【課題】ＣＶＤ法により、埋め込み性、下地層との密着性に優れた銅配線形成方法の提供。
【解決手段】ホールや溝が形成された基板表面上に、金属原料としてテトラキスジエチルアミノバナジウム、テトラキスジメチルアミノバナジウム、テトラキスエチルメチルアミノバナジウム、テトラキスジエチルアミノチタン、テトラキスジメチルアミノチタン、テトラキスエチルメチルアミノチタンを、還元性ガスとしてターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６を用いて、ＣＶＤ法によりバナジウムまたはチタン含有膜からなる下地層を形成し、この上に、ＣＶＤ法により銅含有膜を形成し、ホールや溝を埋め込み、配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により良好な特性を有する下地層としてのバナジウム含有膜の形成方法の提供。
【解決手段】ＴＤＥＡＶまたはＴＤＭＡＶなどの金属原料ガスと還元性ガスとを用いて、ＣＶＤ法によりバナジウム含有膜を形成する。還元性ガスは、乖離してＨ^＊ラジカルや、Ｈ^＋イオンを放出することができるガスであり、例えばターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２などから選ばれたガスである。金属原料ガスと還元性ガスとの反応は、成膜速度が基板温度に依存する温度領域で行われる。 （もっと読む）

【課題】
画像表示装置に適した金属部材を提供できる画像表示装置用金属部材の製造方法を提供する。
【解決手段】
減圧雰囲気中で金属基板２１の両面に原料ガスを吹き付け、ＣＶＤ法によって表面層を成長させる。金属基板２１に交流電圧を印加すると、成膜速度を速くすることができる。開口率が高く、熱損傷(変形、酸化)が無く、絶縁信頼性の高い画像表示装置用金属部材が安価に得られる。 （もっと読む）

【課題】
特性が安定したコンデンサが得られる電解コンデンサ用陰極材料を提供する。
【解決手段】
アルミニウムを主成分とする金属箔４１表面に、金属チタン薄膜から成る金属薄膜４２ａが配置され、該金属薄膜４２ａ表面に、ＩＴＯ薄膜から成る導電性酸化物薄膜４３ａが配置されている。金属薄膜４２ａが導電性酸化物薄膜４３ａで保護され、酸化されないので特性が安定する。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い薄膜を成膜可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】
筒状のアノード電極２１の上端部分を除去し、切り欠き部分２２を設け、基板１３から見える部分にアノード電極２１の内壁面が存在しないようにした。従って、基板１３から見える部分で小滴が発生せず、基板表面に小滴が到達することが無くなる。微小荷電粒子は磁力線１７に巻き付きながら移動するため、基板１３表面に到達し、薄膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】電極膜にダメージを与えずにキャパシタ誘電体膜を形成する。
【解決手段】
電極膜１５上に第一の薄膜１７を形成する第一の成膜工程は、酸化ガスの含有率が少ない第一のスパッタガス雰囲気で行われるので、酸化ガスイオンのような高エネルギーイオンが電極膜１５に入射せず、電極膜１５がダメージを受けない。また、第一の薄膜１７上に第二の薄膜１８を成膜する第二の成膜工程は、酸化ガスの含有率が高い第二のスパッタガス雰囲気で行われるので、酸素原子が補完され、第二の薄膜１８を構成する誘電体材料に酸素欠損が起こらず、その結晶性が崩れない。 （もっと読む）

【課題】 従来の真空計では、真空装置の複数箇所に多数設置されている場合に、それらの真空計の中から異常が発生した真空計を特定することは困難であった。
【解決手段】 少なくとも真空計１に異常が生じた場合にこの真空計を特定できるように、真空計本体１１に全方向から視認可能な表示手段４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 タクトを短縮して、生産性を向上させるとともに、省スペース化、低コスト化した真空処理装置を提供する。
【解決手段】 真空処理装置１０において、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂを複数の予備室３０Ａ、３０Ｂの基板入れ替え口３０Ａａ、３０Ｂａの前面にそれぞれ１又は２以上配置可能な構成とした。
また、基板キャリア１２Ａ、１２Ｂに基板２４を着脱する際には、少なくとも１つの基板キャリア１２Ａを水平面上に回転させる基板キャリア干渉防止機構５０を備えると、省スペース化が容易になる。 （もっと読む）

【課題】 水晶振動子の周波数温度特性を改善し、低レート成膜にも十分に対応できる膜厚監視方法および膜厚監視装置を提供する。
【解決手段】 センサヘッド５に保持された水晶振動子の表面に成膜材料を付着させ、この成膜材料の堆積による水晶振動子の共振周波数の変化量を測定し、被処理基板Ｗ上に堆積される成膜材料の膜厚を監視する膜厚監視方法において、センサヘッド５の温度が８０℃を超えるまでは、水晶振動子１０の冷却処理を行わないようにする。また、水晶振動子１０としては、室温から８０℃付近までにおける温度ドリフトが２０ｐｐｍ以下の水晶基板を用いる。これにより、室温から８０℃付近までの温度範囲における共振周波数の温度ドリフトを微量に抑制し、高精度な膜厚監視および成膜レートの制御を実現できるとともに、数Å／ｓ程度の低レート成膜にも十分に対応可能となる。 （もっと読む）

【課題】 十分に誘電率が低くかつ機械的強度の高い（層間絶縁膜を備えた）半導体装置を提供する。
【解決手段】 所望の素子領域の形成された半導体基板表面に、Ｓｉ−Ｏ結合を主成分とする骨格の周りに多数の空孔が配置された誘電体薄膜を成膜する工程と、前記誘電体薄膜表面に、マスクを介してパターニングする工程と、パターニングのなされた前記誘電体薄膜表面に、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、ヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）分子のうちの少なくとも１種を含むガスを接触させる工程とを含む。 （もっと読む）