株式会社アルバックにより出願された特許
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化合物半導体の成長方法及び装置
【課題】
ゲートリークの少ない高移動度高品質GaN系ヘテロ接合FETの実現を可能とする成長方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明では、ニ次元電子が高速で走行することが可能であるようにノンドープGaN層についてはMOCVD法を用いて転位密度の低い高品質膜を作成し、さらにこのノンドープGaN層上に成長させるn型AlxGa1−xN層についてはゲートリークを抑えるために表面平坦性に優れたn型AlxGa1−xN層が得られるようにMBE法で成長させる。
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トンネル接合素子の製造方法およびその製造装置
【課題】 トンネルバリア層のショートを防止しつつ、微細化を実現することが可能な、トンネル接合素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 トンネル接合膜10aをトンネルバリア層15内までエッチングして所定パターンの凹部20を形成する第1エッチング工程と、(a)凹部20の側面に絶縁膜24を形成して絶縁性を確保する絶縁膜形成工程と、(b)トンネルバリア層15を貫通して凹部20を所定深さまでエッチングする第2エッチング工程とを有する。
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ホイスラー合金膜の成膜方法及びトンネル磁気抵抗素子
【課題】 ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 放電ガスとしてキセノンを用いて、Co2MnAl、Co2MnSi、CoCrAl、NiMnSb、SrLaMnO、PtMnSb、Mn2VAl、Fe2VAl、Co2FeSi、Co2MnGe、Co2FexCr(1-x)Alなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。
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印刷装置及び印刷方法
【課題】膜厚均一な樹脂膜を広い領域に形成する。
【解決手段】本発明の印刷装置1は蒸気発生装置20を有しており、印刷ヘッド55で塗布液が基板11上の印刷領域に塗布されると、塗布された部分は蒸気発生室26内に送られる。蒸気発生装置20は蒸気放出面22に形成された小孔から加湿液の蒸気を放出し、その蒸気が蒸気発生室26内に充満して加湿雰囲気が形成されるので、印刷された塗布液はその加湿雰囲気に置かれると、加湿液の蒸気で膨潤する。従って、印刷領域の残りの部分が印刷されている間に、先印刷された部分が乾燥しないので、印刷後の塗布液は全体が膨潤した状態が維持され、乾燥工程で乾燥むらが起こらず、膜質の良い樹脂膜が形成される。
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密閉型モータ
【課題】 製造コストを大幅に増大させることなく、ステータコアは勿論、コイルエンドも効果的に冷却することが可能な密閉型モータを提供すること
【解決手段】 ハウジング11と筒状のキャン12の外周面とによって囲われた空所V内に設置されたステータコア13Aとコイルエンド13Bとからなるステータ13と、キャン12の内部であるロータ室14内の出力軸15に取り付けられたロータ16とを備えたキャンドモータ10において、上記空所Vに絶縁油Jを封入したものであり、ハウジング11の頂部には絶縁油Jに連通する油溜め18と給油管19を設け、絶縁油Jの封入時には油溜め18の上部に小空間Qを残す。
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エッチング方法および装置
【課題】 付着物を確実に除去することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応ガスを導入して、トンネル接合膜10aにバイアスを連続的に印加しつつ、プラズマを間歇的に発生させる。(a)プラズマ非発生時には、反応ガス分子92aが凹部20の側壁に等方的に吸着して、揮発性化合物が形成される。(b)プラズマ発生時には、反応ガスイオン94を凹部20の側壁に衝突させて、揮発性化合物を雰囲気中に離脱させることができる。これにより、凹部20の側壁への付着物22を確実かつ効率的に除去することができる。
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トンネル接合素子のエッチング加工方法および装置
【課題】 トンネルバリア層のショートを防止することが可能な、トンネル接合素子のエッチング加工方法を提供する。
【解決手段】 (c)トンネル接合膜10aのトンネルバリア層15を貫通して、所定パターンの凹部20を形成する異方性ドライエッチング工程と、(d)凹部20の側壁付着物(22)を除去する等方性ドライエッチング工程とを有する。その等方性ドライエッチング工程は、100Pa以上1000Pa以下の反応ガスを導入し、その反応ガスにプラズマを点火しつつバイアス電力を印加しないで行う。
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静電チャック、静電吸着方法、加熱冷却処理装置、静電吸着処理装置
【課題】ガラス基板などの絶縁性基板を静電吸着することができる静電チャック、その静電チャックを用いた絶縁性基板加熱加熱冷却装置および絶縁性基板の温度制御方法を提供する。
【解決手段】複数の電極が交互に隣接するように入り組んで設けられた誘電体基板を備えた静電チャックであって、その複数の電極の隣接する電極間の距離を小さくし、誘電体基板の厚さと電極の幅を薄くして、電極間に電位差を与えて誘電体の吸着面上に不均一電界を形成させ、その不均一電界により発生するグラジエント力で絶縁性基板を吸着する。
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巻取式真空蒸着装置及び巻取式真空蒸着方法
【課題】プラスチック単層フィルムでなるベースフィルムに熱変形を生じさせることなく金属膜を成膜することができる生産性に優れた巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】金属膜の蒸着前において原料フィルム12に電子ビームを照射する電子ビーム照射器21を配置すると共に、キャンローラ14には直流バイアス電源22の正極を接続し、補助ローラ18には直流バイアス電源22の負極を接続する。これにより、金属膜の蒸着前は電子ビームの照射により帯電させた原料フィルム12をキャンローラ14に密着させ、金属膜の蒸着後は補助ローラ18に電気的に接続される金属膜とキャンローラ14との間に印加したバイアス電圧によって原料フィルム12をキャンローラ14へ密着させる。
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半導体基板の非成膜部分への成膜材料による汚染の評価方法
【課題】 半導体基板の非成膜部分における金属系成膜材料による汚染状態を容易かつ正確に評価し得る方法を提供すること
【解決手段】 汚染評価装置1の真空容器8内において電子銃2から放射される電子線eを、電子レンズ3でビーム径を100μm程度に絞って評価試料S上に真円状に照射する。電子線eは必要に応じ走査コイル4で評価試料Sの面上を任意の方向、例えば直径方向に走査される。そして、電子線eの照射によって評価試料Sの非成膜部を汚染している成膜材料の金属成分から発生する固有の特性X線x の強度をX線検出器6で測定する。
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