【課題】本発明の課題は、インバータ停止時において、外力によってモータが回転させられた時の誘起電圧による過電圧を防止することにある。
【解決手段】モータ制御装置に、インバータ回路の起動指令が停止指令である時かつモータの回転数が所定値を超えた時に回転数を減速させる停止時速度制御手段を備えることによって、インバータ停止時においても外力によってモータが回転させられた場合、モータの回転数を減速させて誘起電圧による過電圧を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】整流装置等のパワー半導体装置において、大電力化・鉛フリー化への対応性と高い熱疲労寿命性能とを兼ね備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体チップと前記半導体チップを挟んで対向するベース電極ならびにリード電極とそれらを電気的に接合する接合層とが積層され、前記半導体チップと前記接合層と前記ベース電極の一部と前記リード電極の一部とが封止樹脂によって封止された半導体装置であって、前記封止樹脂が、前記ベース電極の線膨張係数から−２ppm/℃以上＋2.5 ppm/℃以下の範囲内にある線膨張係数を有する封止樹脂であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】SOI基板を用いたパワー半導体装置において、漏れ電流によるデバイス特性の劣化を防止した誘電体分離型の半導体装置を高い製品歩留まりで提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、SOI基板を用い前記SOI基板中の中間絶縁膜と閉ループのトレンチとによって区画分離された誘電体分離型の半導体装置であって、前記トレンチの内壁は該トレンチを挟んで互いに接触していない側壁絶縁膜によるトレンチ側壁部と前記中間絶縁膜によるトレンチ底部とで構成されており、前記トレンチ側壁部は側壁平面部と側壁曲面部とを有し、前記側壁平面部が前記側壁曲面部を介して前記トレンチ底部と接続しており、前記側壁曲面部は前記トレンチの内部に向かって凸状の曲面であり、かつ該曲面の曲率半径が0.2μm以上10μm以下である。 （もっと読む）

【課題】小型化・高耐圧化に優れ高品質なパワー半導体装置を生産効率良くかつ高い製品歩留まりで製造できる誘電体分離型の半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板内のチップ配列領域において格子状のスクライブ領域によって区画された複数のチップ領域が整列配置され、前記複数のチップ領域の各々に半導体素子が形成された誘電体分離型の半導体装置であって、
前記半導体素子は前記チップ領域内で素子領域分離帯によって誘電体分離された素子領域内に形成され、前記スクライブ領域はスクライブ領域分離帯によって寸断されるように誘電体分離されている。 （もっと読む）

【課題】支持電極体３０を放熱板４０に圧入する際に発生する応力、封止樹脂７０やリード電極体５０への引張応力、高温領域での繰り返し使用による封止樹脂７０の支持電極体３０からの剥離／脱落を防止し、半導体チップ１０の破壊を防ぐ。
【解決手段】支持電極体３０上の台座３１の外周側壁３４の形状を、溝３２の底部に向かって中央方向に連続的に傾斜させる。この傾斜部の高さは、台座３１の高さの６０％以上、９０％以下とすることで、封止樹脂７０との間で、鉤止め作用による十分な把持力を発揮するとともに、支持電極体３０の加工性を向上させ、製品としての強靭性を高める。 （もっと読む）

【課題】
空調機や冷蔵庫などのファンモータ，圧縮機駆動モータ、及びポンプモータを、比較的簡単な回路で低騒音に駆動する。
【解決手段】
モータの相切替えにおいて、第１の通電相をフル通電状態とし、切替わる第２の通電相を第１のパルス幅変調信号で制御し、オーバラップ期間における第１の通電相を第２のパルス幅変調信号で制御することを特徴とするモータ駆動回路。相切替え時の急峻なモータ電流の変化を緩やかにすることによって、モータの騒音及び振動を低減する。 （もっと読む）

【課題】発振立ち上がり時間を大幅に短縮し、発振起動直後から発振出力が得られる発振回路を得ること。
【解決手段】反転増幅器１の入力端子電圧バイアス手段としてその入出力端子間に短絡手段７を併設するとともに、反転増幅器１出力を受け発振出力を行う出力バッファ回路を反転増幅器１の微小振幅出力を常に増幅し得る構成とし、発振起動時には反転増幅器１を活性化するとともに発振子５両端に電位差を与えて発振子５を励磁し、しかる後に上記短絡手段７を所定の期間のみ動作させ反転増幅器１の入出力端子間を短絡する。これによって、発振子５内の共振電流ピークが増大して発振子５の微小振動が助長されるので、早期の発振開始が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子と両電極端子との間に介在させた接合部材に作用する最大温度及び温度変化幅を抑制し、温度変化に対する熱疲労寿命を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップとリード電極体との間に接合部材を設けて半導体チップをリード電極体に接合し、半導体チップと支持電極体との間に熱応力緩和体を配設し、この熱応力緩和体と半導体チップ及び支持電極体との間に接合部材を夫々設けて第一の熱応力緩和体を支持電極体に接合し、第二の熱応力緩和体は熱膨張係数が半導体チップとリード電極体の各熱膨張係数の間の値の特性を有する材料によって形成し、第一の熱応力緩和体は熱膨張係数が半導体チップと支持電極体の各熱膨張係数の間の値の特性を有し、且つ熱伝導率が５０〜３００Ｗ／（ｍ・℃）の特性を有する材料によって形成して構成した。 （もっと読む）

【課題】 細胞マイクロレオロジー観察・測定のデータ再現安定性に優れた細胞マイクロレオロジー観察・測定用ディスポーザブルチップを提供すること。
【解決手段】 表面に微細な溝１１１を有し、かつ、溝１１１以外の部分に貫通孔１１２を有する第１の基板１１と、溝１１１を有する第１の基板１１の表面に接合される平面を有する第２の基板１２と、を少なくとも周囲が密となるように接合してなる一体化チップ１を、内部に貫通孔２１１を有するチップホルダー２に、それぞれの貫通孔同士が当接するように密に貼り付け、前記貫通孔を細胞注入孔とし、かつ、第１の基板１１と第２の基板１２との接合部に溝１１１によって形成される空間を細胞の流路としてなる、細胞マイクロレオロジー観察・測定用ディスポーザブルチップ。 （もっと読む）

【課題】
素子を形成する基板の湾曲量が小さく、信頼性が高い誘電体分離構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明の半導体装置は、ＳＯＩ基板（Silicon on Insulator）の主表面に形成された１つ以上の閉ループパターンのトレンチがあり、このトレンチ側壁部を覆う絶縁膜で多結晶シリコン膜が挟まれており、トレンチ開口部では絶縁膜と多結晶シリコン膜とが同じ平面で露出している。このトレンチによって、ＳＯＩ基板上に形成された複数の半導体素子が誘電体分離されている。 （もっと読む）