【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。
【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜２３の上面２３ｓ及びホール２３ｈ内に相変化膜２４を形成する。次いで、相変化膜２４を覆うキャップ膜２５を形成する。更に、相変化膜２４を加熱して、相変化膜２４によってホール２３ｈを埋め込むリフローを行う。キャップ膜２５は、絶縁膜２３よりも相変化膜２４に対する濡れ性が低い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜直後の基板面内における酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定することができる膜抵抗値測定方法を提供する。
【解決手段】測定対象物Ｗを基板表面に成膜した酸化物半導体膜とし、成膜直後の酸化物半導体膜を局所的に加熱する工程と、この加熱した領域で抵抗値測定用プロープ６を用いて抵抗値を測定する工程とを含む。酸化物半導体膜として、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料からなる透明酸化物半導体膜を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】幅広い用途に適用可能なプロセスウィンドウの広いプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】リン、ヒ素及びアンチモンの少なくとも１種を含むガスのプラズマを生成して該プラズマ中のリン、ヒ素及びアンチモンの少なくとも１種のラジカル２１を処理対象物１３たるシリコン基板の表面に堆積させる第１工程と、第１工程で処理対象物１３表面に堆積されたラジカル２１にヘリウムイオン２２を照射する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】一台で高抵抗薄膜の抵抗値と表面凹凸を正確に測定できる測定装置を提供する。
【解決手段】載置板１２をポリアセタール樹脂で構成し、裏面にガード電極５２を配置する。載置板１２上に配置した基板２３の表面に、円環電極４３と円盤電極４４とを接触させ、円盤電極４４を電流計４７を介してガード電極５２に接続し、ガード電極５２を接地させて、円環電極４３と円盤電極４４の間に電圧を印加し、電流計４７の検出結果から基板２３表面の高抵抗薄膜の抵抗値が測定される。ポリアセタール樹脂の抵抗値は高く、表面は平坦なので、基板２３の表面に触針を接触させながら移動させて、触針６３の変位を測定して基板２３の表面の凹凸も正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】表面側及び裏面側の両保護部材表面での局所的な形状変化の発生を低減した耐久性のよい太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】表面側の保護部材１と裏面側の保護部材８とを有し、これら両保護部材間に、複数の太陽電池セルＣを同一平面内に列設し、金属製の薄板からなる接続部材６により各太陽電池セルを互いに電気的に接続したものを、熱可塑性樹脂製の充填剤７を加熱し、冷却固化させて封止する。このとき、前記接続部材のうち前記太陽電池セル表面に位置する部分の両側に、前記充填剤の冷却固化時における前記接続部材周辺の体積収縮を抑制する収縮抑制材９，９が夫々配置される。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力が上昇しても、大気圧より高い所定圧力までは確実に処理室内が気密保持される一方で、この所定圧力を超えて圧力上昇した場合に真空処理装置自体の破損を防止することができるようにした真空処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ本体１と、その開口部１ｂに対してＯリング４を介在させて圧接する開閉扉３と、開閉扉の閉位置で処理室１ａ内を真空引きする真空ポンプ３とを備える。処理室を真空引きした状態で、開閉扉に対し、開閉扉のチャンバ本体への圧接方向に引張力を加える引張手段６を更に備える。処理室内の圧力が上昇したとき、大気圧より高い所定圧力までは、前記引張手段が弾性変形して開閉扉を閉位置に保持し、前記所定圧力を超えると、前記引張手段が塑性変形して開閉扉がチャンバ本体から離間する運動エネルギーを吸収するように構成する。 （もっと読む）

【課題】マスクの強度を低下させずに、大面積の成膜対象物に成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】
マスク３１は、薄膜材料蒸気が通過する複数の通過孔３２が配置された有効領域３３₁〜３３₃と、薄膜材料蒸気を遮蔽する遮蔽領域３４₁〜３４₄とを有し、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃は、長さ方向と、長さ方向と直交する幅方向とを有する四角形状であり、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃とは、有効領域３３₁〜３３₃の幅方向６に沿って互いに隣接して配置され、成膜装置１０ａは、マスク３１と放出装置２１とに対し、成膜対象物４２を、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₄とが並ぶ方向に相対的に移動させる第一の移動装置５１を有している。 （もっと読む）