成膜材料を用いて基板上に薄膜を形成する成膜装置の構成部品において、付着膜が破壊・剥離しにくい表面構造を有する上記構成部品であっても、洗浄時には短時間で容易に付着膜を除去できるような構造を持つ構成部品及びその洗浄方法。成膜装置の構成部品と上記薄膜の形成時にこの構成部品の表面に付着した上記成膜材料からなる付着膜との界面に洗浄液を浸入させるために、構成部品の裏面から表面に至る多数の貫通孔を設けることにより、付着膜を表面のみから洗浄液で溶解させる場合に比べて、短時間で容易に付着膜を剥離して除去することができるようになった。
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【課題】 装置の大型化を回避しながら、高電圧発生部と密閉容器との間の耐電圧の確保を図ることができ、更には、加速部構造の簡素化をも図ることができる高電圧発生回路の絶縁方法及び荷電粒子加速器を提供する。
【解決手段】 高電圧発生部２０，２１と、荷電粒子を加速する加速部１９Ａ，１９Ｂとが、それぞれ密閉容器１８の内部空間に配置されており、加速部１９Ａ，１９Ｂが高電圧発生部２０，２１と密閉容器１８の内壁との間に配置された荷電粒子加速器３０に用いられ、密閉容器１８の内部空間を、荷電粒子が通る加速部１９Ａ，１９Ｂの内部と同一の真空度に維持して、高電圧発生部２０，２１と密閉容器１８との間を電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

本発明は、タングステン化合物ガスで構成された第一の原料ガスを供給する第一の原料ガス供給工程と、還元ガスを供給する還元工程と、タングステン化合物ガスで構成された第二の原料ガスを供給する第二の原料ガス供給工程と、窒化ガスを供給する窒化工程とを有しており、基板５上にタングステンが析出する工程と、窒化タングステンが形成される工程とが別々に行われるようになっているので、各ガスの流量、各ガスを供給したときの圧力、供給時間、又は、各工程の回数や順番を変えることで、タングステンが析出される量と、窒化タングステンが形成される量が制御することが容易である。
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【課題】 イオンを荷電変換部へ導くためのビームライン調整を容易かつ適正に行うことができるタンデム型イオン加速装置及びイオンビーム調整方法を提供する。
【解決手段】 一対の加速管１９Ａ，１９Ｂと、これら一対の加速管が前段側と後段側とに接続される高電圧ターミナル２０と、この高電圧ターミナル２０の内部に配置され、前段側の加速管１９Ａで加速されたイオンの極性を反転し当該イオンを後段側の加速管１９Ｂへ導くストリッパカナル（荷電変換部）２０１とを有するタンデム型イオン加速装置１０において、ストリッパカナル２０１のイオンビーム導入端側に、当該ストリッパカナル２０１を通るビームラインから外れて加速されたイオンの照射を受けて発光する発光部材３１を設置し、この発光部材が発光しない位置にビームラインを調整する。発光部材３１の発光は、ビームラインと同軸的に設置した監視窓３５で監視する。 （もっと読む）

【課題】 処理室の本体のレーザ導入窓部の片側にのみ位置させて、クリーニング室が形成されているため、長期間にわたつて１枚の光透過部材を連続的に使用することができない。
【解決手段】 本体４ａのレーザ導入窓部７の両側に位置させて、それぞれ形成するクリーニング室１９，２０と、主輸送管１３ｂと複数の分岐輸送管１３ａとからなり、主輸送管１３ｂがラジカル発生源１２及び分岐輸送管１３ａに接続し、分岐輸送管１３ａが、それぞれ開閉バルブ１４を有して各クリーニング室１９，２０の凹所１９ａ，２０ａに接続する輸送管１３と、各クリーニング室１９，２０の凹所１９ａ，２０ａに接続し、排気ポンプ１５によつて排気される排気用配管１６と、前記光透過部材２を、レーザ導入窓部７を覆う位置と前記クリーニング室１９，２０の凹所１９ａ，２０ａを覆う位置との間で移動させる移動装置２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの水平、垂直方向の外径を調整し、低エネルギー、大電流でも比較的小さなスポットサイズのイオンビームを安定して得ることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオンＢを生成するイオン源１１０からイオンＢを引き出し、質量分離器１２０により所望のイオン種を選定し、この質量分離器１２０の下流側に配置された質量分離スリット１３０を透過したイオン種を加減速管１４０により所望のエネルギーに加速又は減速し、加減速管１４０の下流側に配置された四重極レンズによりイオンＢを収束させて、基板の注入面に所望のイオンＢを注入するイオン注入装置１０において、質量分離スリット１３０と加減速管１４０との間に、イオンビームＢの外径を調整する調整用静電四重極レンズ２０を配置した。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスに対する耐性の高いクラスターイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】
プラズマ生成室１５とプラズマ拡張室１６とを小径の通過孔１７で接続し、プラズマ生成手段によってプラズマ生成室１５内部にプラズマを発生させ、通過孔１７を通るプラズマがプラズマ拡張室１６内で拡散するようにする。プラズマ拡張室１６とイオン化室２５の間には電子シャワーパネル３５を配置し、それに形成された複数の放出孔３６からイオン化室２５内に電子線が照射されるようにする。多数の放出孔３６から電子線が照射されるので、プラズマ拡張室１６内部のプラズマ密度を低くすることができる。プラズマ拡張室１６に差圧用真空排気系４７を接続すると、真空槽１１からプラズマ拡張室１６に侵入した照射ガスは真空排気され、プラズマ生成室１５内部に侵入しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、0.3μｍ幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる磁気中性線放電を利用した反応性イオンエッチング装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明による反応性ドライエッチング装置においては、ＮＬＤエッチング装置を用いて、真空チャンバー上部からエッチング補助ガスを導入し、磁気中性線の近傍で基板側にエッチング主ガスを導入し、低圧下における有効排気速度を大きくするため、基板電極下部から排気するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 タクトタイムを短縮して、生産性を向上させるとともに、安価な真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を真空処理する真空処理室と、基板を載置して搬送する基板キャリア１２、１４と、基板を大気側と真空側との間で搬入、搬出するためにＬ／ＵＬ室３０とを具備した真空処理装置１０において、真空処理装置１０の大気側の基板搬送を行う大気側基板キャリア１２と、真空処理装置１０の真空側の基板搬送を行う真空側基板キャリア１４と、大気側基板キャリア１２及び真空側基板キャリア１４相互間で、基板を受け渡しする基板受け渡し機構とを備えた構成とした。
また、タクトタイムを短縮するには、大気側基板キャリア１２をＬ／ＵＬ室３０の基板入れ替え口の前面に２以上配置可能な構成とすると一層効果的である。 （もっと読む）