【課題】膜質の良い有機薄膜を効率良く成膜する。
【解決手段】第一、第二の薄膜を形成するために、第一、第二の蒸着装置１０ａ、１０ｂの蒸発室２１内部に配置する有機材料３９ａ、３９ｂの必要量を予め求めておく。求めた必要量の有機材料３９ａ、３９ｂを蒸発室２１に配置して蒸気を発生させ、基板８１を放出装置５０の放出口５５上に配置してから、蒸気を放出口５５から放出させる。蒸発室２１に配置された有機材料３９ａ、３９ｂが消費されると、予め決められた膜厚の第一、第二の薄膜が基板８１表面上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 例えば磁石の磁気特性の向上などの製品機能を改善する際に、蒸発させた元素が効率よく回収されるようにした焼結体の製造装置を提供する。
【解決手段】 焼結体の製造装置１は、真空排気手段１１を有する真空チャンバ１２と、この真空チャンバ内で、液相焼結で得られた一次焼結体Ｓを収納する焼結体ケース２と、この焼結体ケースの加熱を可能とする加熱手段３とを備える。そして、加熱手段を作動させて当該一次焼結体を焼結温度より低い温度にて真空雰囲気中で加熱することにより、液相成分中の蒸気圧の高い元素を優先的に蒸発させて、液相の体積比を減少あるいは消滅させることができる。その処理の際に、蒸発させた元素が付着するようにトラップ手段５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】必要量の有機材料を正確に加熱して膜厚制御をする。
【解決手段】回転軸３５は中心軸３７と、中心軸３７の周囲に螺旋状に設けられた突条３６とを有しており、突条３６はＳｉ₃Ｎ₄を主成分とするセラミック材料で構成されている。突条３６は機械的に研磨され、平滑になっているから、有機材料３９は堰き止められずに、突条３６間の溝を通過して、タンク３１から蒸発室２１に移動する。回転軸３５の先端はセラミック材料で構成され、誘導加熱されないから、回転軸３５に接触する有機材料３９は蒸発しない。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ材料自体にダメージを与えることなく電子放出特性を向上させることができるグラファイトナノファイバーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程（Ｐ１）と、原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程（Ｐ２）と、成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程（Ｐ３）とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法である。成長用触媒としては、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い有機薄膜を成膜可能な装置と成膜方法を提供する。
【解決手段】載置部材２２の載置面２５は水平面から傾斜しており、加熱した載置面２５に蒸着材料３９を載置すると、蒸着材料３９は載置面２５上で広がるから、蒸着材料３９が短時間で蒸発し、蒸発室２１内部に蒸着材料３９の蒸気が発生する。蒸着材料３９は短時間で蒸発するから、蒸発速度が蒸着材料３９が熱分解されない。また、従来に比べて蒸気発生速度の安定するから、有機薄膜の膜厚が均一になる。 （もっと読む）

【課題】蒸着法で緻密かつバリア性に優れたＴｉＮｘ膜を形成する。
【解決手段】本発明においては、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板Ｗ上に、蒸発源３にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させる。蒸発源３において形成されたチタンの蒸発粒子は、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマによってイオン化され、負のバイアス電位が印加された基板の表面に蒸着される。これは、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法であり、通常の蒸着法に比べて、基板上に形成される膜密度の向上が図られる。このようにして形成されたＴｉＮｘ膜は、Ａｌ膜とＡｕ膜の間の反応を防止するバリア膜として十分なバリア性能を発揮するため、低コンタクト抵抗の電極膜に好適に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】必要量の有機材料を正確に加熱蒸発させる。
【解決手段】導入管３１の蒸発室２１内部に挿入された部分（導入部４４）の外周は、銅を主成分とする低抵抗材料で構成されている。回転軸３５の下端は導入部４４の内側に位置する。蒸発室２１内部に電磁場が形成されると、高温体２２は誘導加熱されるが、導入管３１と、回転軸３５は誘導加熱されない。従って、導入管３１の貫通孔３３内を移動する有機材料３９は溶融や蒸発せず、有機材料３９が詰らないから、高温体２２に所望量の有機材料３９を正確に配置することができる。 （もっと読む）

【課題】枯渇の虞の無い材料で太陽電池を製造する。
【解決手段】カソード電極３５をｐ型不純物が添加されたグラファイト材料で構成し、真空槽１１内部に水素ガス雰囲気を形成し、アノード電極３１とカソード電極３５の間に電圧を印加しておき、トリガ電極３７とカソード電極３５との間に電圧を印加してトリガ放電を発生し、カソード電極３５とアノード電極３１の間にアーク放電を発生させ、カーボン蒸気を水素ガス雰囲気内で基板２１の表面上に到達させ、ｐ型層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】必要量の有機材料を正確に加熱蒸発させる。
【解決手段】蒸気発生装置２２は内側突部２２ａが回転軸３５の先端と対面するように配置されており、回転軸３５の先端は内側突部２２ａが放出する輻射熱で有機材料３９の蒸発温度以上に加熱されるから、有機材料３９の蒸気が回転軸３５の先端に析出しない。落下孔４８は内側突部２２ａと外周突部２２ｂの間の供給部２９上に位置するから、落下孔４８から落下する有機材料３９は外周突部２２ｂで堰き止められ、供給部２９から零れ落ちない。 （もっと読む）

【課題】必要量の有機材料を正確に加熱蒸発させる。
【解決手段】蒸気発生装置２０ａ〜２０ｃを放出装置５０に接続させて蒸気を供給する際には、他の蒸気発生装置２０ａ〜２０ｃは放出装置５０から遮断するから、蒸気が混ざらない。成膜後は、蒸気発生装置２０ａ〜２０ｃを放出装置５０から遮断しながら排気槽に接続する。排気槽内には冷却手段８５ａ〜８５ｃが配置され、排気槽に排出された蒸気は冷却手段８５ａ〜８５ｃに析出する。析出した蒸着材料３９は回収して再利用が可能である。 （もっと読む）