【課題】
従来、ＣＰＵがマクロ回路からマクロデータを読み込む際に多くのリードクロックが必要であった。
【解決手段】
本発明のバスインターフェイス回路１００は、マクロクロックに基づきマクロデータを保持するマクロクロック同期データ保持部１０１と、リードクロックに基づきマクロデータを保持するリードクロック同期データ保持部１０２と、リードクロックに基づきリード期間信号を出力するリード期間判定部１０３と、リード期間信号とマクロクロックとに基づきデータ保持信号を出力するマクロクロック検出部１０４と、データ保持信号とリードクロックに基づきメタ・ステーブル回避信号を出力するメタ・ステーブル回避部１０５と、メタ・ステーブル回避信号に基づきマクロクロック同期データ保持部１０１の出力、又は、リードクロック同期データ保持部１０２の出力のいずれかを選択してリードデータを出力するリードデータセレクタ１０６とを有する。 （もっと読む）

【課題】
条件付コンパイルの識別子のスペルミス、設定ミスを低減する。
【解決手段】
コンピュータが、プログラムソースコードを走査し、少なくとも、条件付コンパイル用のプリプロセッサ命令に後続して用いられている識別子とその出現回数と、識別子が定義されているか否かを示した定義状態と、を併記した識別子一覧を生成表示する。ユーザは、識別子一覧を参照して、出現回数と定義状態を確認し、必要に応じてソースコードの修正作業を行う。更に、ユーザが前記識別子一覧から任意の識別子を選択することによって、コンピュータは、条件付コンパイル用の識別子の設定を受け付けて、条件付コンパイルのコマンドを生成する。 （もっと読む）

【課題】より短い時間で、動作の最適化を完了するマイクロコンピュータを提供する。
【解決手段】マイクロコンピュータの動作の最適化に用いられる最適化データを格納する不揮発性メモリと、第１クロックに同期して前記不揮発性メモリから、前記不揮発性メモリの動作の最適化に用いられる最適化データであるメモリ最適化データを読み出し、前記メモリ最適化データに基づいて前記不揮発性メモリの動作の最適化を実行する最適化回路とを具備するマイクロコンピュータを構成する。前記最適化回路は、第２クロックに同期して、前記不揮発性メモリから他の最適化データを読み出す。さらに、その場合において、前記最適化回路は、前記第１クロックと前記第２クロックとを選択的に出力するクロック切替え回路を有する構成であることが好ましい。前記クロック切替え回路は、前記不揮発性メモリの最適化の完了に応答して前記第２クロックを出力する。 （もっと読む）

【課題】
プログラム内の動的関数呼出しにかかるコールペア情報を収集する際の計算量と使用メモリ量とを削減する。
【解決手段】
静的ソース解析部１０は、ソースプログラム蓄積部５内のプログラムを静的に解析し、動的呼出し側関数及び動的呼出され側関数を洗い出し、各関数に識別ラベルを付与する。動的呼出しプロファイル処理呼出し処理挿入部１９は、動的呼出しプロファイル処理を含むプロファイル処理入りソースプログラムを生成する。リンク部４１は、動的呼出し側関数と動的呼出され側関数との組み合わせに対応する動的コールペア情報格納テーブルの領域を確保する処理と識別ラベルのセクション処理とプロファイル処理入りソースプログラムとをリンクする。モジュール実行部４３は、コンパイルして実行し、動的コールペア情報格納テーブルに動的な呼出しにかかるコールペア毎の呼出し回数を収集する。 （もっと読む）

【課題】配線性悪化を抑えることができる半導体集積回路。
【解決手段】中位配線層Ｍ３、下位ヴィアＶｉａ１、及び上位ヴィアＶｉａ３は、平面方向から見て、上位配線層Ｍ４及び下位配線層Ｍ１のそれぞれの配線によって潰れる配線トラック（×印）の範囲内に配される。下位ヴィアＶｉａ１は、４列１行型の矩形状に収まるように配される。上位ヴィアＶｉａ３は、２列２行型の矩形状に収まるように配される。上位ヴィアＶｉａ３よりなるヴィアユニットの平面方向から見たときの中心（＋印）は、下位配線層Ｍ１と上位配線層Ｍ４の交差部に配される。下位ヴィアＶｉａ１よりなるヴィアユニットの平面方向から見たときの中心（＋印）は、上位ヴィアＶｉａ３よりなるヴィアユニットの平面方向から見たときの中心と所定量ずれている。 （もっと読む）

【課題】
高温時の振幅低下を防止するドライバ回路を提供する。
【解決手段】
入力信号に対し非線形な電圧電流特性を有するダイオード１６、１７によって信号をクランプして出力する差動プリバッファ回路２２と、差動プリバッファ回路２２の出力信号を増幅して出力する差動出力回路２３を備える。さらに、ダイオード１６、１７と同一の温度係数の電圧電流特性を有するダイオード４３に流す電流に基づいて、ダイオード１６、１７に流す直流電流を制御する温度特性補償回路４４を備える。このような構成のドライバ回路によれば、ダイオード１６、１７の順方向電圧降下の温度特性をキャンセルする電流として、定電流Ｉ１、Ｉ２に対応する電流が温度特性補償回路４４から供給される。 （もっと読む）

【課題】動作範囲を拡大させることができる不揮発性半導体記憶装置の読み出し回路を提供すること
【解決手段】読み出し回路３０は、メモリセルトランジスタ１０に流れる電流Ｉｃｅｌｌとダミーセルトランジスタ２０に流れる基準電流Ｉｒｅｆとに基づいて、メモリセルトランジスタ１０に格納されたデータ値を検出するセンスアンプ回路４０と、ダミーセルトランジスタ２０のゲートに第１電圧Ｖ１を供給する電圧制御回路６０とを備える。メモリセルトランジスタ１０は、制御ゲート１５と浮遊ゲート１３を有する。電圧制御回路６０は、ダミーセルトランジスタ２０のゲートとソース間の電圧Ｖｇｓが、メモリセルトランジスタ１０の制御ゲートとソース間の電圧ＶＲより小さくなるように、第１電圧Ｖ１を設定する。 （もっと読む）

【課題】 遠隔制御の機能拡張が容易であり、また、利用者の煩雑な作業を伴わずにバージョンアップが可能であり、また、遠隔から検査及び調整が可能なリモートコントロールシステムを提供する。
【解決手段】 サーバ１０００は管理者用サイト１０５０を管理者のコンピュータ１９００からアクセス可能に提供する。サーバ１０００は利用者共通サイトを利用者のコンピュータ１００，４００からアクセス可能に提供する。サーバ１０００は、被制御装置を遠隔から操作するためのスクリプトを有する装置操作サイトの作成に利用可能な装置操作サイトの雛型を保管している。そして、サーバ１０００は、利用者の所望により雛型から装置操作サイトを作成して格納する。被制御装置２００，３００，５００は、通信ネットワーク１０を介してされたアクセスにより指定された装置操作サイトにあるスクリプトを実行する。 （もっと読む）

【課題】
開発過程において検出が困難なメモリ初期化漏れ（未初期化）の発生を防止する。
【解決手段】
メモリ装置の各ワードに配設される付加ビット（パリティビットを含む）を備えるメモリ１０９において、パワーオン（電源オン）により付加ビット２１５をリセットし、初期化を行ったワードの付加ビット２１５を１回限り反転させる制御を行うメモリ初期化状態管理回路を備え、メモリの初期化漏れの検出機能を備えたメモリ装置が提供される。このメモリの初期化漏れを検出機能は、前記メモリ初期化状態管理回路が、読み出したワードの付加ビット２１５が未反転状態であれば割り込みを発生させ、該読み出しアドレスを出力することによって具現される。 （もっと読む）

【課題】
従来の半導体集積回路の検証方法では、隣接する入出力バッファ同士の配線の接続や、内部回路を設計した後の、入出力バッファ内の電源配線を考慮したＬＶＳネットリストの作成が困難となっていた。
【解決手段】
半導体集積回路の検証方法は、半導体素子の外周部に配置された入出力バッファと、内部回路とを含む半導体集積回路の検証方法であって、前記入出力バッファのライブラリに、前記入出力バッファの配線に関しての物理情報を保持させ、前記物理情報に基づいて前記入出力バッファの配置検証を行う。 （もっと読む）