説明

株式会社アルバックにより出願された特許

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【課題】耐摩耗性を向上して小型化を図ることにより寿命を損なうことなく磁気特性の測定精度を向上した導電性プローブ、導電性プローブの製造方法、及びその導電性プローブを用いた磁気特性測定方法を提供する。
【解決手段】導電性プローブは、支持部と、支持部から延びるレバーと、レバーの自由端に形成されて測定領域30Aに接触するための探針部13とを有する。探針部13は、自由端から延びる探針13aと、探針13aの表面に形成されてTaからなる下地層14と、下地層14に積層されてRuからなる被覆層15とを有する。 (もっと読む)


【課題】 光学薄膜を成膜する際のパーティクルを抑えることが可能な光学薄膜の成膜装置及びその装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバの内周面に、その周面に基材を保持することが可能な回転ドラムを備え、前記回転ドラムの周方向に、防着板により区割された金属ターゲットをスパッタリングするための成膜領域と、スパッタリングされた金属薄膜を酸化するための酸化領域とを備え、前記各領域に基材を通過させ、前記基材上に光学薄膜を成膜するための装置であって、前記防着板に温度制御手段を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】クリーニング性を向上させた静電チャックのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】静電チャックのクリーニングを実行する際、まず、金属ベースプレートの外周面と弾性プレートの外周面とに付着した成膜残渣を研磨して除去する(研磨工程:ステップS1)。そして、研磨工程で研磨された金属ベースプレートと弾性プレートとを洗浄し(洗浄工程:ステップS2)、洗浄工程で洗浄された金属ベースプレートと弾性プレートとを脱ガスさせる(脱ガス工程:ステップS3)。 (もっと読む)


【課題】リブ付きの大径薄肉のウエハであっても、破損することなしに密着性よく保持できる半導体ウエハ保持装置を提供する。
【解決手段】外周縁部にリブが形成された半導体ウエハが載置される基板載置部と、該基板載置部に静電チャックを設けると共にリブが存する半導体ウエハの外周縁部に押圧力を加え得るクランプ手段とを備える。基板載置部の中央領域を凸状に突出させた段付き形状とし、クランプ手段により押圧力を加えると、リブの下端面が基板載置部の一段下がった平坦面に接触し、静電チャック機構を作動させると、デバイス構造部が突出部上面に面接触して吸着保持されるように構成した。 (もっと読む)


【課題】主配線膜上に形成するヴィアホールのエッチング速度を均一にする。
【解決手段】絶縁膜33をエッチングガスプラズマによってエッチングして絶縁膜33にヴィアホール22を形成し、ヴィアホール22底面に主配線膜34を露出させる際に、予め主配線膜34同士を接続配線膜38によって接続し、エッチングの際に各主配線膜34が同電位に置かれるようにする。エッチングガスプラズマの密度は、主配線膜34の電位に影響を受けるが、主配線膜34は同電位にされているから、エッチング速度が均一になる。 (もっと読む)


【課題】高分子フィルムの上に微粒子を連続して形成する装置を提供する。
【解決手段】本発明の微粒子形成装置1は、金属材料を蒸着する真空アーク蒸着源5と、被蒸着材料であるフィルム4を走行させるフィルム走行手段3と、真空アーク蒸着源5をパルス駆動する制御手段65とを備え、フィルム4の走行方向に対して交差するように複数配列した。これにより、フィルム4上に均一化された良質の微粒子を連続して形成することができる。従って、量産が可能となった。 (もっと読む)


【課題】従来の方法では、疎水化処理時間が短縮され、かつ、比誘電率の上昇が抑制された疎水化多孔質膜をえることができない。
【解決手段】 基板1上に有機シリカ絶縁膜2を形成する工程と、有機シリカ絶縁膜2が形成された基板1が配置された装置内で基板1の温度をシリル化ガスの露点温度以上気化温度以下として、装置内へシリル化ガスと不活性ガスとからなる混合ガス3を導入する工程と、装置内への混合ガス3の導入を停止する工程と、有機シリカ絶縁膜2が形成された基板1を加熱する工程と、を含むことによって、有機シリカ絶縁膜2の表面および細孔の表面が疎水化され、比誘電率の上昇が抑制された疎水化有機シリカ絶縁膜を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 不純物等の混入を防止しつつナノワイヤーを簡便に製造することのできるナノワイヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るナノワイヤーの製造方法は、基板1上にZnを付着させてZn薄膜2を形成する工程と、Zn薄膜2の表面側を酸化によりZnOとすることによって、基板1上にZn層2b及びZnO層2aを形成する工程と、ZnO層2aを、Oを含みZnの融点よりも高くZnOの融点よりも低い温度の大気に曝すことによって、ZnO層2aの粒界にZnOの核4を形成してこの核4から大気中に延びるナノワイヤー5を成長させる工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの数量を低減して生産性を向上した熱処理方法、及び熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】熱処理装置1は、基板Sを有する熱処理室3と、熱処理室3に反応ガスを供給することにより基板S上のシリコン酸化膜と反応ガスとを反応させて反応生成物を生成する反応ガス供給系6と、熱処理室3で基板Sを加熱することにより反応生成物を熱処理室3から排気可能にするランプヒータ7とを有する。そして、熱処理室3に予め加熱したパージガスを導入するための第二加熱装置8Aを有する。 (もっと読む)


【課題】 従来のNd−Fe−B系の焼結磁石の製造方法では、組成比でNdの含有量が所定値を超えて多いと、αFeが生成しないインゴットの製造が可能であるものの、非磁性相のRリッチ相の体積比が増えて磁気特性を示す最大エネルギー積及び残留磁束密度が低下する。
【解決手段】 液相焼結によりネオジウム鉄ボロン系焼結磁石を得た後、この焼結磁石を処理室に収納して焼結温度より低い温度にて真空雰囲気中で加熱することにより、液相成分中の蒸気圧の高い元素を優先的に蒸発させて、液相の体積比を減少させつつ、当該焼結磁石と同一または異なる処理室に収納した所定のDyやTbの金属蒸発材料を真空雰囲気中にて加熱して蒸発させ、この蒸発した金属原子を焼結磁石表面に付着させ、この付着した金属原子を、金属蒸発材料からなる薄膜が形成される前に焼結磁石の結晶粒界相に拡散させる。 (もっと読む)


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