【課題】電流供給時における触媒線の変位を回避させた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓの成膜面Ｓａを立てて基板Ｓを保持する成膜ステージと、成膜面Ｓａと対向するように吊下げられる触媒線１５と、触媒線１５を加熱するために触媒線１５へ電流を供給する電源とを備え、加熱される触媒線１５へ原料ガスを供給することにより成膜種を生成し、成膜種を成膜面Ｓａに堆積させることによって成膜面Ｓａに薄膜を成膜する。そして、触媒線１５を流れる荷電粒子に作用して触媒線１５を成膜面Ｓａに沿って拘束する拘束磁場を形成して触媒線１５に拘束磁場を加える拘束線２０を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置、この装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。
【解決手段】ステージ１６の側面からグランド電位の防着板１９の側面までの最短距離をΔＤとし、ステージ１６の上面の延長面から防着板１９の底面までの最短距離をΔＨとし、ターゲット１５の直径とステージ１６の直径との差の１／２をΔｄとする場合、Δｄ＜ΔＤ及びΔＤ＜ΔＨの関係を満足するように、防着板１９及びステージ１６を配置、構成すること。この装置を用いて、スパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、固体電解質薄膜を製造し、得られた固体電解質薄膜を有する薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】同軸型真空アーク蒸着源を用いた真空処理装置における蒸着量のバッチ毎の再現性を改善し、その安定化を提供する。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源５は、環状のトリガ電極１３と、カソード電極１２と、カソード電極１２に接続される一端部と、一端部と反対側の他端部とを有し、一端部と他端部の少なくとも一方が面取りされた円柱状の蒸着材料１１と、トリガ電極１３と蒸着材料１１の間、及びトリガ電極１３とカソード電極１２の間に配置された絶縁碍子１４と、トリガ電極の周囲に配置され、一端に開口を有する筒状のアノード電極２３とを具備する。これにより、蒸着材料１１が消耗しても、その端部周縁の曲面が維持された状態となるので、蒸発粒子の出射角が安定し、蒸着の再現性が改善する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系の材料を用いて形成された、太陽電池の上部電極をなす透明導電膜の表面抵抗を低下させるとともに、可視光線の透過性を良好に保ち、光電変換効率を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系材料からなるターゲットを用いて、スパッタ法により基板上に酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜することにより中間電極やバッファ層を形成する工程を備え、この中間電極やバッファ層の形成工程では、水素ガス、酸素ガス、水蒸気の群から選択される２種または３種を含む雰囲気中にてスパッタを行う。 （もっと読む）

【課題】管継手を構成するシール部材の冷却効率を高めて、当該シール部材の熱変形または変色を効果的に抑制することが可能な管継手の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る管継手の製造方法は、シール部２１を有する環状のシール部材２をパイプ部材３の先端に接触させ、シール部材２を冷却するための治具５を０℃より低い温度に冷却し、治具５をシール部材２に組み付け、治具５に形成された開口５５を介してシール部材２とパイプ部材３の接触部位を溶接する。シール部材２の冷却に０℃より低い温度に冷却した治具５を用いているので、水を冷却媒体として用いる従来の溶接方法に比べて、シール部材２の吸熱効果を高めることができる。また、治具５に形成された開口５５を介してシール部材２とパイプ部材３の接触部位を溶接するので、シール部材２に組み付けられた治具５が溶接作業性を低下させることはない。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】均一なプラズマを形成して基板を均一に処理する。
【解決手段】本発明の真空装置１は複数のアンテナ２２を有しており、各アンテナ２２と高周波電源６までの間には調整コンデンサ３０が配置されている。調整コンデンサ３０は下部電極３１と上部電極３３とで絶縁シート３２が挟まれて構成されており、下部電極３１と上部電極３３との重なり面積ｓを変えることで、各アンテナ２２から高周波電源６までのインピーダンスを一致させることができる。各アンテナ２２には同じ大きさの高周波電圧が印加されるから、真空槽１１内には均一なプラズマが発生する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上した基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、４つのボートを搬送ステージ２２の周方向に沿って等配し、各ボートの上方に、ＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、及び冷却室１５Ａを有する。そして、基板処理装置１０は、搬送ステージ２２の上動と回動とを繰り返すことにより、全てのボートにある基板群を同じタイミングで直上の処理室に搬入及び搬出し、かつ、各ボートにある基板群をそれぞれＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、冷却室１５Ａの順に搬送する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入により、イオン注入箇所の著しい磁気特性の低下を図る。
【解決手段】磁性膜へのイオン注入方法として、基板表面に、少なくとも磁性膜、当該磁性膜を保護する保護膜をその順に積層して成る磁気ディスクの製造工程において、磁性膜の一部にイオンを注入してその垂直磁化を低減する磁性膜へのイオン注入方法であって、磁性膜の面に立てた法線から４５度以上６０度以下の範囲内にある角度でイオンを注入する方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる成膜源、スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット２１には孔２６が形成され、磁石装置２０は磁石移動装置４により、ターゲット２１の孔２６の周囲を移動する。従って、磁石装置２０により形成されるエロージョン領域は、孔２６の周囲に形成され、非エロージョン領域になるべき部分にはターゲット２１が存在しないから、ターゲット２１の使用効率が高い。孔２６の底面上には接地電極２５が配置されているから、孔２６の内部に露出する部材がスパッタリングされない。 （もっと読む）

【課題】 処理箱内に、Ｄｙ及びＴｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料とリング磁石とを収納し、この処理箱を真空チャンバ内に設置した後、真空雰囲気にて当該処理箱を所定温度に加熱して金属蒸発材料を蒸発させてリング磁石に付着させ、この付着したＤｙ、Ｔｂの金属原子を当該焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させて高性能磁石を得る場合に、１個の処理箱内に多数の焼結磁石が作業性よく収納でき、その上、高性能磁石が得られる量産性の高い永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 処理箱７に前記蒸発した金属原子の通過を許容する外挿体９を並設し、前記外挿体９で囲繞されるようにその内側に少なくとも１個のリング磁石ｓ配置する。そして、内部に金属蒸発材料ｖが充填され、前記蒸発した金属原子の通過を許容する内挿体１０を磁石の内部空間にそれぞれ設けると共に、各外挿体で区画される空間に金属蒸発材料を充填する。 （もっと読む）