【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】反射率を損なうことなく、低抵抗で、より高い耐熱性及び密着性を有するＡｇ合金膜パターンを得ることができるスパッタリングターゲット、Ａｇ合金膜及びその製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。第一薄膜は、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ、０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎ及び１．５〜１５．０ｗｔ％のＣｕを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜は、ＡｇにＣｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｂｉ、Ｓｍから選ばれた少なくとも１種を添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ前処理を行うこともなく、低温で、比抵抗が低く、酸化物膜やＣｕ配線膜に対する密着性が優れ、またＣｕ配線の信頼性を損なうことのないバリアメタル膜であるＷ系金属薄膜を形成する方法の提供。
【解決手段】真空チャンバー１０２内に原料ガス(ＷＦ_６、Ｗ(ＣＯ)_６ガス等)を導入する工程と、化学構造中に水素原子を含んだ反応性ガス(Ｈ_２、ＮＨ_３、ＳｉＨ_４、ＮＨ_２ＮＨ_２ガス等)を触媒体１０８に接触させて活性種にしてから真空チャンバー１０２内に導入する工程とからなるＣＡＴ−ＡＬＤ法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の配向膜１５、２５は無機材料で構成されているので耐熱性が高くなっている。また、配向膜１５、２５の空孔率は２９％以上７０％以下にされており、そのような配向膜１５、２５は配向規制力が高いので、液晶表示装置１０が加熱され、液晶層３１が昇温したときも、液晶はじきが生じず、液晶配向性が維持される。また、本発明の配向膜１５、２５はラビング処理をしなくても液晶配向性を示すので、埃や帯電の問題も生じない。 （もっと読む）

【課題】 従来のスパッタリング装置用のマグネトロンカソード電極では、処理基板の周囲に設けたアノードの影響を受けて、処理基板全面に亘って比抵抗値などの膜質が均一な薄膜を得ることが困難であった。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲットＴの後方に、中央磁石３５ｂと周辺磁石３５ｃとから構成される磁石組立体３５を設ける。中央磁石の同磁化に換算したときの体積を各周辺磁石の同磁化に換算したときの体積と比較して小さく設定して前記磁石組立体を構成し、処理基板中央領域での磁場強度を局所的に高める。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が配置された絶縁性フィルムに熱損傷を与えない静電吸着装置、および真空処理方法を提供する。
【解決手段】電極層１１の表面の絶縁層１２に溝を形成しておき、処理対象物のフィルムを、溝１２間に位置する突起１４の上端部に乗せ、溝１３内を真空排気した後、電極層１１に電圧を印加し、フィルム上の半導体デバイスを静電吸着する。フィルムと突起の接触面積が大きく、その間の熱伝導率が高いので、フィルムの熱が均一に静電吸着装置１０側に流れ、フィルムの熱損傷が無い。 （もっと読む）

【課題】 カセットとトレイとの間におけるウェーハの移載を自動的に行うことができるとともに、ウェーハの移載を非接触で行うことができる基板移載装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハＷを収納した又は収納可能なカセット２と、ウェーハＷの収容位置を規定する載置部４１が面内に区画されたトレイ４と、カセット２とトレイ４との間においてウェーハＷを移載する基板搬送ロボット３とを備えさせるとともに、基板搬送ロボット３の基板保持部３Ａをベルヌーイチャック機構で構成し、載置部４１がウェーハＷの受け渡し位置に合致するようにトレイ４を位置合わせするアライメントユニット５０を備えさせる。 （もっと読む）

【課題】 完全電離したイオンやＨ、Ｈｅ様の高イオンを生成できるジャイラック加速電子型ＥＣＲイオン源を提供する。
【解決手段】 プラズマを収容するプラズマチェンバー２２と、該プラズマチェンバー２２の軸方向にプラズマを閉じ込めるためのミラー磁場を発生するソレノイドコイル２４と、径方向にプラズマを閉じ込める多極磁場発生磁石２６と、プラズマチェンバー２２の外周に配置され、ミラー磁場のピーク部分を一時的に減衰させるパルス磁場を生成し、電子をジャイラック加速するパルスコイル２６と、プラズマチェンバー２２に高い高周波を供給する高い高周波電源４０と、高い高周波導波管４２と、プラズマチェンバーに低い高周波を供給する低い高周波電源５０と、低い高周波導波管５２とを備え、ジャイラック加速の原理により電子を加速し、多価のイオンを生成するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 校正作業を極めて容易にするための校正ユニット及びこの校正ユニットを使用する分析装置を提供する。
【解決手段】 基板上に電極が設けられた圧電素子又は表面弾性波素子に交流信号を印加して、前記素子上の検出対象物の物性を測定する測定系を校正するために使用する校正ユニットであって、前記校正ユニットは、校正用電極を基板上に備え、前記素子と交換自在となるように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板サイズが大型化された場合においても、加熱手段と基板との間に設置される赤外線透過窓の厚みを大気圧に対して強度保持のために厚くすることを防止し、コストアップを抑えることができる熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー２内を赤外線透過窓としての石英ガラス３によって基板５を設置する側と基板５を加熱する複数の赤外線ランプ８を設置する側とに分離し、成膜プロセス工程中において、基板５側のチャンバー下部室２ａに原料ガスとしての一酸化炭素ガスと水素ガスの混合ガスを導入するとともに、赤外線ランプ８側のチャンバー上部室２ａに不活性ガスとしてのアルゴンガスを導入し、かつ仕切りバルブ１５、及び１９を開放し真空ポンプ１６を稼動して、チャンバー下部室２ａとチャンバー上部室２ａの圧力が略同じになるように制御する。 （もっと読む）