【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット１ａと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット２ａとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面１２ａ、１２ｃとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。 （もっと読む）

【課題】膜の密着性や耐久性、光の透過率を低下させることなく、長波長光にも短波長光に対しても発電層への光閉じ込め効率を高め、薄膜太陽電池の発電効率を高めることが可能な、太陽電池用透明導電性基板を簡便な方法で製造することができる透明導電性基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電性基板の製造方法は、太陽電池に用いられる透明導電性基板の製造方法であって、透明基材の少なくとも一方の表面に、所定の周期を有する第一凹凸パタ−ンを形成する工程Ａと、前記第一凹凸パタ−ンよりも短周期を有する第二凹凸パタ−ンが表面に設けられた透明導電膜を、少なくとも前記第一凹凸パタ−ンを覆うように前記透明基材上に形成する工程Ｂと、を少なくとも順に備えること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明の多元スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１と、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板Ｗを吸着する静電チャック３を有するステージ２と、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも２個のスパッタリングカソードＣと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段４とを備える。静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板５を更に備える。 （もっと読む）

【課題】トップセルへ反射する光を増やすことができ、光の利用効率を高め、変換効率の高い太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、透明導電膜付き基板を用い、ｐｉｎ型の光電変換ユニットを、透明導電膜に順に重ねて設けてなり、透明導電膜が、ＺｎＯを基本構成元素とし、光電変換ユニットを構成するｐ層、ｉ層及びｎ層がアモルファスのシリコン系薄膜からなり、透明導電膜と、光電変換ユニットを構成するｐ層との間に、ＴｉＯ_２からなる特性制御層が配されている太陽電池の製造方法であって、透明基板上に、透明導電膜を成膜するステップＡと、透明導電膜上に、特性制御層を形成するステップＢと、特性制御層上に、光電変換ユニットのｐ層、ｉ層及びｎ層を順に形成するステップＣと、を少なくとも順に備え、ステップＢにおいて、加熱成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。
【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜２３の上面２３ｓ及びホール２３ｈ内に相変化膜２４を形成する。次いで、相変化膜２４を覆うキャップ膜２５を形成する。更に、相変化膜２４を加熱して、相変化膜２４によってホール２３ｈを埋め込むリフローを行う。キャップ膜２５は、絶縁膜２３よりも相変化膜２４に対する濡れ性が低い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気中で測定対象物を精度良く測定でき、光ファイバを着脱しても、測定精度に影響の無いエリプソメータを提供する。
【構成】投光部１３と受光部１４を筺体１１の内部に配置し、発光装置１２を筺体１１の外部に配置し、光配線装置１８によって、発光装置１２と投光部１３とを光接続する。投光部１３は入射光を偏光して測定光を生成し、測定対象物７に照射し、反射光を受光部１４によって受光して筺体１１の外部に配置された分析装置１５へ送光すると、分析装置１５で膜厚が求められる。測定対象物７を真空雰囲気中で測定でき、光配線装置１８と投光部１３とを着脱しても、相対的に同じ位置で仮固定され、着脱が測定精度に影響を与えない。 （もっと読む）

【課題】所望とする化合物相で構成されたスパッタリング用ターゲットを安定して製造することができるホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を溶解する工程と、前記混合粉末の溶解物を凝固させ、粉砕した凝固粉末を作製する工程と、前記凝固粉末を仮焼する工程と、仮焼した前記混合粉末を焼結する工程とを有する。上記製造方法においては、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を一旦溶解し、その後冷却することで原料粉末の化合物化を促進し、所望とする化合物相を有するホウ酸リチウム粉末及びその焼結体を安定に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面にエッチング用マスクを効率よく形成してドライエッチングすることで、量産性よくシリコン基板表面にテクスチャー構造を形成できるテクスチャー構造形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗ表面にテクスチャー構造を形成するためのテクスチャー構造形成方法であって、シリコン基板Ｗ表面に、ハニカム状の細孔ｈが所定間隔で複数開設された有機物シートＳを接着する工程と、有機物シートＳをマスクとし、この有機物シートＳが接着されたシリコン基板Ｗを処理室内に配置して減圧し、エッチングガスを導入し、放電用電力を投入して各透孔を通してシリコン基板Ｗ表面をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＴｅ膜とＳｂＴｅ膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Ｓの温度を２５０℃以上３５０℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるＧｅＴｅターゲット２２ａとＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるＧｅＴｅ膜とＳｂ_２Ｔｅ_３膜とを毎秒３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の速度で前記基板上に積層する。 （もっと読む）