説明

株式会社アルバックにより出願された特許

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【課題】 校正作業を極めて容易にするための校正ユニット及びこの校正ユニットを使用する分析装置を提供する。
【解決手段】 基板上に電極が設けられた圧電素子又は表面弾性波素子に交流信号を印加して、前記素子上の検出対象物の物性を測定する測定系を校正するために使用する校正ユニットであって、前記校正ユニットは、校正用電極を基板上に備え、前記素子と交換自在となるように構成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板サイズが大型化された場合においても、加熱手段と基板との間に設置される赤外線透過窓の厚みを大気圧に対して強度保持のために厚くすることを防止し、コストアップを抑えることができる熱CVD装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー2内を赤外線透過窓としての石英ガラス3によって基板5を設置する側と基板5を加熱する複数の赤外線ランプ8を設置する側とに分離し、成膜プロセス工程中において、基板5側のチャンバー下部室2aに原料ガスとしての一酸化炭素ガスと水素ガスの混合ガスを導入するとともに、赤外線ランプ8側のチャンバー上部室2aに不活性ガスとしてのアルゴンガスを導入し、かつ仕切りバルブ15、及び19を開放し真空ポンプ16を稼動して、チャンバー下部室2aとチャンバー上部室2aの圧力が略同じになるように制御する。 (もっと読む)


【課題】回転用モータの回転駆動力を搬送用アームに正しく伝達させるとともに回転駆動軸の回転角度を正確に検出することにより、搬送部における搬送対象物を正しい位置に搬送可能な搬送装置を提供する。
【解決手段】本発明の搬送装置1は、気密構造を有するハウジング61内に、所定の同心回転軸を中心として互いに独立して回動可能に構成された第1〜第3駆動軸1a〜1cと、第1〜第3駆動軸1a〜1cの所定の部位にそれぞれ取り付けられた永久磁石32a〜32cと、永久磁石32a〜32cと対応して設けられた電磁コイル34a〜34cとが配設されている。電磁コイル34a〜34cに対し所定の情報に基づいて駆動電流を供給して第1〜第3駆動軸1a〜1cを駆動し、第1〜第3駆動軸1a〜1cに固定された第1及び第2リンケージ12a、12bによって搬送対象物を搬送する。 (もっと読む)


【課題】 弾性波素子の検出部に、微量の液状物を接触させて測定する場合であっても、高い精度で測定することが可能な弾性波素子及びこれを用いたバイオセンサ装置を提供する。
【解決手段】 基板上に弾性波を励起するための励振部と、前記弾性波を受信するための受信部と、前記励振部と前記受信部との間に被検出物が接触することになる検出部とを備える弾性波素子であって、前記励振部と前記検出部との間と、前記受信部と前記検出部との間に、それぞれ仕切板を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面に多孔質陽極酸化処理を行ったアルミニウム材において、ガス放出を大幅に低減することができるアルミニウム材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム材1の表面に形成した多孔質陽極酸化皮膜2上にフッ化層3を形成することにより、フッ化層3が多孔質陽極酸化皮膜の細孔を覆い、この細孔を塞ぐことによって、ガス放出量が大幅に低減される。 (もっと読む)


【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー5を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板12を固定保持した基板固定治具13をアームでドラム型基板ホルダー5の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー5の外周面の角部5aに設けた固定装置14で基板固定治具13の端部13bを固定することができる。 (もっと読む)


酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で60%以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を60%未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を60%以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 (もっと読む)


【課題】低水分分圧でエピタキシャル成長を行える技術を提供する。
【解決手段】このエピタキシャル成長装置1では、搬入室25と第1のロードロック室31との間に搬送室14が配置され、その搬送室14と、搬入室25と、第1のロードロック室31には、窒素ガス導入ポート20、21、28がそれぞれ設けられている。窒素ガス導入ポート20、21、28から窒素ガスを導入すると、窒素ガス雰囲気中で搬入室25から第1のロードロック室31内に基板17を搬送できる。第1のロードロック室31内に搬入された基板17は、ボートに搭載され、ボートローダ29によって熱処理室12内に搬入される。そのボートローダ29周囲には、加熱されたオイルが循環できる循環路4が配置されており、ベーキングの際に、ボートローダ29を加熱できるように構成されている。従って、従来では加熱できない部分までベーキングを行うことができる。 (もっと読む)


【課題】小型で高スループットの真空処理装置を提供する。
【解決手段】この真空処理装置3の真空槽11内に、水平姿勢と起立姿勢になれる基板ホルダ41、42を複数台設け、いずれか一台の基板ホルダ41を水平姿勢にし、他の基板ホルダ42を起立姿勢にすると、水平姿勢の基板ホルダ41と基板昇降機構との間で基板6の受け渡しができるように構成する。水平姿勢で基板を載置した後、その基板ホルダ41を起立姿勢にすると、基板6は垂直になるので、複数の基板を垂直な状態にしてスパッタリングを行うことができる。ダストが付着せず、欠陥が無い薄膜を効率よく形成できる。 (もっと読む)


【課題】 CVD法を用いて幅の異なる凹部に銅配線を形成できる技術を提供する。
【解決手段】 基板上10に形成され、凹部131、132が設けられた絶縁膜12上にCVD法によって銅薄膜を形成し、凹部131、132内をその銅薄膜の銅材料で充填する際、銅薄膜を形成するCVD工程を2回以上に分割し、分割されたCVD工程の間に熱処理工程を設ける。熱処理により流動化し、断面すり鉢状の窪みが形成された銅薄膜上に銅薄膜を形成でき、また、1回のCVD工程で形成する銅薄膜が薄くなり、表面が滑らかになるので、幅の広い凹部132内にも空洞が形成されなくなる。 (もっと読む)


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