【課題】 低コストのイオンビーム分布測定装置を備えると共に、イオン注入のスループットを向上したイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速又は減速し、イオンを走査器により基板の注入面にイオンを走査して注入するイオン注入装置において、基板の下流側に配置され、イオンビームの電流値を計測するファラデーカップ２０と、基板とファラデーカップ２０との間に配置され、イオンビームＢの走査方向と同一方向に移動可能で、かつ、単一のスリット３２を有する遮蔽板３０とを具備したイオンビーム分布測定装置１０を備えた構成とした。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、かつ、高品質の光学膜を形成可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１には、ＡｌとＣｒとを含有するフェロシリコン材料のターゲット（第一のターゲット）２１ａ、２１ｂが用いられており、従来の多結晶シリコンターゲットに比べて機械的強度が高いので、厚みの厚い第一のターゲット２１ａ、２１ｂに高密度電力を投入しても、割れやクラックが生じにくい。このように、第一のターゲット２１ａ、２１ｂの寿命は長いので、第一のターゲット２１ａ、２１ｂを煩雑に交換する必要はなく、また、ターゲットのクラックに起因するスプラッシュが起こり難く、透明膜にスプラッシュが混入することもないので、高品質の光学膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 不活性ガスの消費量を低減化しつつも、シリコン化合物や酸素などの不純物による悪影響を受けることなく、基板の表面に形成したアモルファスシリコン膜を優れた膜質のポリシリコン膜に変換するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】 アモルファスシリコン膜を表面に形成した基板の上方に、下面に微細なガス噴出孔が多数設けられているとともに、上面側から下面の下方に位置するアモルファスシリコン膜の表面にレーザ光を照射するためのレーザ光導入部が設けられているシャワープレートを配置し、シャワープレートの下面のガス噴出孔から不活性ガスを噴出させてアモルファスシリコン膜の表面に吹き付け、アモルファスシリコン膜を表面に形成した基板とシャワープレートの間の空間部分を不活性ガス雰囲気とした状態で、レーザ光導入部を介してレーザ光をアモルファスシリコン膜の表面に照射することでレーザアニールすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。
【解決手段】 プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】 過酷な耐蝕性試験でも反射率が劣化することがないＡｇ系反射膜およびその作製方法の提供。
【解決手段】純Ａｇ膜や、ＡｇＡｕ系、ＡｇＡｕＳｎ系、ＡｇＰｄ系、ＡｇＰｄＣｕ系の合金膜に、極薄のキャップ層として、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯおよびＳｎＯ_２の金属酸化物、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの酸化物、ならびにＳｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの窒化物から選ばれた材料で構成された膜厚３〜５０ｎｍの膜を積層して２層膜とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ中の電流、電圧の変化に弱いデバイスの加工が可能な、プラズマ発生装置のための高周波電力用分岐スイッチ及びこの分岐スイッチを備えたエッチング装置の提供。
【解決手段】 主放電発生電力回路により高周波電力を分岐して副電極等に主放電電力の一部を導入する構造を持つプラズマ発生装置であって、分岐デバイスとして可変コンデンサーを用いると共に、この可変コンデンサーの容量に関して、パルスモータ又はサーボモータにより、最小容量値と設定容量値とを、又は低い設定容量値と高い設定容量値とを可及的に短時間で切り替える機構として容量値制御装置を設ける。 （もっと読む）

【課題】
画像表示装置に適した金属部材を提供できる画像表示装置用金属部材の製造方法を提供する。
【解決手段】
減圧雰囲気中で金属基板２１の両面に原料ガスを吹き付け、ＣＶＤ法によって表面層を成長させる。金属基板２１に交流電圧を印加すると、成膜速度を速くすることができる。開口率が高く、熱損傷(変形、酸化)が無く、絶縁信頼性の高い画像表示装置用金属部材が安価に得られる。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒が必要な湿式法によらず、樹脂本来の耐熱性や耐酸化性を備えたスルホン酸化ポリイミド樹脂を作製する方法を提供する。
【解決手段】四カルボン酸二無水物と、スルホン酸基含有のジアミン化合物とをそれぞれ原料モノマーとする蒸着重合反応によりスルホン酸化ポリイミド樹脂の成膜を行う。この際、蒸着重合反応前に、前記スルホン酸基含有ジアミン化合物に対して、真空中７０〜３００℃の温度範囲にて脱水処理を行うことが望ましい。あるいは、蒸着重合反応に際して、スルホン酸基含有ジアミン化合物の蒸発温度を該アミン化合物の固相重合温度以下とすることが望ましい。また、蒸着重合反応により成膜されたスルホン酸化ポリイミド樹脂に対して、さらに、７０〜１８０℃の温度範囲及び保持時間１時間以上にて、熱イミド化処理をおこなうことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により良好な特性を有する下地層としてのチタン含有膜の形成方法の提供。
【解決手段】ＴＤＥＡＴまたはＴＤＭＡＴなどの金属原料ガスと還元性ガスとを用いて、ＣＶＤ法によりチタン含有膜を形成する。還元性ガスは、乖離してＨ^＊ラジカルや、Ｈ^＋イオンを放出することができるガスであり、例えばターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２などから選ばれたガスである。金属原料ガスと還元性ガスとの反応は、成膜速度が基板温度に依存する温度領域で行われる。 （もっと読む）

【課題】 トンネル磁気抵抗層を構成する各層の一連の形成に際して各層界面が大気による影響を受けないようにしたトンネル磁気抵抗素子の形成方法を提供すること。
【解決手段】 第１磁性層４と第２磁性層６とでトンネル障壁層５を挟んだ構造のトンネル磁気抵抗層３を備えたトンネル磁気抵抗素子の形成方法であって、基板１上に第１配線２を形成する工程と、第１配線２に第１磁性層４が接続するように、第１磁性層４とトンネル障壁層５と第２磁性層６とを同じマスク７を用いて真空下で順次形成する工程と、トンネル磁気抵抗層３の少なくとも側面の一部を覆う絶縁層８を形成する工程と、第２磁性層６表面に接続する第２配線１０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）