株式会社アルバックにより出願された特許

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【課題】薄膜リチウム二次電池において安定した充放電を行う技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池1は、基板2上に、コバルト酸リチウムからなる正極層4と、金属リチウムからなる負極層7とが固体電解質層5を挟んで形成され、正極層4の厚さに対する負極層7の厚さの比が1/2以上となるようにしたものである。固体電解質層5は、リン酸リチウムオキシナイトライドガラス電解質からなる。本発明によれば、急速充電が可能な定電圧充電を安定して行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置1は、ターゲット8に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット12を備える。ターゲット8に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてPID制御部10に出力する放電用電源9と、マグネット12の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源11とを有する。PID制御部10は、放電用電源9から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット12の電磁石に対する通電量をPID制御するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の均一性を高めることの可能な表面波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】表面波プラズマ処理装置は、導波管20の誘電窓16と互いに向い合う部位にスロットアンテナ21を備えるとともに、基台12と誘電窓16との間に、遮蔽部32と透過部33とを有する遮蔽部材30を備えている。そして、遮蔽部材30は、載置面の法線方向から見て、スロットアンテナ21のアンテナ部24の面積をS1、アンテナ部24と遮蔽部32との重なる部分の面積をS2、スロットアンテナ21の開口部23の面積をS3、開口部23と遮蔽部32との重なる部分の面積をS4とすると、S2/S1<S4/S3が満たされるように構成される。 (もっと読む)


【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ52上の基板Wを加熱しつつ、ステージ52と対向するガスヘッド53から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第1の成膜用ガスが基板Wの中央に供給され、複数の金属元素を第1の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第2の成膜用ガスが基板Wの周縁に供給されることで、基板W上に薄膜が製造される。チャンバ51内では基板W上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第1の成膜用ガスと第2の成膜用ガスとによって、基板W上のガスの分布を最適化することができる。 (もっと読む)


【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Sを収容する真空槽10と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽10内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Sが載置されるトレイ20と、サファイア基板Sの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー21とを備える。トレイカバー21はトレイ20上のうちサファイア基板S以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 (もっと読む)


【課題】大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を簡素な構成の装置で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置1は、真空槽2と、真空槽2内に設けられ、溶融蒸発材料30を収容する細長形状の収容部12と、当該収容部12内の蒸発材料をその蒸発温度以上の温度で加熱する加熱手段13とを有する蒸発源10を有する。真空槽2内には、蒸発源10の収容部12の長手方向に対して直交する方向に基板4を搬送するための搬送経路5と、蒸発源10の収容部12の両側部に、蒸発材料31、32を移動させつつ収容部12の両端部にそれぞれ所定量の蒸発材料31、32を供給する第1及び第2の材料供給手段21、22とを有する。 (もっと読む)


【課題】円筒形状のターゲットの内部空間に冷却水が残留しにくいスパッタ装置、ターゲット装置を提供する。
【解決手段】
円筒形状のターゲット21の端部に固定された支持部材24には給水孔25と排水孔26とが設けられ、給水孔25からターゲット21の内部空間に冷却水が導入され、排水孔26から排出されながら、ターゲット21がスパッタされるスパッタ装置10であって、ターゲット21の内部空間には、ガスが供給されると体積が増加する風船部材28が配置されている。風船部材28が膨らむと、排水孔26より下方の空間に位置する冷却水は、風船部材28により押し上げられて排水孔26から排出され、ターゲット21の内部空間に残留する冷却水の量が減少する。 (もっと読む)


【課題】基板上に塗布されたインクの乾燥ムラを抑制する。
【解決手段】本発明の一形態に係るインクジェット塗布装置は、第1のヘッド群12Aと第2のヘッド群12Bとを有するインクヘッドモジュール12を備える。第1のヘッド群12Aは、基板Sの表面全域をX軸方向に沿って配列された複数列の領域R1〜R6で区画したときに、所定の第1の領域群(R1,R3,R5)にインクの液滴を塗布する。第2のヘッド群12Bは、第1のヘッド群12Aに対してY軸方向に所定距離(H)オフセットした位置に配置され、上記複数列の領域のうち残余の第2の領域群(R2,R4,R6)にインクの液滴を塗布する。このとき、第1のヘッド群12Aからの液滴が基板S上に着弾してから、第2のヘッド群12Bからの液滴が基板上に着弾するまでの時間が所定時間以内となるように、基板Sを支持するステージ11の移動が制御される。 (もっと読む)


【課題】反応室内に原料ガスと還元ガスとを夫々導入し、反応室に設置した基板表面に気相からの析出により成膜する際に液体原料を気化して反応室内に導入する原料ガスとする液体原料の気化方法において、気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、反応室内での原料ガスの分圧を高くできるようにする。
【解決手段】気化室22に通じる原料供給路32、42を介して、液体原料を供給すると共に、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口から排出する。原料供給路内で液体原料に所定流量で還元ガスを混合して気液混合状態とし、この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置に適用したときに、一方向に長手の導波管導波管下面に列設されたスリット直下に位置する処理室内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度を均一にすることができ、しかも処理室内のマイクロ波の電磁場強度の再調整を簡単に行うことが可能なマイクロ波導入装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ11の上壁11aに設けられたマイクロ波導入窓12に対向配置される、一方向に長手の導波管7を備え、この導波管7は、そのマイクロ波導入窓と対向する下面に所定間隔で開設された複数のスリット70a、70bを有する。スリットの直上に位置する導波管の内部空間に対し進退自在に設けたアース接地の導体71を更に備える (もっと読む)


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