説明

株式会社アルバックにより出願された特許

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【課題】ソースガスから選択的に抽出されたBイオンを、結晶基板の一方の主面側に注入して、必要なp型不純物濃度のプロファイルを形成することを可能とする、結晶太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】光を受光する受光面と、受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する、結晶基板101を備えた結晶太陽電池100の製造方法であって、減圧雰囲気とした真空槽内に結晶基板を配して、真空槽内にB分子を含むソースガスを導入し、ソースガスをプラズマ励起することにより、選択的にイオン化させたBイオンを抽出し、前記結晶基板100の片方の主面101b側に注入して、P型半導体層102を形成する工程を含む。 (もっと読む)


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