【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲット８に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット１２を備える。ターゲット８に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてＰＩＤ制御部１０に出力する放電用電源９と、マグネット１２の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源１１とを有する。ＰＩＤ制御部１０は、放電用電源９から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット１２の電磁石に対する通電量をＰＩＤ制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の均一性を高めることの可能な表面波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】表面波プラズマ処理装置は、導波管２０の誘電窓１６と互いに向い合う部位にスロットアンテナ２１を備えるとともに、基台１２と誘電窓１６との間に、遮蔽部３２と透過部３３とを有する遮蔽部材３０を備えている。そして、遮蔽部材３０は、載置面の法線方向から見て、スロットアンテナ２１のアンテナ部２４の面積をＳ１、アンテナ部２４と遮蔽部３２との重なる部分の面積をＳ２、スロットアンテナ２１の開口部２３の面積をＳ３、開口部２３と遮蔽部３２との重なる部分の面積をＳ４とすると、Ｓ２／Ｓ１＜Ｓ４／Ｓ３が満たされるように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ５２上の基板Ｗを加熱しつつ、ステージ５２と対向するガスヘッド５３から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第１の成膜用ガスが基板Ｗの中央に供給され、複数の金属元素を第１の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第２の成膜用ガスが基板Ｗの周縁に供給されることで、基板Ｗ上に薄膜が製造される。チャンバ５１内では基板Ｗ上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第１の成膜用ガスと第２の成膜用ガスとによって、基板Ｗ上のガスの分布を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】硫化せず、高反射率を維持できる反射膜と、その反射膜を用いた装置を提供する。
【解決手段】
本発明の有機ＥＬ装置２ａでは、有機ＥＬ膜３６ａから放出され、本体基板１１ａ側に放出された発光光を反射膜４０ａで反射して、フロントパネル３９ａから放出させる。反射膜４０ａが有する銀薄膜は、銀以外の金属で酸化物を形成する添加金属を、銀と添加金属の合計原子数に対して０．５原子％以上含有し、酸素を、銀と前記添加金属と酸素の合計原子数に対して０．５原子％以上２０原子％以下の範囲で含有する。添加金属の酸化物が銀薄膜中の銀微小粒子を覆うので、イオウを含むガスが銀と接触せず、硫化が発生しない。 （もっと読む）

【課題】大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を簡素な構成の装置で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置１は、真空槽２と、真空槽２内に設けられ、溶融蒸発材料３０を収容する細長形状の収容部１２と、当該収容部１２内の蒸発材料をその蒸発温度以上の温度で加熱する加熱手段１３とを有する蒸発源１０を有する。真空槽２内には、蒸発源１０の収容部１２の長手方向に対して直交する方向に基板４を搬送するための搬送経路５と、蒸発源１０の収容部１２の両側部に、蒸発材料３１、３２を移動させつつ収容部１２の両端部にそれぞれ所定量の蒸発材料３１、３２を供給する第１及び第２の材料供給手段２１、２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】円筒形状のターゲットの内部空間に冷却水が残留しにくいスパッタ装置、ターゲット装置を提供する。
【解決手段】
円筒形状のターゲット２１の端部に固定された支持部材２４には給水孔２５と排水孔２６とが設けられ、給水孔２５からターゲット２１の内部空間に冷却水が導入され、排水孔２６から排出されながら、ターゲット２１がスパッタされるスパッタ装置１０であって、ターゲット２１の内部空間には、ガスが供給されると体積が増加する風船部材２８が配置されている。風船部材２８が膨らむと、排水孔２６より下方の空間に位置する冷却水は、風船部材２８により押し上げられて排水孔２６から排出され、ターゲット２１の内部空間に残留する冷却水の量が減少する。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布されたインクの乾燥ムラを抑制する。
【解決手段】本発明の一形態に係るインクジェット塗布装置は、第１のヘッド群１２Ａと第２のヘッド群１２Ｂとを有するインクヘッドモジュール１２を備える。第１のヘッド群１２Ａは、基板Ｓの表面全域をＸ軸方向に沿って配列された複数列の領域Ｒ１〜Ｒ６で区画したときに、所定の第１の領域群（Ｒ１，Ｒ３，Ｒ５）にインクの液滴を塗布する。第２のヘッド群１２Ｂは、第１のヘッド群１２Ａに対してＹ軸方向に所定距離（Ｈ）オフセットした位置に配置され、上記複数列の領域のうち残余の第２の領域群（Ｒ２，Ｒ４，Ｒ６）にインクの液滴を塗布する。このとき、第１のヘッド群１２Ａからの液滴が基板Ｓ上に着弾してから、第２のヘッド群１２Ｂからの液滴が基板上に着弾するまでの時間が所定時間以内となるように、基板Ｓを支持するステージ１１の移動が制御される。 （もっと読む）

【課題】反応室内に原料ガスと還元ガスとを夫々導入し、反応室に設置した基板表面に気相からの析出により成膜する際に液体原料を気化して反応室内に導入する原料ガスとする液体原料の気化方法において、気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、反応室内での原料ガスの分圧を高くできるようにする。
【解決手段】気化室２２に通じる原料供給路３２、４２を介して、液体原料を供給すると共に、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口から排出する。原料供給路内で液体原料に所定流量で還元ガスを混合して気液混合状態とし、この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 （もっと読む）

【課題】サファイアのエッチングにおいて選択比を高めることの可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、レジストマスクを有したエッチング対象物であるサファイア基板Ｓを収容する真空槽１０と、三塩化ホウ素を含むガスで真空槽１０内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、サファイア基板Ｓが載置されるトレイ２０と、サファイア基板Ｓの端面の周囲に配置される包囲部材としてのトレイカバー２１とを備える。トレイカバー２１はトレイ２０上のうちサファイア基板Ｓ以外の部分を覆っており、その表面は、樹脂から形成されている。 （もっと読む）

【課題】従動部又は駆動部の内部構造に改造を加える必要がなく、従動部の固有振動を容易に抑制することができる磁気結合式回転導入機、ロボット装置、回転導入方法を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、互いの対向する表面にはそれぞれ、同一の回転軸線を中心とする円周に沿ってＮ極とＳ極の磁極が交互に並んで設けられた従動部と駆動部とを用いて、駆動部を回転軸線を中心に回転させ、駆動部の磁極から従動部の磁極にかかる磁力により、従動部を駆動部の回転方向と同じ方向に回転させる際に、従動部の固有振動数ωを予め求めておき、静止状態にある駆動部を、下記数式（１）を満たす加速時間ｔ_aだけ等増速加速度で加速させて回転速度ｂで回転させることにより、静止状態にある従動部を回転速度ｂで回転させる。すると、以後の従動部の固有振動が抑制される。
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