率層１７ａと高屈折率層１７ｂのうち、高屈折率層１７ｂをニオブ酸化物を主体として、Ｔｉまたはその酸化物を含ませることによって、ニオブ酸化物の結晶化温度を少なくとも６００℃以上にすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水蒸気バリア性と特に剥離強度に優れる樹脂基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層の上に化学気相成長法により成膜開始温度が５０℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とするＳｉＮ層を少なくとも１層有する表面層とを有することを特徴とする樹脂基板。 （もっと読む）

【課題】 高い成膜速度と基材上の段差に対して十分なカバレッジ性を有する成膜方法及び装置構成が簡素で低コストな成膜装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ内に、その周面に基材を配置することができるように構成された回転可能な回転ドラムと、前記基材に対向して配置されるマグネトロン磁気回路とを備え、前記マグネトロン磁気回路は、前記回転ドラムの接線方向に移動可能に構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水蒸気バリア性と特に剥離強度に優れる樹脂基板を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂層と、この樹脂層の表面に形成された表面層を有する樹脂基板であって、前記表面層は、（ａ）前記樹脂層の表面に形成され、化学気相成長法により成膜開始温度が５０℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とする第１のＳｉＮ層と、（ｂ）前記第１のＳｉＮ層上に形成され、化学気相成長法により成膜開始温度が１７０℃以下で成膜された窒化ケイ素を主成分とする第２のＳｉＮ層とを有することを特徴とする樹脂基板。 （もっと読む）